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介电和电磁干扰屏蔽特性（Zn，Fe，Ni，Mg，CD）Fe2O4铁素体
通过退火通过退火，将共沉淀的无定形前体退火在两个阶段中合成了新的（Zn，mg，ni，fe，cd）fe 2 o 4高熵铁素体，平均水晶尺寸为11.8 nm。介电光谱证实，电导率和极化过程与铁素体结构中电子的迁移率有关。得出的结论是，高频复合物介电介电常数以及复杂的磁渗透性都是强烈的温度和频率依赖性的。AC电导率与电子的量子机械隧穿有关，并且与Fe 2 +和Fe 3 +离子之间的电荷载体转移有关。此外，确定微波吸收特性。最佳的微波吸收特性已在厚度为0.8–1 cm的层的频率范围1.9至2.1 GHz中得到证实。对于此范围，反射损失（RL）低于-25 dB，屏蔽效率（SE）低于-50 dB。
调节负热膨胀金属与有机框架中的发光热增强
较早提到的技术采用的通信设备由于其绝缘性而无法通过聚酰亚胺来阻止。由于聚合物在这些设备中的各种组件的粘合剂，涂层和外壳中广泛使用，因此高度要求将EMI屏蔽能力纳入这些材料中。电导率是改善聚合物材料的EMI屏蔽性能的关键参数之一。5在绝缘聚合物（例如聚酰亚胺等绝缘聚合物）中纳入llers会导致形成宿主矩阵内高度传导的渗透网络。因此，可以有效地增强绝缘聚合物的电导率和EMI屏蔽效果。6，例如，由于其内在的电导率高，二维（2D）形态和
一种探索真空吸引力相互作用的方法
F. Ballarini等人，“ Fluka：地位和观点”，“第15届有关屏蔽加速器，目标和辐射设施的屏蔽方面的讲习班”（Satif-15），美国密歇根州东兰辛，美国密歇根州，美国密歇根州，9月2022日，2022年，2022年，2022年，
LINACS的Photoneutron生产
Valentin Blideanu，ClémentBesnard Vauterin，Benjamin Rapp。LINACS的Photoneutron生产：蒙特卡洛模拟的测试性能和对相关应用的影响。Satif-16-16-16th关于屏蔽加速器，目标和辐射设施的屏蔽方面的研讨会，2024年5月，意大利弗拉斯卡蒂。CEA-04647750CEA-04647750
美国宇航局在零沸腾技术方面取得进展，以实现长效
项目 TRL* 集成零沸腾系统 4+ 厚多层绝缘层 6 太阳能屏蔽（可选） 7+ 低电导率结构界面 6+ 大容量 20 K 和 90 K 低温冷却器 4+ 低温冷却器集成：广域冷却（罐上管分布式冷却和屏蔽上管分布式冷却）
用于中子辐射屏蔽的工程塑料 - MCAM
氢含量高的材料可以最有效地屏蔽快中子。它们通过与氢原子碰撞而减速到热能。热中子可以通过高热中子截面材料（如硼）的存在而几乎消除。初级伽马射线最好用铅或其他高密度材料屏蔽。次级伽马射线是由氢捕获热中子而产生的。这些捕获伽马射线可以通过添加硼来最小化。
通过纳米电镀制备性能优异的高导电表面镀银芳香聚磺酰胺 (PSA) 纤维
摘要：本研究在高性能芳香族聚磺酰胺 (PSA) 纤维上设计并构建了双层纳米涂层，以实现强大的导电和电磁干扰 (EMI) 屏蔽。更具体地说，首先通过化学镀镍 (Ni) 或镍合金 (Ni-P-B) 赋予 PSA 纤维必要的电导率。之后，进行银电镀以进一步提高复合材料的性能。彻底研究了所提出的包覆纤维的形貌、微观结构、环境稳定性、力学性能和 EMI 屏蔽性能，以检查电沉积对非晶态 Ni-P-B 和结晶 Ni 基材的影响。获得的结果表明，PSA@Ni@Ag 和 PSA@Ni-P-B@Ag 复合纤维均具有高环境稳定性、良好的拉伸强度、低电阻和出色的 EMI 屏蔽效率。这表明它们在航空航天、电信和军事工业中具有广泛的应用前景。此外，PSA@Ni-P-B@Ag纤维配置似乎更合理，因为它表现出更光滑、更致密的银表面以及更强的界面结合，从而导致更低的电阻（185 m Ω cm − 1 ）和更好的屏蔽效率（X波段为82.48 dB）。
喷嘴条件对同轴粉的粉末集水效率的影响
爆炸的粉末定向能量沉积经过精心设计，用于精细分辨率添加剂制造处理。同轴粉末沉积头使用由外喷嘴指向的屏蔽气体的外层，以防止在粉末熔化过程中发生氧化。粉末爆炸的原料集水效率可能低至50-80％，而电线沉积系统的效率更接近98％。本研究评估了定向能量沉积喷嘴条件对集水效率的影响。通过粉末流的收敛性，已经发现总体外部屏蔽气喷嘴长度的变化可将材料使用效率提高10％。该实验的结果表明，对于同轴粉末沉积头设计，如果可以安全地降低僵持距离，则随着外部屏蔽气喷嘴的长度增加或隔离距离降低，可以提高粉末流域效率。
单层 MoSe2 中的激子-激子相互作用...
低阈值光学非线性的潜力在光子学和概念光学神经元网络领域引起了广泛关注。二维 (2D) 半导体中的激子在这方面尤其有前景，因为减少的屏蔽和维度限制会促进它们明显的多体相互作用以实现非线性。然而，对这些相互作用的实验测定仍然不明确，因为光泵浦通常会产生激子和未结合载流子的混合物，其中带隙重正化和载流子屏蔽对激子能量的影响相互抵消。通过比较单层 MoSe 2 光致发光光谱对激子基态和激发态能量的影响，我们能够分别识别中性激子和电荷载流子对库仑结合的屏蔽。当中性激子密度从 0 增加到 4 × 10 11 𝑐𝑚 −2 时，激子基态 ( A-1s ) 和激发态 ( A-2s ) 之间的能量差红移 5.5 meV，而电子或空穴密度增加时则发生蓝移。这种能量差变化归因于中性激子的库仑结合相互屏蔽，从中我们提取出激子极化率为 𝛼 2𝐷