摘要:本文研究了硅基Al 2 O 3 在γ射线下的辐照响应,对原子层沉积的Al 2 O 3 基金属氧化物半导体结构进行γ射线辐照,总剂量为1.2 Mrad(Si)/2.5 Mrad(Si)/4 Mrad(Si),采用电子、物理和化学方法研究了辐射感生电荷的产生、传输和捕获特性。首先,Al 2 O 3 中辐射感生捕获电荷密度高达10 12 cm − 2 ,辐照下有效捕获效率为7–20%;其次,随着辐射总剂量的增加,通过Al 2 O 3 的漏电流变化不大。第三,Al 2 O 3 中的氧空位、Al 2 O 3 /Si界面处的O悬空键和Al-Si金属键是Al 2 O 3 /Si体系中主要的辐照诱导缺陷,辐照后Al 2 O 3 与Si之间的价带偏移减小。从漏电流和结晶特性可以看出Al 2 O 3 具有抗辐照性能,但Al 2 O 3 /Si结构中辐照诱导的电荷捕获和新缺陷不容忽视。本文为Al 2 O 3 基MOS器件的空间应用提供了参考。
资料来源:美国人口普查局;美国劳工统计局;美国经济分析局。数据通过 data.census.gov、Moody's Economy.com 或直接从来源获取。*注:用于比较。
国会关于债务上限的行动似乎太熟悉了,甚至有点令人恐惧。汉普顿路居民会记得,2011 年的《预算控制法案》将债务上限提高了 1.2 万亿美元,以换取十年内等量的支出削减。当国会无法就削减开支的立法达成一致时,2013 年实施了自动全面削减开支的程序,即所谓的预算封存。虽然多年来实施了几项修正案来提高《预算控制法案》下的开支上限,但预算封存导致可自由支配的国防开支大幅削减。从 2012 年到 2015 年,可自由支配的国防开支下降了 850 多亿美元。预算封存对国民经济造成了损害,在经济大衰退之后削弱了经济增长,但对汉普顿路的经济而言,更是毁灭性的。该地区约 40% 的经济活动直接或间接与国防部 (DoD) 开支有关。该地区经通胀调整后的GDP花了十多年的时间才超过大衰退之前的水平。