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World File Search System层状畴
材料化学杂志 C 接受的手稿
b - 环氧乙烷）和聚（苯乙烯- b - 甲基丙烯酸甲酯）。5-7 据报道，这些 BCP 的最小层状畴间距分别为 16 nm 和 17.5 nm 全螺距。8,9 为了进一步将此限制缩小到 10 nm 以下的域大小，已报道了基于使用高 χ 嵌段的各种策略。例如，Jo 等人报道了含有半螺距为 5 nm 的 BCP 的三氟乙基丙烯酸酯本体薄膜，10 而 Hancox 等人建议使用氟化长链引发剂作为第一个嵌段来合成极性聚（丙烯酸），其呈现 3.8 nm 半螺距的层状形态。11 此外，Woo 等人报道了在 PS 和 PMMA 嵌段之间使用短甲基丙烯酸嵌段来获得亚 10 nm 域。12
材料化学杂志 C 接受的手稿
b - 环氧乙烷）和聚（苯乙烯- b - 甲基丙烯酸甲酯）。5-7 据报道，这些 BCP 的最小层状畴间距分别为 16 nm 和 17.5 nm 全螺距。8,9 为了进一步将此限制缩小到 10 nm 以下的域大小，已报道了基于使用高 χ 嵌段的各种策略。例如，Jo 等人报道了含有半螺距为 5 nm 的 BCP 的三氟乙基丙烯酸酯本体薄膜，10 而 Hancox 等人建议使用氟化长链引发剂作为第一个嵌段来合成极性聚（丙烯酸），其呈现 3.8 nm 半螺距的层状形态。11 此外，Woo 等人报道了在 PS 和 PMMA 嵌段之间使用短甲基丙烯酸嵌段来获得亚 10 nm 域。12
通过快速热退火，辅以嵌段共聚物薄膜中的液晶排序，在多功能基底上形成垂直排列的纳米域
除极少数例外情况外，这都是必要的。32,33 由于 c 值低，该系统的特征尺寸很难达到 22 纳米以下。26,34 因此，人们对这种 BCP 以及包含相关片段的相关 BCP 进行了广泛关注，以提高其在下一代光刻技术中的性能。35,36 然而，到目前为止，通过在低温下快速热退火（例如几分钟）在多功能基底上的小特征尺寸的 BCP 薄膜内获得正常排列的圆柱形或层状畴仍然是一项艰巨的挑战。此前，一些研究小组报道，聚甲基丙烯酸酯疏水嵌段（表示为 PMA(Az)）侧链中含偶氮苯的液晶 (LC) 链段有助于通过热退火或溶剂退火形成正常排列的圆柱形微区 37 – 39，包括聚环氧乙烷 (PEO) 40 – 42 和聚 (4-乙烯基吡啶) (P4VP) 43。对于这些 BCP，圆柱体的相窗口相当宽。此外，P4VP- b -PMA(Az) 薄膜需要长期溶剂退火，43 这不适合用于下一代光刻技术。而且，这些 BCP 的蚀刻选择性不足。44,45