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World File Search System岩体
ABC‐膨胀岩
摘要：我们介绍了一种基于拓扑原理设计膨胀（负泊松比）结构的新方法，并通过研究基于二维 (2D) 纺织编织图案的新型膨胀材料来证明该方法。设计膨胀材料的传统方法通常涉及确定单个可变形材料块（一个晶胞），其形状会导致膨胀行为。因此，在 2D（或 3D）域中对这样的晶胞进行图案化会产生更大的结构，该结构会表现出整体膨胀行为。这种方法自然依赖于一些先前的直觉和经验，即哪些晶胞可能是膨胀的。其次，调整所得结构的属性通常仅限于特定类型晶胞几何形状的参数变化。因此，目前已知的大多数膨胀结构属于少数几类晶胞几何形状，这些几何形状是根据指定的拓扑（即网格结构）明确定义的。在这项工作中，我们展示了一类新的膨胀结构，虽然具有周期性，但可以隐式生成，即无需参考特定的晶胞设计。该方法利用基于编织的拓扑参数（
体超导铟对一维锌超导纳米线超导电性的抑制效应'
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蛇绿岩杂岩中铬铁矿的成因和演化...
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对 GSI、RMi 和 RMR 评估的影响
摘要 基于概率的经验方法被用作预测与岩体性质相关的不确定性的替代方法。重点是开发概率电子表格来预测岩体分类指标。构建直方图来描述预测岩体性质的最佳分布。开发的模型还有助于预测岩体内部不连续性对岩石强度和岩体分类系统的影响。统计分析确定体积节理数、节理间距、节理频率和岩石强度是最具影响的参数。此外，统计分析显示不同岩体性质之间存在不同程度的相关性。虽然一些属性显示出适合建模的显着相关性，但其他属性与任何相关模型都不太吻合。结果强调需要一种全面的岩体表征方法，考虑体积节理数以外的多种因素。地质复杂性，包括构造活动和风化过程，可能会掩盖直接相关性。这些结果强调了经验建模和详细现场调查对于准确评估喜马拉雅岩体质量和稳定性的重要性。
评论文章在复杂结构岩体的机械测试中的3D打印技术的应用
摘要：目前的论文旨在评估两种热管理方法对由电线 +弧添加剂制造（WAAM）构建的薄壁结构的几何和生产率的影响。ER 5356（AL5MG）的薄壁具有不同长度和相同数量的层，并在固定的沉积参数集中通过活跃的冷却技术（近乎免疫的活性冷却 - NIAC）沉积。 然后，在空气中使用天然冷却（NC）进行相同的实验。 为了表征热管理方法，在沉积时间内通过尾随/前导红外高温计监测通路间温度（即沉积后续层的温度）。 最后，使用NC和NIAC接近温度等效的NC和NIAC方法沉积了具有固定长度的薄壁。 正如预期的那样，壁长越短，沉积浓度，热量积累，从而越强烈。 由于其较低的散热效果，这种行为对于NC策略来说更为明显，并且过早。 主要发现是，无论采用和维持相同的相互通道温度所采用的热管理技术，所构建的零件的几何形状往往稳定且非常相似。 但是，由于NIAC技术的散热器更大的优势，总沉积时间在某种程度上要短一些。 因此，NIAC技术通过WAAM促进了小零件和细节的不间断制造。薄壁具有不同长度和相同数量的层，并在固定的沉积参数集中通过活跃的冷却技术（近乎免疫的活性冷却 - NIAC）沉积。然后，在空气中使用天然冷却（NC）进行相同的实验。为了表征热管理方法，在沉积时间内通过尾随/前导红外高温计监测通路间温度（即沉积后续层的温度）。最后，使用NC和NIAC接近温度等效的NC和NIAC方法沉积了具有固定长度的薄壁。正如预期的那样，壁长越短，沉积浓度，热量积累，从而越强烈。由于其较低的散热效果，这种行为对于NC策略来说更为明显，并且过早。主要发现是，无论采用和维持相同的相互通道温度所采用的热管理技术，所构建的零件的几何形状往往稳定且非常相似。但是，由于NIAC技术的散热器更大的优势，总沉积时间在某种程度上要短一些。因此，NIAC技术通过WAAM促进了小零件和细节的不间断制造。
无标题 - 岩岛区
条件。“我们利用极端情况来展示风险，”大坝安全项目经理 Matt Stewart 说。“为绝对最坏的情况做好准备是一种积极主动的方法，同时也确保我们为那些不太重要的情况做好准备。”我们在演习期间测试 EAP。其中很大一部分是风险沟通。在演习过程中，我们通过与参与者的公开讨论来确定缺失的部分或可以改进的地方。”演习结束后，工程兵团的 EAP 连同行动后评估一起发送给所有参与者，以收集反馈和评论。然后，工程兵团更新他们的 EAP 并将副本重新分发给特定大坝的所有利益相关者。“我们的想法是，每个参与的团体都会更新他们的 EAP 或同等文件，并将其提供给工程兵团，”Stewart 说。“演习传达了风险，但每个社区都有责任制定自己的疏散和准备计划，并确定哪些关键基础设施会受到影响。”
人工智能手语翻译工具试用会
3.与聋哑运动员的特别对话会 2023年聋哑足球世界锦标赛亚军成员冈田拓哉（埼玉县聋哑足球俱乐部、越谷FC）、中井健人（TDFC、LesPros Tokyo）、经理植松隼人 ★秘密嘉宾登场！ ！
パワー化合物半导体日本の视点
1。ST Microelectronics completes acquisition of Norstel AB, a SiC wafer manufacturer, ST Microelectronics, 2019/12/2: https://www.st.com/content/st_com/ja/about/ media-center/press-item.html/c2930.html 2.ROHM集团Sicrystal和St Microelectronics同意提供碳化硅（SIC）Wafers多年来，ST Microelectronics，2020/1/15：https：//newsroom.st.com/ja/ja/ja/media-ia-center/media-center/press-center/press-item/press-item.html/c2936.html，3。3.cree |。ST Microelectronics在意大利建立了新的集成SIC WAFER工厂，ST Microelectronics，2022/10/5：https：//newsroom.st.com/ja/ja/media-center/media-center/press-item.htm.html/ c3124.html 5。Stmicro在意大利建立新的SIC WAFER工厂，在欧洲首次，Nikkei Crosstech，2022/10/18：https：//xtps：//xtech.nikkei.com/atcl/news/news/news/news/news/13938/13938/ 6.Infineon和Cree同意长期供应Sic Wafers，Infineon，2018/3/16：https：//www.infineon.com/cmms/cmms/jp/jp/jp/jp/about-infineon/press/press/press/press/press/press/press/press-releases/2018/2018/Wolfspeed builds a new large-scale SiC factory in Germany, production begins in 2017, Nikkei Crosstech, 2023/2/28: https://xtech.nikkei.com/atcl/nxt/news/18/14642/ 8.Infineon收购了硅碳化物专家Siltechtra，Infineon，2018/12/7：https：//www.infineon.com/cms/cms/cms/jp/jp/about-infineon/press/press/press/press/press-releases/2018/2018/2018/Infineon通过GT Advanced Technologies，Infineon，2020/11/9：https：//wwwww.infineon.com/cms/cms/cms/jp/jp/about-infineon/ press/press/press/press/press/2020/infxx20202011-2011-2011-2011-014.html 10。有关电力半导体的SIC外延晶片：与Infineon Technologies签署的销售和联合开发协议，Showa Denko，2021年5月6日：https：//wwwwww.resonac.com/jp/
