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Yole Développement - 电信基础设施射频前端 2022 – 聚焦移动网络 - 产品手册
Cédric Malaquin 是 Yole aéveloppement (Yole) 的 RF 设备和技术技术与市场分析师，参与技术与市场报告的开发以及定制咨询项目的制作。在加入 Yole 之前，Cédric 在 Soitec 担任工艺集成工程师九年，之后担任电气特性工程师六年。Cédrich 对 FDSOI 和 RFSOI 产品特性做出了重大贡献，并在半导体领域撰写或合作撰写了三项专利和五份国际出版物。Cédric 毕业于法国里尔理工学院，获得微电子和材料科学工程学位。简介关于作者
用于量子计算的超导射频谐振器：简要回顾
摘要。超导谐振器具有高品质因数，因此存储能量的衰减时间更长，因此可提供卓越的性能。这些超导谐振器的一个新兴应用是量子计算和量子信息科学，它使我们能够探索和深化对物质的理解，而这些发现可能无法通过传统计算和技术进行探索。量子处理架构使用在微波范围内工作的谐振器和互连电路，以及超导带状线技术和低噪声电子设备进行切换和通信。可以通过将这些设备嵌入三维谐振器中来延长相干时间，从而提高这些设备的性能，从而通过降低错误率并在量子态衰减之前允许更多操作（计算）来提高设备的实用性。在这里，我们简要回顾了当前用于量子计算的微波技术以及提高量子比特相干时间的进展。
职业军事场景中射频电磁场暴露评估：综述
摘要：（1）背景：目前使用的大多数设备都使用射频辐射，因此，对人体暴露于射频辐射的评估已成为一个备受关注的问题。即使在军事领域广泛使用射频设备，仍然缺乏对军事场景中人体电磁场暴露评估的清晰认识。（2）方法：对关于评估军事人员暴露于特定于军事环境的射频的科学文献进行了回顾。（3）结果：对科学文献进行了回顾，根据军事人员可能接触的军事设备的类型进行分组。根据军事设备的目的用途，它们分为四大类：通信设备、定位/监视设备、干扰器和电磁定向能武器。 (4) 讨论与结论：审查表明，在本文评估的暴露条件下，仅偶尔出现过度暴露的情况，而在大多数情况下，暴露量低于工人暴露限值。然而，由于研究数量有限，并且缺乏对某些设备的暴露评估研究，我们无法得出明确的结论，并鼓励对军事暴露评估进行进一步研究。
用于电力、射频、数字和量子计算应用的新兴 GaN 技术：最新进展和前景 /作者=Teo, Koon Hoo；Zhang, Yuhao；Chowdhury, Nadim；Rakheja, Shaloo；Ma, Rui；Xie, Qingyun；Yagyu, Eiji；Yamanaka, Koji；Li, Kexin；Palacios, Tomas /创建日期=2022 年 1 月 13 日 /主题=应用物理、电子和光子器件、机器学习、多物理建模
摘要 GaN 技术不仅在功率和射频电子领域获得广泛关注，而且还迅速扩展到其他应用领域，包括数字和量子计算电子。本文概述了未来的 GaN 器件技术和先进的建模方法，这些技术和方法可以在性能和可靠性方面突破这些应用的界限。虽然 GaN 功率器件最近已在 15-900 V 级实现商业化，但新的 GaN 器件对于探索高压和超低压功率应用非常有吸引力。在 RF 领域，超高频 GaN 器件正用于实现数字化功率放大器电路，并且可以预期使用硬件-软件协同设计方法将取得进一步的进展。GaN CMOS 技术即将问世，这是实现集成数字、功率和 RF 电子技术的全 GaN 平台的关键缺失部分。尽管目前是一个挑战，但高性能 p 型 GaN 技术对于实现高性能 GaN CMOS 电路至关重要。由于其出色的传输特性和通过极化掺杂产生自由载流子的能力，GaN 有望成为超低温和量子计算电子学的重要技术。最后，鉴于新设备和电路的硬件原型设计成本不断增加，使用高保真设备模型和数据驱动的建模方法进行技术电路协同设计预计将成为未来的趋势。在这方面，物理启发、数学稳健、计算负担较少和预测性的建模方法是必不可少的。凭借所有这些以及未来的努力，我们预计 GaN 将成为电子产品的下一个 Si。
黄道防御和空间 - 职位空缺：射频微波...
• 最好还具备雷达系统知识，但这不是必需的 • 监督开发硬件向生产过渡的经验，包括环境测试、资格测试和设计认证 • 有验证系统级功能的经验，最好查看 SW/FW 集成和验证 • 熟悉高数据带宽系统的实时数字信号处理 • 良好的沟通技巧，能够为外部客户提供高质量的书面报告和演示文稿 • 参与概念开发所有阶段的设计审查，以评估设计成熟度 • 在高可靠性设计环境（航空航天、航天、国防或类似环境）中工作的经验将非常有利 • 了解航天工业，包括相关标准和要求（ECSS 等）
射频集成电路 1 - UF ECE
第一周：RFIC 和通信电子简介，（RF 微电子学书籍和高频集成电路书籍的第 2 章） 第二周：器件建模（MOS 和 BJT RF 器件模型、晶体管操作、晶体管截止频率），（高频集成电路书籍的第 4 章） 第三周：器件建模、无源元件（电感器、电容、电阻性能和 RF 模型，（高频集成电路书籍的第 4 章和 RF 微电子学书籍的第 7 章） 其他一些参考文献： “MOS 晶体管的操作和建模”Yannis Tsividis、Mc-Graw Hill “用于 RFIC 设计的 MOS 晶体管建模”，Enz 等，IEEE Transaction on Solid- State Circuits，第 35 卷，2000 年 第 4 周：匹配网络的阻抗匹配和品质因数， 第五周：放大器的匹配网络、L 匹配、Pi 匹配、分布式放大器、反馈网络第六周 低噪声放大器（LNA）设计，（《射频微电子学》一书的第 5 章和《高频集成电路》一书的第 7 章） 第 7 周：带 CS、CG 级、具有电感衰减的 LNA，（《射频微电子学》一书的第 5 章和《高频集成电路》一书的第 7 章） 第 8 周：电路噪声分析（热噪声/闪烁噪声）噪声系数 第 9 周：线性和非线性（IM3- IM2）1dB 压缩、互调失真、截取点、交叉调制。期中考试 I 第 10 周：混频器和频率转换（混频器噪声）、无源转换、有源转换、I/Q 调制 PPF，（《高频集成电路》一书的第 9 章、《射频微电子学》一书的第 6 章） 第 11 周：不同的发射器/接收器架构。外差、同差、镜像抑制比 第 12 周：VCO 和振荡器：VCO 基础和基本原理、振荡器的反馈视图、交叉耦合振荡器（《高频集成电路》一书第 10 章、《射频微电子学》一书第 8 章）。 第 13 周：具有宽调谐范围和变容二极管 Q 值限制的压控振荡器、相位噪声概念和分析、低噪声 VCO 拓扑（《高频集成电路》一书第 10 章、《射频微电子学》一书第 8 章） 期中考试 II 第 14 周：用于 SNR、BER、EVM 和不同调制的收发器架构（《高频集成电路》一书第 10 章、《射频微电子学》一书第 8 章） 第 15 周：具有不同通信调制/解调的收发器架构和设计示例、注意事项/讲座 29 30 /发射机和接收机的一般考虑
飞秒产生射频辐射...
tions（UPPE）求解器[38]。这些结果与等离子体柱的整体尺寸相符，但也表明整个等离子体具有丰富的细尺度结构（正如我们在多丝状区域所预期的那样[39-41]）。在本文中，我们进行了简化，没有包括细尺度等离子体扰动。由于强度钳制，等离子体柱近似为具有恒定密度的中心核，然后沿径向下降 100μm，在外半径 r pl 处密度为零。速度分布由我们的 PIC 代码确定：给定 E（⃗x，t），空气以 W 速率电离[35]，新电子在脉冲的剩余部分中加速[28]（执行这些计算的代码包含在[31]中）。一般而言，速度分布受 γ = 1 附近强场电离细节（例如 [ 42 ]）和成丝过程中激光脉冲变形的影响。在本文中，我们进一步简化并假设电子以零初始速度电离，然后由高斯脉冲的剩余部分加速（具有 ˆ x 极化并在 + z 方向上传播）。整体而言，初始 N e 是高度非麦克斯韦的，在 100 Torr 时具有峰值动能 K tail ≃ 5 eV，平均动能 K avg ≃ 0. 6 eV，而在 1 Torr 时这些值增加到 K tail ≃ 16 eV 和 K avg ≃ 2 eV。对于 3.9 µ m 激光器，动能大约大 25 倍，因为激光强度相当且能量按 λ 2 缩放。接下来我们考虑等离子体柱的演变。给定 N e ，我们构造等离子体的横向薄片，在纵向 ˆ z 使用周期性边界条件（由于电子速度只是 c 的一小部分，因此这对领先阶有效），并使用我们的 PIC 代码模拟径向演变。德拜长度相当小：λ Debye ≃ 10 nm，因此我们使用能量守恒方法 [43] 来计算洛伦兹力。电子-中性弹性碰撞频率 ν eN 取决于 O 2 和 N 2 的截面，对于我们的能量来说大约为 10 ˚ A 2 [44]。反过来，电子-离子动量转移碰撞频率由 ν ei = 7 给出。 7 × 10 − 12 ne ln(Λ C ) /K 3 / 2 eV ，其中 Λ C = 6 πn e λ 3 Debye [45]。然后将得到的径向电流密度 J r 和电子密度 ne 记录为半径和时间的函数（更多详细信息可参见 [31] 的第 3 部分）。这些结果可以很好地分辨，网格分辨率为 ∆ x = ∆ y = 2 µ m，等离子体外缘的大粒子权重为 ∼ 10。图 1 中给出了 100、10 和 1 Torr 下 PW 模拟中λ = 800 nm 的电子数密度。t = 0 时等离子体外缘具有简化的阶跃函数轮廓，在半径 r pl = 0 处 ne = 10 20 m − 3。 5 毫米。因此，除了从等离子体边缘发射出脉冲波外，在内部激发出约 90 GHz 的相干径向等离子体频率振荡 [ 46 ]，在表面激发出约 63 GHz 的 SPP [ 33 , 34 , 47 ]。扩展到中性大气中的 PW（r > r pl）对密度不敏感
射频和调制系统—第 1 部分
前言 本文件是空间数据系统咨询委员会 (CCSDS) 制定的一套技术建议，旨在供参与空间机构在开发地面站和航天器的射频和调制系统时使用。这些建议允许每个机构内的实施组织以连贯的方式制定其管辖范围内的飞行和地面系统的兼容标准。从这些建议中衍生的机构标准可能只实现此处建议允许的可选功能子集，也可能包含建议未涉及的功能。为了建立一个机构可以开发标准化通信服务的共同框架，CCSDS 提倡采用分层系统架构。这些建议涉及数据系统的物理层。在物理层内，还有其他层，涵盖与射频和调制系统提供的通信服务有关的技术特性、政策约束和程序要素。本文件中包含的建议已分为代表技术、政策和程序事项的单独部分。这些无线电频率和调制系统建议书第 1 部分：地面站和航天器是为具有中等通信要求的常规近地和深空任务而制定的。第 2 部分将涉及数据中继卫星，并将满足需要本文档所涵盖的地面站未提供的服务的用户的需求。CCSDS 将继续制定第 1 部分：地面站和航天器的建议书，以确保反映新技术和当前的操作环境。未来制定的第 1 部分的新建议书将采用相同的格式，并旨在插入本书中。本文件的持有者应定期向 CCSDS 秘书处查询，地址为第 i 页，以确保他们的书是最新的。在正常发展过程中，预计本文件可能会扩展、删除或修改。因此，本推荐标准受 CCSDS 文件管理和变更控制程序的约束，这些程序在空间数据系统咨询委员会的组织和流程 (CCSDS A02.1-Y-4) 中定义。 CCSDS 文档的当前版本在 CCSDS 网站上维护：
低功率传感器的射频能量收集
摘要：无线传感器网络和物联网受益于近年来功耗方面的进步，以实现智能控制实体。电池技术的类似进步使这些系统变得自主。然而，这种方法不足以满足现代应用的需求。为这些传感器供电的另一种解决方案是使用其环境中可用的能量，例如热能、机械振动、光能或无线电频率。然而，传感器通常放置在功率密度较低的环境中。本研究调查了与其他来源相比的无线电频率能量收集。在展示了在宽频带上收集能量的潜力后，进行了一项统计研究，以确定城市环境和农村地区的射频功率密度。多频带射频收集器系统旨在收集多个频带中的能量，以显示何时有多个射频源可用。当系统设计为在宽频带上运行时，可以增加收集的能量量。在本研究中，使用高级设计软件 (ADS) 制作了为无线传感器供电的多频带射频能量收集器。根据设计结果，所提出的能源收集方案在 GSM900 和 GSM1800 频段上效果更好。 关键词：能源收集器；无线网络；无线电源 1 引言 如今，监控我们所处环境的需求越来越重要，这使我们能够管理自己的行为；一个典型的例子就是天气预报。 现代传感器是小型、独立的设备，可对其周围环境进行简单的测量。 它们用于观察许多物理现象，如温度、压力、亮度等，这对于许多工业和科学应用至关重要。 传感器的作用是将物理量转换为可利用的电量，例如计算机可用的数字信号。 接口可以通过有线链路或无线方式进行，多年来一直如此。 同时，微电子和微机械领域的最新进展使得能够以合理的成本生产体积为几立方毫米的组件，同时功耗要求不断降低。微型传感器可以制成一个完整的嵌入式系统，部署多个微型传感器以自主方式收集环境数据并将其传输到一个或多个收集点，从而形成无线传感器网络 (WSN)。为这些传感器供电的传统方式是使用电池，但电池的能量有限，耗尽时需要更换。更换电池的维护成本可能很高，尤其是对于位于难以接近位置的传感器。在这种情况下，另一种自供电方式将是有利的，而能量收集则提供了这一潜力。1.1 能量收集 用于为传感器供电的能量收集系统由五个不同的模块组成，如图 1 所示。系统的第一级是能量传感器。它提供物理量作为输出，可用作能量转换级的输入。传感器的工作原理基于物理或化学效应。主要有六类：热、机械、光学、磁、电和化学 [1]。