ISSN 标题 STRATE 21775141 (NT) 翻译文学杂志 22375953 (重新)思考法律 B4 24093823 [C]COMPASSESWORLD:建筑和室内设计国际网络 |中东 NP 24694312 [IN] 过渡 B2 23187344 @巴西教育登记册 23280662 # ISOJ 杂志 C 22380272 #10.ART NP 19839537 14TH NP 1981030X 19&20(里约热内卢) B1 23179953 1ST 分析 - SEADE NP 00942898 2010 第 42 届东南系统理论研讨会 (SSST) NP 22364285 20TH。 COMPÓS NP 20531583 2D 材料 A2 22376143 第二届巴西生产工程大会 NP 22378758 第二届葡萄牙语教学国际研讨会 B1 21905738 3 生物技术 A4 16682939 30-60 CUADERNO LATIN AMERICANO DE ARQUITECTUR C 23297662 3D 打印和增材制造 A2 23297670 3D 打印和增材制造(在线) A2 16194500 4OR(柏林) A2 18081142 5% 建筑 + 艺术 A4 21758182 53 巴西混凝土大会 - IBRACON 201 C 21758174 54 巴西混凝土大会 CBC 201 C 21758132 978-85-98936-04-8 NP 25256556 私人关系范围内基本权利的(不可)追加性。 B4 01047922 水杂志 C 22366695 BARRIGUDA:科学杂志 B3 25948245 BRUX C 08711097 城市(PORTALEGRE C 22370455 大学与社区之间的对话交流 B4 15487083 逆流(北卡罗来纳州罗利) B3 21451958 CONTRATIEMP C 25949675 字母的颜色 A3 14158973 字母的颜色(UEFS) A3 00117641 国防 B4 14136090 经济杂志 B3 22362029 经济杂志 - AERE B3 19836422 学校物理学(印刷版) B1 15578100 A 综合生物学杂志 A4 00239135 A LAVOURA (RIO DE JANEIRO C 19841035 A 阅读:PAR 州高等司法行政官学院笔记本 C 21752516 A 边缘:人文科学、文学和艺术电子杂志 B3 16473248 A 教育页面 NP 22364536 A PALAVRAD C 21763356 A PALO SECO:哲学和文学著作 C 21756104 A PESTE:精神分析与社会 C 2319037X FOC 杂志 C 16760336 第三年龄 B4 21751951 不死者的生活 C 00445592 A. RIVISTA ANARCHIC C 00946354 AANA 杂志 A3 15163210 A&C.行政与宪法杂志(印刷版) A2 24485764 A&H B2 23626089 A&P CONTINUITY A4 10283072 AAA。安蒂兰建筑文件 C 15597776 AACN 高级重症监护 B1 12321966 AAEM。农业与环境医学年鉴 B3 01491423 AAPG 公报(印刷版)A1 15221059 AAPS PHARMSCI A3 15309932 AAPS PHARMSCITECH A3
对无限层镍酸盐的研究已经揭示了一个破裂的翻译对称性,这对其根部引起了浓厚的兴趣,与超导性的关系以及与丘比特的电荷顺序的比较。在这项研究中,在无限层Prnio 2+ 𝛿薄膜上进行了谐振X射线散射测量。与PR𝑀5共振在依赖能量,温度和局部对称性的pr𝑀5共振相比,Ni𝐿3吸收边缘在Ni𝐿3吸收边缘处的超晶格反射的显着差异。这些差异指出了两个不同的电荷顺序,尽管它们具有相同的平面内波vector。鉴于在不完全降低的prnio 2+膜中观察到谐振反射,这些差异可能与多余的氧气掺杂剂有关。此外,方位角分析表明,氧配体在Ni𝐿3共振下揭示的电荷调制中可能起关键作用。
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钼和金双金属在微电子中用作互连导体。为了对双金属进行光刻蚀,首先用一种新的金蚀刻剂蚀刻金层,该蚀刻剂是由碘和碘化鎓在乙醇和水的混合物中的溶液组成。在金蚀刻过程中没有观察到钼层的溶解,因为蚀刻剂不会侵蚀钼。
摘要:栅极绝缘体是决定石墨烯场效应晶体管 (GFET) 性能的最重要因素之一。栅极电压对导电通道的良好静电控制需要较薄的栅极氧化物。由于缺乏悬挂键,通过原子层沉积 (ALD) 工艺生长的栅极介电膜通常需要种子层。种子层可实现介电膜的高质量沉积,但可能导致最终介电膜厚度大幅增加。针对该问题,本文提出了一种改进工艺,在原子层沉积之前使用蚀刻溶液去除自氧化的 Al 2 O 3 种子层,Al 2 O 3 残留物将提供石墨烯表面的成核位点。受益于电介质膜厚度的减小,与使用标准 Al 蒸发种子层方法的 GFET 相比,使用此方法作为顶栅电介质膜沉积工艺的 GFET 的跨导平均增加了 44.7%。
摘要 原子层沉积(ALD)已成为当代微电子工业中不可或缺的薄膜技术。ALD 独特的自限制逐层生长特性使该技术能够沉积高度均匀、共形、无针孔的薄膜,并且厚度可控制在埃级,尤其是在 3D 拓扑结构上。多年来,ALD 技术不仅使微电子器件的成功缩小,而且还使许多新颖的 3D 器件结构成为可能。由于 ALD 本质上是化学气相沉积的一种变体,因此全面了解所涉及的化学过程对于进一步开发和利用该技术至关重要。为此,我们在本综述中重点研究 ALD 的表面化学和前体化学方面。我们首先回顾了气固 ALD 反应的表面化学,并详细讨论了与薄膜生长相关的机制;然后,我们通过比较讨论 ALD 工艺中常用的前体来回顾 ALD 前体化学;最后,我们有选择地介绍了 ALD 在微电子领域的一些新兴应用,并对 ALD 技术的未来进行了展望。
- 奥地利航天局(ASA)/奥地利。- 比利时科学政策办公室(BELSPO)/比利时。- 机器建筑中央研究所(TSNIIMASH)/俄罗斯联合会。- 北京跟踪与电信技术研究所(CLTC/BITTT)/中国/中国卫星卫星发射和跟踪控制将军/中国。- 中国科学院(CAS)/中国。- 中国太空技术学院(CAST)/中国。- 英联邦科学与工业研究组织(CSIRO)/澳大利亚。- 丹麦国家航天中心(DNSC)/丹麦。- deciênciae tecnologia Aerospacial(DCTA)/巴西。- 电子和电信研究所(ETRI)/韩国。- 欧洲剥削气象卫星(Eumetsat)/欧洲的组织。- 欧洲电信卫星组织(Eutelsat)/欧洲。- 地理信息和太空技术发展局(GISTDA)/泰国。- 希腊国家太空委员会(HNSC)/希腊。- 希腊航天局(HSA)/希腊。- 印度太空研究组织(ISRO)/印度。- 太空研究所(IKI)/俄罗斯联合会。- 韩国航空航天研究所(KARI)/韩国。- 通信部(MOC)/以色列。- 穆罕默德垃圾箱拉希德航天中心(MBRSC)/阿拉伯联合酋长国。- 国家信息与通信技术研究所(NICT)/日本。- 国家海洋与大气管理局(NOAA)/美国。- 哈萨克斯坦共和国国家航天局(NSARK)/哈萨克斯坦。- 国家太空组织(NSPO)/中国台北。- 海军太空技术中心(NCST)/美国。- 荷兰太空办公室(NSO)/荷兰。- 粒子与核物理研究所(KFKI)/匈牙利。- 土耳其科学技术研究委员会(Tubitak)/土耳其。- 南非国家航天局(SANSA)/南非共和国。- 太空和高中气氛研究委员会(Suparco)/巴基斯坦。- 瑞典太空公司(SSC)/瑞典。- 瑞士太空办公室(SSO)/瑞士。- 美国地质调查局(USGS)/美国。