无论你是谁、在哪里工作、做什么工作,我的建议是关注三件事。首先,要保持终身学习。职场格局正在迅速变化,我们知道今天所需的技能明天可能会有所不同。拥抱这种变化。寻找学习新技术的机会,因为适应能力和学会如何学习的能力将使你脱颖而出。其次,不要忘记人的因素。无论我们的技术变得多么先进,对人类同理心、道德判断和领导力的需求都无法被人工智能取代。培养这些技能。它们将成为你的支柱,让你在技术驱动的世界中脱颖而出。最后,想想你如何利用人工智能不仅来推进自己的职业生涯,而且对世界产生积极影响。你有机会应用这些不可思议的工具来解决紧迫的全球挑战,从气候变化到医疗保健。”
您可能会担心,如果您重新上班,您将失去所有好处。每个州都有专家可以帮助您了解期望和计划的期望。福利辅导员可以帮助您了解工作对您的公共福利的影响。他们向您展示如何减少帮助的需求。他们可以解释您维护健康保险的选择,即使现金福利消失了。您可以在您的州或当地职业康复办公室询问“工作激励计划和援助”或可用的“福利辅导员”。就业网络可以将您指向正确的方向,以找到福利顾问。
*通讯作者,电子邮件:cyprian.mieszczynski@ncbj.gov.pl摘要摘要McChasy Code的主要目标是,通过模拟在Cryselline结构和crysefters cryselline cropters cryselline cropters和collesters的过程中,在通道(RBS/c)中记录了Rutherford反向散射光谱实验实验,该光谱实验是在频道/c/c中复制了。该代码的2.0版本提供了模拟大型频道的可能性(Ca.10 8原子)基于晶体学数据或分子动态(MD)计算而创建的任意结构。在这项工作中,我们介绍了代码的当前状态以及最近对镍(Ni)单晶形成的扩展结构缺陷(边缘位错和位错环)的研究结果。描述了两种建模扩展缺陷的方法:一种使用McChasy Code(PEIERLS-NABARRO方法)开发的,另一种是通过MD(LAMMPS代码)对Ni结构进行修改和热化获得的另一种。由局部弹丸 - 通量密度分布在缺陷周围进行了定性和定量研究。1。在过去的几十年中,许多组对不同材料的辐射缺陷进行了广泛的研究。许多作者[1-4]将卢瑟福的反向散射光谱(RBS/C)技术用作分析离子植入单晶的结构特性的标准方法[1-4]。不幸的是,缺乏适当的RBS/C光谱分析和过度简化方法的工具,通常会引起误导性结果。因此,开发一个适当的工具,可以分别针对在研究晶体中形成的各种缺陷进行详细的定量分析。McChasy V.1.0是在八十年代末在国家核研究中心开发的[5,6]。该代码的第一个版本的主要原理是通过模拟He-ions在内部旅行