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电信管制射频器材型式认证证明
Jun 9, 2024 — (2) Hana Microelectronics Public Co.,Ltd. 四、器材名称: xPico 200 Series Embedded Wi-Fi Gateway. 五、厂. 六、型. 牌: LANTRONIX. 号: xPico 240. 七、发射功率(电场 ...
设计和制造射频功率放大器 (SSPA) 和高功率微波发生器
• 放大器从低频到 40GHz • 功率从 1W 到 100kW • A 类和 AB 类放大器 • CW/脉冲 • 内置不同形式 - 模块、机架或定制外壳 • 内置保护、启用/禁用输入、高反向隔离和更多功能 • 选项
1.7 GHz长期进化射频电磁场具有稳定的功率监测和有效的热控制对各种人类细胞类型的增殖没有影响
长期进化（LTE）射频电磁场（RF-EMF）广泛用于通信技术。因此，RF-EMF对生物系统的影响是一个主要的公众关注，其生理影响仍然存在争议。在我们先前的研究中，我们表明，各种人类细胞类型的连续暴露于1.7 GHz LTE RF-EMF以2 W/kg的特定吸收率（SAR）持续72小时可以诱导细胞鼻塞。为了了解LTE RF-EMF的精确细胞效应，我们详细阐述了先前研究中使用的1.7 GHz RF-EMF细胞暴露系统，它通过替换RF信号发生器并开发了基于软件的反馈系统来提高暴露功率稳定性。1.7 GHz LTE RF-EMF发电机的这种完善促进了RF-EMF暴露的自动调节，即使在72 h-h-fipsues期间，也将目标功率水平保持在3％的范围内和恒定温度。通过改进的实验设置，我们检查了在人脂肪组织衍生的干细胞（ASC），HUH7，HELA和大鼠B103细胞中连续暴露于1.7 GHz LTE RF- EMF的效果。令人惊讶的是，与未暴露的控制相比，所有细胞类型的增殖都没有显着变化。此外，在1.7 GHz LTE RF-EMF暴露的细胞中均未观察到DNA损伤和细胞周期扰动。但是，当关闭热控制系统并且在连续暴露于8 W/kg LTE RF-EMF的SAR期间，未控制RF-EMF诱导的随后温度升高时，细胞增殖在最大值时增加了35.2％。这些观察结果强烈表明，归因于1.7 GHz LTE RF-EMF暴露的细胞效应主要是由于诱导的热变化而不是RF-EMF的暴露本身。
深入研究各种晶圆类型以实现射频最佳性能
高击穿电压：GaN器件可以处理高电压 高电子迁移率：GaN晶体管用于无线通信的功率放大器 高电子迁移率：GaAs表现出优异的电子传输特性，使其适用于高频应用 低噪声系数：基于GaAs的器件通常用于敏感RF接收器的低噪声放大器（LNA） 高功率处理能力：GaAs功率放大器在RF通信系统中普遍存在。
通过 SUMMA 基金会的镜头看高功率射频 (HPRF)*
SUMMA 基金会由已故的 Carl E. Baum 博士于 1973 年创立，是一家注册的慈善组织，旨在促进高功率电磁学 (HPEM)（也称为 HPRF）领域的科学和教育活动。HPEM 领域源于对高空电磁脉冲 (EMP) 的研究，并发展为研究超宽带 (UWB) 辐射源（现称为中波段辐射）和窄带高功率微波 (HPM) 辐射源（现称为低波段辐射）。如今，该领域包括故意电磁干扰 (IEMI) 源，这对民用基础设施以及各国军队都构成了威胁。SUMMA 基金会于 1973 年首次赞助核 EMP (NEM) 会议，该会议于 1978 年成为两年一次的会议。1994 年，会议在欧洲（法国波尔多）举行，并被命名为 EUROEM。1996 年，会议返回北美，并将其名称从 NEM 更改为 AMEREM。2015 年，该会议在亚洲（韩国济州）举行，并被命名为 ASIAEM。2022 年，在 COVID 大流行之后，会议在阿联酋阿布扎比举行，并被命名为 GLOBALEM。所有后续会议都将被命名为 GLOBALEM，其中 GLOBALEM 2024 将于 2024 年 7 月 14 日至 19 日在美国德克萨斯州奥斯汀举行，由 ETS-Lindgren 主办，后续会议将每两年举行一次。本次演讲将介绍 SUMMA 基金会在国际上倡导 HPRF 研究的活动。此外，本次演讲还将讨论 SUMMA 基金会的工作与 HPRF 发展之间的协同作用。
医疗政策 - 脊柱手术：使用激光能量或射频消融（核成形术）的经皮椎间盘减压
激光能量（激光椎间盘切除术）或射频偶联（核成形术）描述/背景激光能（激光盘切除术）和辐射频（RF）共振成形术（核成形术）已被评估以减轻椎间盘的解压缩。在荧光镜指导下激光椎间盘切除术，将针或导管插入椎间盘核中，并通过其指向激光束以使组织蒸发。对于椎间盘核成形术，双极射频能量被指向椎间盘上浸泡组织。正在评估这些微创手术以治疗椎间盘痛。椎间盘底部疼痛盘状下腰痛是一种常见的多因素疼痛综合征，涉及腰痛而没有辐射症状的发现，并结合了放射学确认的退行性椎间盘疾病。典型的治疗包括对物理疗法和药物治疗的保守治疗，在更严重的情况下可能会进行手术减压。治疗典型治疗包括对物理疗法和药物管理的保守治疗，在更严重的情况下可能会进行手术减压。多年来，随着与椎间盘疾病相关的下腰痛的治疗，已经研究了多种微创技术。技术可以广泛分为旨在去除或烧毁盘材料的技术，从而对盘进行解压缩，以及旨在改变盘环的生物力学的技术。前一种类别包括葡萄球蛋白注射，自动经皮腰椎椎间盘切除术，激光椎间盘切除术，以及最近使用RF能量的椎间盘减压，被称为椎间盘核成形术。
2.4GHz 无线射频收发器模块
RFM99-S2是一款高性价比的超低功耗、高灵敏度、远距离通信的射频收发模块。该模块工作在2400~2483,5MHz频率范围内，提供高效的蓝牙兼容调制方式，可大大增加通信距离，并可兼容蓝牙协议。
手术修改深部脑刺激导线轨迹对 3T MRI 射频加热的影响：从幻像实验到 cl
目的：深部脑刺激 (DBS) 导线周围的射频 (RF) 组织发热是 MRI 期间众所周知的安全风险，因此需要制定严格的成像指南并限制允许的方案。植入导线相对于 MRI 电场的轨迹和方向导致不同患者的 RF 发热程度存在差异。目前，没有针对植入 DBS 导线颅外部分的手术要求，这导致临床导线轨迹和 RF 发热存在很大差异。最近的研究表明，在颅外导线轨迹中加入同心环可以减少 RF 发热。然而，环的最佳定位和轨迹修改在 MRI 期间增加安全裕度方面的量化效益仍然未知。在本研究中，作者系统地评估了可在 3T MRI 期间最大限度减少 RF 发热的 DBS 导线轨迹的特征，以制定安全进行术后 MRI 的最佳手术实践，并且他们介绍了这些修改后轨迹的首次手术实施方式。方法作者进行了实验来评估 244 种不同导线轨迹的最大温升。他们研究了同心环的位置、数量和大小对颅骨的影响。实验是在植入商用 DBS 系统的拟人模型中进行的，通过应用高特定吸收率序列（B 1+rms = 2.7 µ T）产生射频暴露。作者进行了重测实验来评估测量的可靠性。此外，他们还评估了成像标志和 DBS 设备配置扰动对低加热轨迹功效的影响。最后，两名神经外科医生在患者体内植入了推荐的修改轨迹，作者通过与未修改轨迹的比较来表征他们的射频加热。结果 最高温度升高范围为 0.09 ° C 至 7.34 ° C。作者发现，增加环路数量并将其放置在更靠近手术钻孔的位置，特别是对于对侧导线，可以大大降低射频加热。这些轨迹修改在手术过程中很容易融入，并将射频加热降低了三倍。结论 通过手术修改 DBS 导线轨迹的颅外部分可以大大降低 3T MRI 期间的射频加热。作者的结果表明，在 DBS 导线植入过程中可以很容易地对导线配置进行简单的调整，例如在钻孔附近设置小的同心环，以提高 MRI 期间患者的安全性。
用于国防、医疗、航空航天、EMC 测试、商业、工业和研究应用的固态射频放大器
我们专注于固态射频和微波功率放大技术，高度重视客户满意度。利用我们内部的射频工程专家团队和先进的生产设施，我们制造出高达 40GHz 和 100kW 功率的强大射频放大器。从定制要求到现成供应，我们与客户合作，提供具有行业领先保修的经济高效的放大器。请参阅以下我们的热门型号，并与我们联系以讨论您的定制要求。