在本文中,我们提出了一种新型的Hadamard Trans-form-基于基于量子量子量子计算的神经网络层。它在Hadamard变换域中实现了常规卷积层。这个想法基于HT卷积定理,该定理指出,两个向量之间的二元卷积等于其HT表示的元素乘法。计算HT仅仅是在每个量子位上应用于每个量子的应用,因此我们提出的层的HT计算可以在量子计算机上实现。与常规Conv2D层相比,所提出的HT- perceptron层在计算上更有效。与CNN相比具有相同数量的可训练参数和99.26%的测试准确性,我们的HT网络达到99.31%的测试效果,而MNIST数据集中降低了57.1%的MAC;在我们的ImagEnet-1K实验中,我们的基于HT的RESNET-50超过了基线RESNET-50的准确性,使用少11.5%的参数,而MAC少12.6%。
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摘要:少突胶质细胞祖细胞(OPC)代表神经胶质的亚型,引起中枢神经系统(CNS)中的髓磷脂形成细胞(CNS)。虽然OPC在开发过程中具有很高的增殖,但在成年期,它们的命运受到细胞外环境的严格影响,它们变得相对静止。在创伤性损伤和慢性神经退行性疾病中,包括自身免疫原状,少突胶质细胞发生细胞凋亡和脱髓鞘开始。成人OPC立即被激活;它们在病变部位迁移并扩散以补充受损区域,但它们的效率受到神经胶质疤痕的障碍,这主要是由反应性星形胶质细胞,小胶质细胞和抑制性细胞外基质成分的沉积所形成的屏障。一方面,神经胶质疤痕限制了病变的扩散,它也会阻止组织再生。旨在减少星形胶质细胞或小胶质细胞激活并将其转移到神经保护表型的治疗策略已被提出,而OPC的作用在很大程度上被忽略了。在这篇综述中,我们从OPC的角度考虑了神经胶质疤痕,分析其行为时,当病变起源并探索旨在维持OPC的潜在疗法时,以有效地区分和促进remer髓。
摘要 — 低增益雪崩二极管(LGAD)用于高粒度定时探测器(HGTD),它将用于升级 ATLAS 实验。首批 IHEP-IME LGAD 传感器由高能物理研究所(IHEP)设计,微电子研究所(IME)制造。三个 IHEP-IME 传感器(W1、W7 和 W8)接受中子辐照,辐照剂量高达 2.5 × 10 15 n eq / cm 2,以研究中子浅碳和深 N++ 层对辐照硬度的影响。以 W7 为参考,W1 施加了额外的浅碳,W8 具有更深的 N++ 层。在Bete望远镜测试中测得的3个IHEP-IME传感器的漏电流、收集电荷和时间分辨率均满足HGTD的要求(在2.5×1015neq/cm2辐照剂量后<125µA/cm2、>4fC和<70ps)。碳层较浅的W1传感器抗辐射能力最强,N++层较深的W8传感器抗辐射能力最差。
该项目是由美国能源部国家能源技术实验室资助的部分,部分是通过现场支持合同资助的。美国政府,其任何机构,其任何雇员,支持承包商,或其任何雇员既不对任何信息,设备,产品或程序所披露的任何法律责任或责任,或承担任何法律责任或责任,或者承担任何法律责任或责任,或者表示其使用均不将使用其使用,或者代表其使用不会侵权私人权利。在此引用以商业名称,商标,制造商或其他方式参考任何特定的商业产品,流程或服务。本文所表达的作者的观点和观点不一定陈述或反映美国政府或其任何机构的观点和意见。
原子层沉积 (ALD) 是一种薄膜沉积技术,已广泛应用于半导体行业,用于生产微电子和其他设备。ALD 的独特之处在于它通过一次沉积一层原子层来精确均匀地沉积材料层。本文全面概述了 ALD,包括其历史、原理、应用和当前的最新研究成果。随着各行各业对高质量薄膜的需求不断增加,ALD 的前景一片光明,使其成为生产先进设备和系统的有前途的技术。
摘要我们研究了在野外尺度上逼真的粗糙裂缝的正常刚度和渗透性如何在其闭合期间与渗透阈值相连和进化。我们将方法基于裂缝粗糙度的良好建立的自我植入几何模型,事实证明,这是从实验室到多公斤级尺度的相关代理。我们探索了它对储层尺度开放渠道中断裂孔的影响。我们使用驼鹿/魔像框架在有限元模型上建立了方法,并在256×256×256 m 3的数值流通实验中进行数值直通实验,3花岗岩储层在可变的正常载荷条件下,在可变的正常载荷条件下,该储存在单个,部分密封的裂缝下。Navier -Stokes流动在嵌入的3二维粗断裂中求解,而Darcy流则在周围的毛弹性基质中求解。我们研究裂缝闭合过程中断裂岩系统的机械刚度和流体通透性的演变,包括影响接触表面几何形状(如浅薄的产量)和沉积在粗糙片段开放空间中的裂缝填充物质的机制。在很大程度上观察到的刚度特征与裂缝表面的自我伴侣特性有关。当施加压力梯度的两个正交方向上超过两个正交方向时,可以证明断裂通透性的强各向异性。,我们提出了一项基于物理的定律,以随着渗透性的降低而以指数呈刚度的指数增加形式的僵硬和渗透性的演变。
DOI:10.1002/((请添加稿件编号)) 文章类型:综述 改善水系多价金属离子电池层状结构正极的策略 吴晨,谭辉腾,黄文静,刘春泰,魏伟峰,陈利宝*,闫庆宇* 吴晨,中南大学粉末冶金国家重点实验室,长沙 410083,中国。 南洋理工大学材料科学与工程学院,新加坡 639798,新加坡。 谭辉腾博士、黄文静博士,南洋理工大学材料科学与工程学院,新加坡 639798,新加坡。 刘春泰 郑州大学材料加工与模具教育部重点实验室,郑州 450002,中国。 魏伟峰教授、陈利宝教授,中南大学粉末冶金国家重点实验室,长沙 410083,中国。电子邮件:lbchen@csu.edu.cn 严庆宇教授,南洋理工大学材料科学与工程学院,新加坡 639798,新加坡。电子邮件:alexyan@ntu.edu.sg 关键词:多价金属离子电池、形态工程、结构工程、电解质工程 亮点