本文介绍了一种具有新颖像素结构的自供电异步传感器。像素是自主的,可以独立收集或感应能量。在图像采集过程中,一旦像素感应到其局部照明水平,它们就会切换到收集操作模式。使用所提出的像素架构,大多数发光像素都会为传感器提供早期供电,而低照度像素则会花费更多时间感应其局部照明。因此,等效帧速率高于传统自供电传感器提供的帧速率,后者在独立阶段收集和感应照明。所提出的传感器使用首次尖峰时间读数,允许在图像质量和数据与带宽消耗之间进行权衡。该设备具有动态范围为 80 dB 的 HDR 操作。像素功耗仅为 70 pW。本文详细介绍了传感器和像素的架构。提供并讨论了实验结果。传感器规格与现有技术进行了对比。
通过开关关闭。BS 5839-6 states that: For mains powered alarms, each with an integral standby supply (Grade D)1, the mains electricity supply should take the form of either a) an independent circuit at the dwelling's main circuit board, in which case no other electrical equipment should be connected to this circuit (other than a dedicated monitoring device installed to indicate failure of the mains electricity supply to the alarms);或b)单独使用的电力,定期使用的局部照明电路。
横向效应对大型串联太阳能电池 EQE 测量的影响 S. Kasimir Reichmuth 1,2 , A. Fell 1,3 , G. Siefer 1 , M. Schachtner 1 , D. Chojniak 1 , O. Fischer 1,2 , M. Mühleis 1 , M. Rauer 1 , J. Hohl-Ebinger 1 , MC Schubert 1 1 弗劳恩霍夫太阳能系统研究所 ISE, Heidenhofstrasse 2, 79110 弗莱堡, 德国 电子邮件: kasimir.reichmuth@ise.fraunhofer.de, 2 Albert-Ludwigs-University, INATECH, Emmy-Noether-Strasse 2, 79110 弗莱堡, 德国 3 AF模拟,Landstr。 33a,79232 年 3 月,德国 摘要:大规模钙钛矿/硅 (PSC/Si) 串联太阳能电池中的横向不均匀电池参数可能会显著影响器件性能。可以使用电致发光 (EL)、光致发光 (PL) 和热成像方法来分析吸收器的横向质量。除了对电池性能的整体影响外,这种横向效应通常不会在串联器件的 EQE 和 IV 特性中考虑,但可能会导致错误的测量结果。因此,我们认为有必要采用大面积 3D PSC/Si 串联模拟来了解横向不均匀性的影响,以及与非理想测量条件(例如太阳能电池的小面积或不均匀照明)的相互作用。我们使用 3D 模拟软件 Quokka3 的串联插件进行全电池 3D 串联模拟,该软件使用“等效电路”模型处理钙钛矿顶部电池表层,也可以处理 Si 底部电池,而不是求解漂移扩散模型。我们通过模拟和实验来量化非均匀电池特性(例如低局部分流电阻或电池吸收器的不均匀性)在 EQE 测量期间与照明和偏置条件相互作用的影响。通过模拟深入了解横向效应特别有趣,因为在通常亚稳态的 PSC/Si 串联电池中对此类详细效应进行实验研究极具挑战性。关键词:多结太阳能电池、校准、模拟、钙钛矿、III-V 族半导体 1 引言 最近,钙钛矿/硅串联电池 (PSC/Si) 在实验室大小样品中显示出 31.25% [1] 的效率,并且 6 英寸晶圆级 PSC/Si 已认证的效率为 26.8 ±1.2 % [2]。同时,首次商业化已宣布将于今年进行,旨在扩大尺寸和提高产量 [3]。在工业实施中,为实验室大小的电池建立的工艺适用于大规模产出。与小型实验室电池相比,横向效应对于全晶圆大小的电池可能更为重要。这可以解释在扩大规模过程中钙钛矿吸收剂的效率下降的原因 [4]。空间不均匀性对电池性能和这些电池的特性都有影响,例如,如果这些方法仅依赖于局部照明而不分析器件的整个区域,则会产生很大的误差。这对于 EQE 和 IV 特性至关重要,因为这可能会使结果与真实特性产生很大偏差,从而导致误解甚至误导电池开发。为了展示其重要性,我们通过实验和模拟,以局部和全照明 EQE 测量为例,研究了横向效应的影响。除了可能由不均匀的薄膜厚度引起的光学横向不均匀性之外,我们还研究了进一步/更复杂的电气 EQE 测量伪影的影响。这种伪影在两端多结器件中很常见,是由低分流电阻(R 分流)或反向击穿特性引起的 [5–7],并且取决于偏置电压和偏置照明的光谱辐照度。借助最近发布的 3D 太阳能电池模拟工具 Quokka3 的串联功能,我们研究了局部分流等横向缺陷如何影响这种 EQE 伪影。