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激光能量输入和屏蔽气流对Zn Metal的激光粉床融合期间蒸发烟气的影响
仅贡献了全球粮食安全的最小改善。令人遗憾的是，目前，在政治上具有的监管障碍正在采用下一个基因组创新，基因组编辑，其含义也在本文中进行了讨论。从2005年到2015年，目睹了十年来全球粮食不安全的减少，但遗憾的是，该人随后发生了上升。为什么这样？原因归因于气候变异性，生物和非生物压力，缺乏获得创新技术的机会以及在决策过程中的政治干预。该评论强调了在监管机构批准中的政治干预如何对采用创新的采用，增强农作物品种的采用，从而限制粮食不安全经济中的粮食安全机会。
创新 PVD 技术解决方案 先进基板、EMI 屏蔽和背面金属 Jeff Turner – 应用材料公司
Jeff 在半导体封装领域拥有超过 25 年的经验，在被 Applied Materials 收购后，他领导着 Tango 产品组。他最初在 Semitool 担任工艺工程师，专攻电镀和湿法清洗，从封装行业起步。Semitool 被 Applied Materials 收购后，他的职业生涯转型为产品管理，然后是业务管理，负责支持 Applied 封装部门的电镀和 PVD 系统。
热屏蔽材料的热变形与……
随着温度的变化，样品中会产生应力，以防止自由样品弯曲。对于弯曲样品，在增加受力样品的加热速率下没有应力梯度（ = 0），导致应力梯度值增加。将数据与在均匀温度场和 20 至 1100°C 的加热速率下获得的膨胀仪结果进行了比较。关键词：隔热罩、航天器、再入、复合材料、高温、玻璃纤维、膨胀仪。介绍用于飞机和航空航天技术的隔热材料 (TSM) 是在极端负载下运行的物体的经典例子。极端条件由温度、作用的机械应力以及外部介质的化学侵蚀程度、强辐射、磨料侵蚀作用等定义。
复合材料热中子屏蔽性能研究...
虽然TiB 2 基复合材料的各种优异性能及制备方法已被广泛研究，但是其中子屏蔽性能尚未受到足够的重视。本文将对先前制备的TiB 2 -Al复合材料的中子屏蔽性能进行研究。利用光中子源装置对厚度为10 mm 的试验样品进行中子辐照试验。TiB 2 基含硼复合材料的平均热中子屏蔽率为17.55%，且屏蔽率随BN含量的增加而增大。复合材料的热中子宏观截面总体呈现稳定趋势，当BN含量为10%时，热中子宏观截面达到最大值7.58cm -1 。随着BN含量的增加，热中子注量率呈现逐渐减小的趋势。
采用卷对卷喷涂工艺生产的镀银碳纤维织物具有卓越的电磁屏蔽效率
完整作者列表： Park, Janghoon；马萨诸塞大学阿默斯特分校，聚合物科学与工程 Hu, Xiyu；马萨诸塞大学阿默斯特分校，聚合物科学与工程 Torfeh, Mahsa；马萨诸塞大学阿默斯特分校，电气与计算机工程 Okoroanyanwu, Uzodinma；马萨诸塞大学阿默斯特分校，聚合物科学与工程 Arbabi, Amir；马萨诸塞大学阿默斯特分校，电气与计算机工程 Watkins, James J.；马萨诸塞大学阿默斯特分校，聚合物科学与工程
辐射肿瘤学设施的屏蔽技术
辐射屏蔽的目的是将辐射治疗设备产生的有效辐射剂量降低到房间外的足够低水平。所需的有效剂量水平由地方或国家监管机构确定。所需的剂量水平通常在公共占用率（不受控制的访问）与职业占用（受控访问）方面有所不同。到达受保护位置的剂量率直接受到工作量（W）的影响，这是机器产生的辐射的度量。对于线性加速器，同中心的工作负载是在同中心处吸收的剂量率，在最大程度的吸收剂量的深度确定水中，每小时以灰色（例如，每小时，每周或一年或一年）为灰色（gy）（NCRP 2005b）。然后将同中心的工作负载归一化为距X射线目标1米（如果从X射线目标到同中心的距离不是1米），以产生屏蔽计算中使用的工作负载（W）。除了工作负载外，所需的屏蔽也是机器能量（MVS）的函数；从X射线目标（或同中心）到屏蔽点的距离；梁沿特定方向定向的时间的比例；以及所考虑的空间被认为是占用的时间的一部分。
理解 NaPbmSbQm+2 (Q = S, Se, Te) 热电材料中的热激活电荷传输：弱介电屏蔽导致晶粒边界
完整作者列表： Slade, Tyler；西北大学，化学系 Grovogui, Jann；西北大学，材料科学与工程系 Kuo, Jimmy；西北大学，材料科学与工程系 Anand, Shashwat；西北大学，材料科学与工程系 Bailey, Trevor；密歇根大学，物理系 Wood, Max；西北大学，材料科学与工程系 Uher, Ctirad；密歇根大学，物理系 Snyder, G.；西北大学，材料科学与工程系 Dravid, Vinayak；西北大学，材料科学与工程系 Kanatzidis, Mercouri；西北大学，化学系
10对非屏蔽双绞线绞合率的影响……
一种名为 G.fast 的超高速数字用户线 (DSL) 技术对于超高速宽带互联网接入服务至关重要。在 G.fast 中，从分配点到客户处所安装的 250 m 长的现有电缆束用于支持高达 106 MHz 或 212 MHz 频率的千兆数据传输（聚合 1 Gbit/s）。由于使用非屏蔽电缆，且频率是超高速 DSL2 (VDSL2) 的 12 倍，因此研究电缆在插入损耗和串扰耦合方面的性能非常重要。本文研究了小铜束中 10 对非屏蔽双绞铜缆的电缆绞合率对插入损耗和串扰耦合的影响。基于马来西亚安装的标准电缆开发了一个仿真模型。通过将得到的结果与文献中发表的结果进行比较，验证了模型的可靠性。此外，通过改变100 m电缆的绞距来控制其绞合率，以确定其对插入损耗和串扰耦合的影响。结果表明，较高的绞合率可以降低远端串扰，但会增加插入损耗和近端串扰。