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FBGA——细间距球栅阵列
JCET 徽标是长电科技集团股份有限公司的注册商标。该商标在中华人民共和国注册（注册号：3000529）。此处的所有其他产品名称和其他公司名称仅供识别之用，可能是其各自所有者的商标或注册商标。本手册以及此处的数据表仅供展示之用，长电科技或其子公司不保证或作出任何明示、暗示或法定的准确性、充分性、可靠性、完整性或其他方面的陈述。建议读者在做出任何决定之前，随时寻求专业建议并获得对此处包含的信息的独立验证。长电科技保留随时更改信息的权利，恕不另行通知。©版权所有 2019。长电科技集团股份有限公司。保留所有权利。
缓解虚拟现实系统中晕屏现象的指南
Paolo Proietti（Leonardo SpA，意大利）；Jonathan Allsop（皇家空军中央飞行学校，英国）；Marten Bloch（Fraunhofer FKIE，德国）；Jelte E. Bos（TNO，荷兰）；Pietro Cipresso（Instituto Auxologico Italiano，意大利）；Dave Clement（空军研究实验室，美国）；Jon French（安柏瑞德航空大学，美国）；Frank Jaspers（武器与弹药技术中心，德国）；Ramy Kirollos（DRDC – 多伦多研究中心，加拿大）；Victoria Malyusz（武器与弹药技术中心，德国）；Mayowa Olonilua（国防科学与技术实验室，英国）；Peder Sjölund（Skydome AB，瑞典）北约科学技术办公室 (STO) STO-TR-HFM-MSG-323 Pp。 1 – 194 外部发布者发布日期：2021 年 10 月 发布条款：本文件已获准公开发布。根据 DND 安全标准，本 CAN UNCLASSIFIED 文件的正文不包含所需的安全横幅。但是，必须将其视为 CAN UNCLASSIFIED，并根据封面上指定的条款和条件进行适当保护。
用数字法测定球栅阵列的热膨胀系数
本文介绍了通过数字图像相关 (DIC) 技术对球栅阵列 (BGA) 上焊球的热膨胀系数 (CTE) 进行分析的方法。由于微尺度元件对热的敏感性，评估半导体元件的热机械性能是一项主要挑战。然而，BGA 的 CTE 分析对于解决导致故障的热失配应变问题具有重要意义。同时，焊球热膨胀的测量是在微尺度和加热条件下进行的，传统的应变测量方法无效。在本分析中，使用微 DIC 系统测量焊球在加热台上受到温度载荷时的应变值。使用加热台内的热电偶测量焊球的实际温度，以确保温度的均匀性。获得特定温度下测得的应变，并使用线性分析绘制 CTE 图表。测得的焊球的平均 CTE 值为 27.33 × 106 / oC。结果表明，测量结果接近焊球 CTE 的参考值。该分析使用开发的 DIC 方法对 BGA 进行了可靠的分析。
背栅石墨烯晶体管的接触电阻和迁移率
摘要 金属-石墨烯接触电阻是限制石墨烯在电子设备和传感器中技术开发的主要因素之一。高接触电阻会损害器件性能并破坏石墨烯固有的优良特性。在本文中，我们制造了具有不同几何形状的背栅石墨烯场效应晶体管，以研究接触和沟道电阻以及载流子迁移率随栅极电压和温度的变化。我们应用传输长度法和 y 函数法，表明这两种方法可以相互补充以评估接触电阻并防止在估计载流子迁移率对栅极电压的依赖性时出现伪影。我们发现栅极电压以类似的方式调节接触和沟道电阻，但不会改变载流子迁移率。我们还表明，升高温度会降低载流子迁移率，对接触电阻的影响可以忽略不计，并且可以根据施加的栅极电压诱导石墨烯薄层电阻从半导体行为转变为金属行为。最后，我们表明，消除接触电阻对晶体管沟道电流的不利影响几乎可以使载流子场效应迁移率翻倍，并且通过 Ni 接触的锯齿形成形可以实现低至 700 Ω · μ m 的竞争性接触电阻。
利用量子计算机求解栅绝缘子泊松方程的研究
[1] Arute, F.、Arya, K.、Babbush, R. 等人。使用可编程超导处理器实现量子霸权。《自然》574，505–510（2019 年）。https://doi.org/10.1038/s41586-019-1666-5A。[2] Harrow, A. Hassidim 和 S. Lloyd，“线性方程组的量子算法”，《物理评论快报》103，150502（2009 年）。[3] Yudong Cao 等人，“用于求解线性方程组的量子电路设计”，《分子物理学》110.15-16（2012 年），第 1675–1680 页。arXiv：arXiv:1110.2232v2。[4] Solenov, Dmitry 等人。 “量子计算和机器学习在推进临床研究和改变医学实践方面的潜力。”密苏里医学第 115,5 卷 (2018)：463-467。[5] C. Outeiral、M. Strahm、J. Shi、GM Morris、SC Benjamin 和 CM Deane，“量子计算在计算分子生物学中的前景，”WIREs Comput. Mol. Sci.，2020 年 5 月。[6] 王胜斌、王志敏、李文东、范立新、魏志强和顾永健，“量子快速泊松求解器：算法和完整模块化电路设计，”量子信息处理第 19 卷，文章编号：170 (2020)。 [7] H. Abraham 等人，“Qiskit：量子计算的开源框架”，2019 年。 [8] https://quantum-computing.ibm.com/ [9] Sentaurus TM 设备用户指南，Synopsys Inc.，美国加利福尼亚州山景城，2020 年。 [10] https://qiskit.org/textbook/ch-applications/hhl_tutorial.html [11] https://qiskit.org/documentation/stubs/qiskit.quantum_info.state_fidelity
μ10 的替代推进剂研究（氪与氙）...
图 3 收集了两个测试离子源的测量电流 𝐼 sc 和 𝐼 ac 与质量流速 𝑚̇ s 的关系。在隼鸟 2 号源中，屏栅电流对两种推进剂都显示出一个最大值。氪的最大电流 (216 mA) 大于氙气 (171 mA)，但达到的最大电流略高，分别为 0.24 (3.8) vs. 0.22 mg/s (2.2 sccm)。超过上述峰值后，𝐼 sc 从“高电流模式”(HCM) 降至低效的“低电流模式”(LCM)，如 15–17 中所述，同时反射的微波功率增加。对于氙气，这种转变似乎更为突然。另一方面，氙气和氪气的𝐼ac最小值分别为0.18（1.8）-0.19毫克/秒（1.9 sccm）和0.16（2.5）-0.20毫克/秒（3.3 sccm）。
一种改善电特性的环栅场效应晶体管扇形结构
从 I on /I off 电流比、跨导、亚阈值斜率、阈值电压滚降和漏极诱导势垒降低 (DIBL) 等方面评估了一种新型栅极全场效应晶体管 (GAA-FET) 方案的可靠性和可控性。此外，借助物理模拟，全面研究了电子性能指标的缩放行为。将提出的结构的电气特性与圆形 GAA-FET 进行了比较，圆形 GAA-FET 之前已使用 3D-TCAD 模拟在 22 nm 通道长度下用 IBM 样品进行了校准。我们的模拟结果表明，与传统的圆形横截面相比，扇形横截面 GAA-FET 是一种控制短沟道效应 (SCE) 的优越结构，并且性能更好。2020 作者。由 Elsevier BV 代表艾因夏姆斯大学工程学院出版。这是一篇根据 CC BY 许可 ( http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ ) 开放获取的文章。
切碎折叠共源共栅体驱动 OTA
本文使用的核心 OTA 是体驱动 OTA [4]，其中与模拟电路有关的一个重要因素是，未来标准 CMOS 技术的阈值电压预计不会比目前的阈值电压低很多。为了克服阈值电压，人们使用了体驱动 MOSFET，众所周知，阱源结上的反向偏置会导致阈值电压增加 [5]，[6]。同样，此结上的正向偏置会导致阈值电压降低。
PT-D7700E/EC
内置多屏处理器、色彩匹配和边缘融合 多屏处理器 PT-D7700E/E-K 无需任何附加设备即可投射大型多屏图像。最多可同时对 100 个单元 (10 x 10) 进行边缘融合。色彩匹配 当多个单元一起使用时，此功能可校正各个投影机的色彩再现范围的细微变化。PC 软件确保控制简单、准确。独立的 7 轴调整 (红、绿、蓝、黄、洋红、青色、白) 确保高精度并最大程度减少色彩变化。为了简化设置过程，您可以在将投影机运送到演示现场之前对其进行调整。色彩匹配功能最多可容纳 9 个单元，用于多屏或单屏演示。边缘融合 它控制重叠图像边缘的亮度，以确保均匀、自然的多屏图像。使用单台投影机投影高清源时，DLP™ 芯片的一部分未使用。在使用两台投影机进行多屏投影时，DLP™ 芯片可提高图像的水平分辨率，同时最大化垂直分辨率。