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EMEA NexSys TPPL 产品指南 英文 0824
薄板纯铅 (TPPL) 技术 NexSys ® TPPL 技术与传统铅酸电池相比具有显著优势。铅钙合金板栅在正常运行期间容易腐蚀，导致电流损失和电池寿命缩短。相比之下，纯铅制成的 TPPL 板栅更薄，表面积更大，从而产生更大的功率输出。纯铅晶粒结构可最大限度地降低电阻，并显著降低腐蚀的可能性，从而提高电池的性能和使用寿命。
非对称自共源共栅和分级通道 SOI nMOSFET 中跨电容的模拟性能比较
区域（对应于 MS 晶体管）电子密度从反转开始并经历耗尽，当它到达轻掺杂区域时，电子密度变为反转。因此，A-SC 上的电子密度行为（从反转到耗尽再回到反转）发生在每个晶体管上，而 GC 发生在整个器件长度上。这解释了 A-SC 器件上的凸起如此突出的原因。
通过器件结构设计提高Si-GaN单片异质集成共源共栅场效应晶体管的击穿电压
摘要 — 本工作研究了影响采用转移印刷法制备的Si-GaN单片异质集成Casccode FET击穿电压的因素。这两个因素是Si器件的雪崩击穿电阻和SiN电隔离层的厚度。设计了Si MOSFET和Si横向扩散MOSFET（LDMOSFET）两种器件结构，研究了Si器件的雪崩击穿电阻对Cascode FET击穿特性的影响。分析了SiN电隔离层厚度的影响。最后，单片集成Cascode FET的击穿电压达到了770 V。索引术语 — 单片异质集成；Cascode FET；击穿电压；LDMOS；极化电荷。
Narada REX 800 - 可再生能源储能电池
231 231 正极板 耐腐蚀纯铅、高锡、低钙合金增强栅板 负极板 铅钙合金栅板 隔板 低电阻高密度微孔玻璃纤维垫 容器和盖子 高强度 ABS(HB)。有阻燃版本可供选择（UL94 FV-0，LOI 为 28%） 电解液 密度为 1.28g/ml 的硫酸被 AGM 吸收 端子设计 专利防漏密封配置，带黄铜嵌件 安全阀 校准开启压力，阀门配备阻火器，可提高操作安全性和使用寿命。
Narada-REX-400.pdf - 可再生能源储能电池
正极板 耐腐蚀纯铅、高锡、低钙合金增强栅板 负极板 铅钙合金栅板 隔板 低电阻高密度微孔玻璃纤维垫 容器和盖子 高强度 ABS(HB)。 有阻燃版本可供选择（UL94 FV-0，LOI 为 28%） 电解液 密度为 1.28g/ml 的硫酸被 AGM 吸收 端子设计 专利防漏密封配置，带黄铜嵌件 安全阀 校准开启压力，阀门配备阻火器，以提高操作安全性和使用寿命。
Narada REX 1500 - 可再生能源储能电池
正极板 耐腐蚀纯铅、高锡、低钙合金增强栅板 负极板 铅钙合金栅板 隔板 低电阻高密度微孔玻璃纤维垫 容器和盖子 高强度 ABS(HB)。 有阻燃版本可供选择（UL94 FV-0，LOI 为 28%） 电解液 密度为 1.28g/ml 的硫酸被 AGM 吸收 端子设计 专利防漏密封配置，带黄铜嵌件 安全阀 校准开启压力，阀门配备阻火器，以提高操作安全性和使用寿命。
肾上腺素肌营养不良（ALD）的家庭动作表 - CDPH
出生后不久，在加利福尼亚出生的所有婴儿都有常规的血屏。这种新生儿筛查的目标是找到有严重医疗状况的风险的筛查。婴儿可以在出生时看起来健康，并且仍然有这些疾病之一。具有这些条件的婴儿受益于早期诊断和治疗。
康卡斯特年度广告报告发现，跨屏电视的覆盖率和规模是 2025 年广告商面临的最大挑战
电视。此外，约三分之一的广告商希望增加在免费广告支持流媒体电视上的支出（FAST）。报告强调，广告商越来越多地寻求可寻址电视广告和程序化等解决方案，以更有效地接触受众。事实上，53%的广告商现在认为可寻址电视是必买品，而数据显示，广告商正在增加对程序化的使用，同比增长 15%。报告的其他主要发现包括：•广告商将整体观众体验（76%）、定位能力（82%）和内容（88%）列为规划多屏电视广告活动时最重要的因素。•大屏幕至关重要：超过 87% 的观众更喜欢在电视屏幕上观看流媒体内容——包括付费电视流媒体和免费流媒体。•卖家正在使更多的流媒体库存能够以程序化方式交易，目前 21% 的流媒体视频广告是程序化的。 • 基于受众的购买和定位对广告主来说变得越来越重要，使用受众定位的流媒体广告浏览量同比增长 39% 就是明证。 • 56% 的广告主将实现特定的覆盖率和频率列为衡量成功的两大因素之一，这表明需要拥有先进技术的供应商来实现有效的广告投放和透明的绩效报告。 • 随着获取可靠标识符变得越来越困难，89% 的广告主正在积极使用或计划使用上下文广告解决方案来提供相关体验。
用于单片三维集成的高性能原子层沉积氧化铟三维晶体管和集成电路
摘要—本文报告了通过与后端工艺 (BEOL) 兼容的原子层沉积 (ALD) 工艺在鳍片结构和集成电路上涂覆 In 2 O 3 3-D 晶体管的实验演示。通过沟道厚度工程和后沉积退火，实现了具有 113 cm 2 /V · s 高迁移率和 2.5 mA/µ m 高最大漏极电流 (ID) 的高性能平面背栅 In 2 O 3 晶体管。演示了基于 ALD In 2 O 3 的高性能零 V GS 负载反相器，其最大电压增益为 38 V/V，最小电源电压 (V DD ) 低至 0.5 V。还演示了通过栅极绝缘体和沟道半导体的低温 ALD 制备的顶栅氧化铟 (In 2 O 3 ) 晶体管，其 ID 为 570 µ A/µ m，亚阈值斜率 (SS) 低至 84.6 mV/decade。然后演示了具有顶栅结构的 ALD In 2 O 3 3-D Fin 晶体管，其受益于 ALD 的保形沉积能力。这些结果表明，ALD 氧化物半导体和器件具有独特的优势，并且有望实现用于 3-D 集成电路的 BEOL 兼容单片 3-D 集成。