强度有助于确定与相动力学(n、k 和活化能 E a )和伴随生长相关的各种参数。钙钛矿的有效活化能
摘要 本研究采用射频磁控溅射技术在SiO2/Si基底上沉积铝(Al)薄膜,以分析射频溅射功率对微结构表面形貌的影响。采用不同的溅射射频功率(100–400 W)来沉积Al薄膜。利用X射线衍射图(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和傅里叶变换红外(FTIR)光谱研究了沉积Al薄膜的特性。X射线衍射(XRD)结果表明,低溅射功率下沉积的薄膜具有非晶性质。随着溅射功率的增加,可以观察到结晶。AFM分析结果表明,300 W的射频功率是生长最光滑Al薄膜的最佳溅射功率。FTIR结果表明,不同的射频功率影响沉积薄膜的化学结构。 SEM结果表明,随着溅射功率的增加,基体表面形成了孤立的纹理。总之,射频功率对沉积薄膜的性质,特别是结晶和形状有显著的影响。
材料特性 材料制造和加工 电子显微镜 (SEM、TEM、STEM) 胶体纳米晶体合成 光谱 (UV-Vis-NIR、FTIR、Raman、XAS) 热注射和慢速注射合成 元素分析 (ICP-AES、EDX、XPS) 配体交换和表面改性 动态光散射 刮刀涂布和旋涂 粉末 X 射线衍射 射频溅射 AC/DC 电子测量 电子顺磁共振光谱 光谱椭圆偏振法 光谱电化学
摘要:无机选择性接触和卤化物钙钛矿 (HaPs) 之间的界面可能是使用这些材料制造稳定且可重复的太阳能电池的最大挑战。NiO x 是一种具有吸引力的空穴传输层,因为它适合 HaPs 的电子结构,而且高度稳定且可以低成本生产。此外,NiO x 可以通过可扩展且可控的物理沉积方法(如射频溅射)制造,以促进可扩展、无溶剂、真空沉积的基于 HaP 的太阳能电池 (PSC) 的探索。然而,NiO x 和 HaPs 之间的界面仍然无法得到很好的控制,这有时会导致缺乏稳定性和 V oc 损失。在这里,我们使用射频溅射来制造 NiO x,然后在不破坏真空的情况下用 Ni y N 层覆盖它。Ni y N 层在 PSC 生产过程中对 NiO x 进行双重保护。首先,Ni y N 层保护 NiO x 免受 Ar 等离子体将 Ni 3+ 物种还原为 Ni 2+ 的影响,从而保持 NiO x 的导电性。其次,它钝化了 NiO x 和 HaPs 之间的界面,保持了 PSC 的长期稳定性。这种双重效应将 PSC 效率从平均 16.5%(创纪录电池 17.4%)提高到平均 19%(创纪录电池 19.8%),并提高了器件稳定性。关键词:卤化物钙钛矿、太阳能电池、氧化镍、氮化镍、钝化、界面■简介
我们首次报告了 50 MeV Li 3+ 离子辐照对串联电阻和界面态密度的频率依赖性影响的研究,这些影响是由射频溅射制备的 HfO 2 基 MOS 电容器的电容-电压 (C-V) 和电导-电压 (G-V) 特性确定的。样品在室温下用 50 MeV Li 3+ 离子辐照。测得的电容和电导已根据串联电阻进行校正。在辐照之前和之后,在 1 KHz 至 1 MHz 的不同频率下估算了串联电阻。观察到串联电阻在辐照前随频率从 6344.5 降低到 322 欧姆,在辐照后降低到 8954-134 欧姆。界面态密度D it 由辐照前的1.12×10 12 eV 1 cm 2 降至3.67×10 11 eV 1 cm 2
研究了快速热退火对射频溅射系统沉积的高 k HfO 2 超薄膜结构和电学性能的影响。分别在氧气和氮气环境下研究了薄膜特性以获得最佳快速热退火温度,以获得作为 MOS 器件结构的最佳电学效果。使用傅里叶变换红外光谱 (FT-IR) 详细研究了温度诱导退火对 HfO 2 /Si 界面的影响。分别通过椭圆偏振仪、XRD 和 AFM 研究了薄膜厚度、成分和微观结构,并显示了退火对这些参数的影响。采用 Si/HfO 2 /Si MOS 电容器结构研究了退火电介质薄膜的 I-V 和 C-V 特性。结果表明,在氮气环境下采用快速热退火 (RTA) 的 HfO 2 /Si 堆栈比在氧气环境下表现出更好的物理和电学性能。结果表明,RTA 改善了 HfO 2 /Si 的界面特性和 HfO 2 超薄膜的致密化。在氮气和氧气中分别以 700 C 退火后,沉积的薄膜为非晶态和正交晶系。我们发现,氮气退火样品的等效氧化物厚度、界面态密度、电容-电压滞后和漏电流均有所降低;此外,在正电压偏置和温度应力下,电荷俘获也几乎可以忽略不计。本文对结果进行了介绍和讨论。2011 Elsevier BV 保留所有权利。