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GaN 晶圆级 AuSn 焊料沉积
关键词：GaN、焊料、AuSn 焊料、溅射、共晶、芯片粘接摘要对于 GaN MMIC 芯片粘接，经常使用 80%Au20%Sn 共晶焊料。通常的做法是使用预制件 AuSn 将芯片粘接到 CuW 或其他一些基板上。在此过程中，操作员可能需要将预制件切割成芯片尺寸，然后对齐预制件、芯片和基板。由于操作员需要同时对齐三个微小部件（预制件、芯片和基板），因此这是一个具有挑战性的过程，可能需要返工。此外，预制件厚度为 1mil（在我们的例子中），这可能导致过量的焊料溢出，需要清理，因为它会妨碍其他片外组装。整个芯片粘接过程可能很耗时。在本文中，我们描述了一种在分离芯片之前在 GaN 晶圆上使用共晶成分溅射靶溅射沉积共晶 AuSn 的方法。它消除了预制件和芯片的对准，并且不会挤出多余的 AuSn。通过使用共晶溅射靶，它还可以简化靶材制造。下面给出了芯片粘接结果。引言宽带微波 GaN MMIC 功率放大器在国防和通信应用中具有重要意义。随着设备性能的提高，芯片粘接变得非常重要，因为它会极大地影响 MMIC 的热预算。80%Au/20%Sn 焊料已用于半导体应用超过 50 年，通常作为冲压预制件。然而，由于需要将 MMIC 芯片中的多个小块和焊料预制件对准到载体上，因此芯片粘接过程可能很繁琐且耗时。在芯片分离之前在整个晶圆上溅射沉积 AuSn 将大大简化芯片粘接过程。然而，溅射的 AuSn 成分对于正确的焊料回流至关重要。由于 Au 和 Sn 的溅射产率不同，AuSn 溅射靶材的化学性质和沉积的 AuSn 薄膜之间存在显著的成分变化 [参考文献 1]。下图 1 显示了 Au-Sn 相图。通过仔细控制溅射参数（功率、压力和氩气），我们能够从共晶成分溅射靶中沉积共晶 AuSn。制造共晶成分溅射靶要容易得多/便宜得多。
通过圆形平面磁控管上的动态等离子体运动实现“清洁”溅射靶材的工艺优势
• 大致分为小FFE（3”-8”靶材）和大FFE（10”-17”靶材） • 靶材利用率高，镀膜均匀性好 • 半导体、研发、贵金属溅射、光学
林德先进材料技术公司
我们长期以来一直致力于提供高品质产品，并精确控制纯度和微观结构，这是溅射靶材最有价值的两个特性。通过我们的研发努力，我们做出了多项创新改进，为我们的客户带来了诸多好处。这些好处包括减少膜内颗粒的产生、延长溅射寿命、提高 Rs 的均匀性以及在靶材的整个使用寿命期间保持一致的溅射性能。
使用深度学习对胶质母细胞瘤患者进行全自动脑切除腔描绘以定义放射靶体积
背景：自动脑肿瘤分割方法是一种计算算法，可从多模态磁共振成像 (MRI) 中勾画出肿瘤轮廓。我们介绍了一种使用深度学习 (DL) 技术对多形性胶质母细胞瘤 (GBM) 患者的切除腔 (RC) 进行自动分割的方法及其结果。方法：纳入 30 名 GBM 患者的术后、有无造影的 T1w、T2w 和液体衰减反转恢复 MRI 研究。三位放射肿瘤学家手动勾画了 RC 以获得参考分割。我们开发了一种 DL 腔分割方法，该方法利用所有四个 MRI 序列和参考分割来学习执行 RC 勾画。我们根据 Dice 系数 (DC) 和估计体积测量值评估了分割方法。
2024 年 5 月 14 日 JX Advanced Metals Corporation
JX先进金属集团中长期经营战略和经营目标 JX先进金属株式会社（社长：林洋一；“本公司”）更新了2023年5月公布的2023年至2025年度中期经营计划，并根据当前的举措和经营环境制定了中长期经营战略和经营目标。 为了确保这些战略和目标的实施和实现，JX先进金属株式会社及其子公司和附属公司（“本集团”）将作为半导体和ICT材料领域的全球领导者，共同努力，以先进材料为社会发展和创新做出贡献。 1.经营方针 2019年6月，本集团制定了长期愿景2040（2023年5月部分修订），并确立了基本方针。本集团从“流程工业型企业”转型为“技术型企业”，在日益激烈的国际竞争中，力争成为半导体和ICT材料领域的全球领导者，实现高利润结构，为实现可持续发展社会做出贡献。在这一方针下，我们将半导体材料部门和ICT材料部门组成的重点业务定位为增长战略的核心，开发先进材料领域的差异化技术，开拓市场，力争实现超过市场增长的利润增长。对于由金属和回收部门组成的基础业务，在最佳规模的业务结构下，我们旨在通过稳定供应铜和小金属来支持重点业务，同时为解决ESG问题做出贡献。 2. 经营环境展望 (1) 重点业务：半导体材料部门 2017年至2022年，半导体逻辑和存储器市场年均增长率为6.1%1。2023年市场继续调整。然而，展望未来，预计在生成式人工智能的增长以及电动汽车等产品日益普及的推动下，市场在2023年至2027年期间将以7.6%1的年均增长率增长。 由于半导体市场不断增长且主要客户计划开始运营新工厂，半导体溅射靶材的使用量预计会增加。半导体溅射靶材是公司在PVD 2 中使用的主要产品，用于制造逻辑和存储器等各种半导体器件。此外，随着需要多层化和小型化的先进半导体的发展，PVD 中半导体溅射靶材的使用量预计会增加，CVD 3 和 ALD 4 薄膜形成的需求也会增加。从中长期来看，预计小芯片的市场渗透率将提高，我们预计，在芯片间布线等应用领域，成膜需求将会扩大。
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先进材料。通过与冶炼和金属回收业务的跨部门合作，实现产品的稳定供应和质量改进。凭借强大的产品开发能力，该公司拥有许多享有高市场份额的产品，包括半导体溅射靶和压延铜箔。在金属和回收部门，佐贺关冶炼和精炼厂拥有日本最大的生产能力。该公司是 ENEOS Holdings, Inc. 的全资子公司，已提交在东京证券交易所上市的申请，预计未来将成为 ENEOS Holdings 的权益法子公司。母公司对公司的控制和参与程度将因此大幅降低，公司对母公司的管理重要性预计也会下降。JCR 预测母公司支持的可能性将下降，在评级中反映了公司的独立信用度。（2）整体表现开始好转，预计中期将有所改善。
测量半导体制造中的无机杂质
芯片制造中使用的其他材料也适合使用 ICP-MS 进行分析，包括金属有机化合物，例如三甲基镓 (TMG)、三甲基铝 (TMA)、二甲基锌 (DMZ)、四乙氧基硅烷 (TEOS) 和三氯硅烷 (TCS)。此类化合物是用于在金属有机化学气相沉积 (MOCVD) 和原子层沉积中生长薄金属膜或外延晶体层的前体。纯金属，例如 Al、Cu、Ti、Co、Ni、Ta、W 和 Hf，用作物理气相沉积 (PVD) 的溅射靶，以在晶圆表面形成薄金属膜。砷化氢气体 (AsH 3 ) 用作非硅半导体（例如 GaAs、AlGaAs 和 InGaAsN）的前体。高 k 介电材料包括 Zr、Hf、Sr、Ta 和稀土元素 (REE) 的氯化物和醇盐。这些材料中的每一种都有可接受的污染物水平限值，需要使用 ICP-MS 进行分析。