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静电定义的量子点器件的调谐可分为三个阶段。第一阶段是超粗调,包括设置栅极电压以创建电子或空穴的限制势。第二阶段称为粗调,侧重于识别和导航量子点器件的不同工作模式。第三阶段称为微调,涉及优化一组特定的电荷跃迁。最近已经实现了第一调谐阶段的完全自动化 [7]。已经证明了使用卷积神经网络进行自动粗调可以识别双量子点模式 [8] 并达到任意电荷状态 [9]。模板匹配也用于导航到单电子模式 [10]。在此阶段,可以使用虚拟栅极电极独立控制每个量子点的电化学势 [11, 12]。先前的自动微调研究主要集中在通过系统地修改栅极电压来实现两个量子点之间隧道耦合的目标值 [ 13 , 14 ]。然而,这些方法只能优化从执行的测量中轻松估计的设备参数,并且依赖于校准。
x ge x /sio 2界面,而不是通过脱位成核。该机制导致嵌入式层的形态演化和局部肿胀,这是由SIO 2的粘性流促进的。在这些温度下,Si 1-X Ge X膜在粘性SIO 2中扩展,以最大程度地减少应变能。几何相分析证实,横向膨胀会导致GE凝结过程中积累的应变的松弛。我们建议这种现象可能是文献中已经报道的屈曲机制的起源。这项研究表明,Sio 2可以作为有效的符合性的符合性的底物,用于无缺陷的无缺陷GE RICE SI 1-X GE X薄膜。基于SIO 2矩阵粘弹性的新通用松弛过程可以应用于SI 1-X GE X膜以外的许多其他系统。这里制造的高质量无缺陷富富富富膜可以作为SI基板上各种2D或3D材料异质整合的良好模板。
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将非线性数据建模为Riemannian歧管上的对称阳性定义(SPD)矩阵,引起了对各种分类任务的广泛关注。在深度学习的背景下,基于SPD矩阵的Riemannian网络已被证明是对电子脑电图(EEG)信号进行分类的有前途的解决方案,可在其结构化的2D特征表示中捕获Riemannian几何形状。但是,现有方法通常在嵌入空间中学习所有可用的脑电图中的空间结构,其优化程序依赖于计算 - 昂贵的迭代。此外,这些十种方法努力将所有类型的关系船编码为单个距离度量标准,从而导致一般性丧失。为了解决上述局限性,我们提出了一种riemannian嵌入银行方法,该方法将整个填充空间中常见的空间模式学习的概率分为k个缩写,并为每个子问题构建一个模型,与SPD Neural Net-net Works结合使用。通过利用Riemannian歧管上的“独立学习”技术的概念,Reb将数据和嵌入空间划分为k非重叠子集中,并在Riemannian ge-be-emetric Space中学习K单独的距离指标,而不是向量空间。然后,在SPD神经网络的嵌入层中,学习的K非重叠子集分为神经元。公共脑电图数据集的实验结果证明了尽管非平稳性质,但提出的脑电图信号的常见空间模式的拟议方法的优越性,在维持概括的同时提高了收敛速度。
对于商品和服务,制定在取消之前降低价格的计划,并以考虑到低收入群体状况的适当定价政策取而代之,并在必要时采取必要措施,向应得补贴的人提供支持和补贴;