婴儿死亡率评估 (IME) 6 HTOL(高温工作寿命)测试 6 85/85(温度-湿度-偏差)测试(THB)7 压力罐测试 7 温度循环测试 7 高温存储测试 7 可靠性数据 8 表 3 Maxim 高频双极工艺的婴儿死亡率评估(在 150°C Tj 下)8 表 4。高温工作寿命测试 – CP1 工艺在 150°C Tj 下 10 表 5。高温工作寿命测试 – CB2 工艺在 150°C Tj 10 表 6。高温运行寿命测试 – CB3 工艺在 150°C Tj 11 表 7。高温运行寿命测试 – GST1 工艺在 150°C Tj 11 表 8。高温运行寿命测试 – GST2 工艺在 150°C Tj 11 表 8。高温运行寿命测试 – GST2 工艺在 150°C Tj(续)12 表 9。高温运行寿命测试 – GST3 工艺在 150°C Tj 13 表 10。高温工作寿命测试 – GST4 工艺在 150°C Tj 14 表 11。高温工作寿命测试 – MB1 工艺在 150°C Tj 15 表 12。85/85 测试(高频双极和 BiCMOS 工艺) 16 表 13。高压锅测试 适用于高频双极和 BiCMOS 工艺 18 表 14。温度循环测试 适用于高频双极和 BiCMOS 工艺 21 表 15。高温存储测试 适用于高频双极和 BiCMOS 工艺 25
这是仅当录制开启时对电池工作寿命的基本估计。当开启红外线、GPS 和/或网络连接时,应考虑额外的功耗。
1001.4 气压(降低) 1011.1 浸没 1015.1 稳态初级光电流辐照程序(电子束) 1016 绝缘电阻 1017.1 中子辐照 1018.6 内部气体分析(IGA) 1019.6 稳态总剂量辐照程序 1020.5 静电放电敏感度(ESD)分类 1021.4 防潮性 1022.7 耐溶剂性 1026.5 稳态工作寿命 1027.3 稳态工作寿命(样品计划) 1031.5 高温寿命(非工作) 1032.2 高温(非工作)寿命(样品计划) 1033 反向电压泄漏稳定性 1036.3 间歇工作寿命 1037.3 间歇使用寿命(样本计划) 1038.5 老化(二极管、整流器和齐纳二极管) 1039.4 老化(晶体管) 1040 老化(晶闸管(可控整流器)) 1041.4 盐雾环境(腐蚀) 1042.4 功率 MOSFET 或绝缘栅双极晶体管(IGBT)的老化和寿命测试 1046.3 盐雾(腐蚀) 1048.1 阻塞寿命 1049 阻塞寿命(样本计划) 1051.9 温度循环(空气对空气) 1054.1 封装环境压力测试 1055.1 监控任务温度循环 1056.8 热冲击(液体对液体) 1057.1 抗玻璃破裂 1061.1 温度测量,外壳和螺柱 1066.1 露点 1071.16气密密封 1080.1 单粒子烧毁和单粒子栅极破裂 1081.1 介电耐压
•平均而言,获得3级资格的学生每年的收入比在南约克郡市长合并期间没有正式资格的人每年赚取6,888英镑。这相当于工作寿命中大约261,000英镑的较高收入
婴儿死亡率评估 (IME) 6 HTOL (高温工作寿命) 测试 6 85/85 (温度-湿度-偏差) 测试 (THB) 7 压力罐测试 7 温度循环测试 7 高温存储测试 7 可靠性数据 8 表 3 Maxim 高频双极工艺的婴儿死亡率评估 (150°C Tj) 8 表 4. 高温工作寿命测试 – CP1 工艺,150°C Tj 10 表 5. 高温工作寿命测试 – CB2 工艺,150°C Tj 10 表6. 高温运行寿命测试 – CB3 工艺在 150°C Tj 11 表 7. 高温运行寿命测试 – GST1 工艺在 150°C Tj 11 表 8. 高温运行寿命测试 – GST2 工艺在 150°C Tj 11 表 8. 高温运行寿命测试 – GST2 工艺在 150°C Tj(续)12 表 9. 高温运行寿命测试 – GST3 工艺在 150°C Tj 13 表 10. 高温运行寿命测试 – GST4 工艺在 150°C Tj 14 表 11. 高温运行寿命测试 – MB1 工艺在150 ° C Tj 15 表 12. 85/85 测试(高频双极和 BiCMOS 工艺) 16 表 13. 高压锅测试 适用于高频双极和 BiCMOS 工艺 18 表 14. 温度循环测试 适用于高频双极和 BiCMOS 工艺 21 表 15. 高温存储测试 适用于高频双极和 BiCMOS 工艺 25
婴儿死亡率评估 (IME) 6 HTOL (高温工作寿命) 测试 6 85/85 (温度-湿度-偏差) 测试 (THB) 7 压力罐测试 7 温度循环测试 7 高温存储测试 7 可靠性数据 8 表 3 Maxim 高频双极工艺的婴儿死亡率评估 (150°C Tj) 8 表 4. 高温工作寿命测试 – CP1 工艺,150°C Tj 10 表 5. 高温工作寿命测试 – CB2 工艺,150°C Tj 10 表6. 高温运行寿命测试 – CB3 工艺在 150°C Tj 11 表 7. 高温运行寿命测试 – GST1 工艺在 150°C Tj 11 表 8. 高温运行寿命测试 – GST2 工艺在 150°C Tj 11 表 8. 高温运行寿命测试 – GST2 工艺在 150°C Tj(续)12 表 9. 高温运行寿命测试 – GST3 工艺在 150°C Tj 13 表 10. 高温运行寿命测试 – GST4 工艺在 150°C Tj 14 表 11. 高温运行寿命测试 – MB1 工艺在150 ° C Tj 15 表 12. 85/85 测试(高频双极和 BiCMOS 工艺) 16 表 13. 高压锅测试 适用于高频双极和 BiCMOS 工艺 18 表 14. 温度循环测试 适用于高频双极和 BiCMOS 工艺 21 表 15. 高温存储测试 适用于高频双极和 BiCMOS 工艺 25
婴儿死亡率评估 (IME) 6 HTOL (高温工作寿命) 测试 6 85/85 (温度-湿度-偏差) 测试 (THB) 7 压力罐测试 7 温度循环测试 7 高温存储测试 7 可靠性数据 8 表 3 Maxim 高频双极工艺的婴儿死亡率评估 (150°C Tj) 8 表 4. 高温工作寿命测试 – CP1 工艺,150°C Tj 10 表 5. 高温工作寿命测试 – CB2 工艺,150°C Tj 10 表6. 高温运行寿命测试 – CB3 工艺在 150°C Tj 11 表 7. 高温运行寿命测试 – GST1 工艺在 150°C Tj 11 表 8. 高温运行寿命测试 – GST2 工艺在 150°C Tj 11 表 8. 高温运行寿命测试 – GST2 工艺在 150°C Tj(续)12 表 9. 高温运行寿命测试 – GST3 工艺在 150°C Tj 13 表 10. 高温运行寿命测试 – GST4 工艺在 150°C Tj 14 表 11. 高温运行寿命测试 – MB1 工艺在150 ° C Tj 15 表 12. 85/85 测试(高频双极和 BiCMOS 工艺) 16 表 13. 高压锅测试 适用于高频双极和 BiCMOS 工艺 18 表 14. 温度循环测试 适用于高频双极和 BiCMOS 工艺 21 表 15. 高温存储测试 适用于高频双极和 BiCMOS 工艺 25
• AEC:汽车电子委员会 • AEC-Q:汽车合格 • ALT:加速寿命测试 • COTS:商用现货 • DC:直流电 • DUT:被测设备 • DPA:破坏性物理分析 • EEE:电气、电子和机电 • EEEE:电气、电子、机电和光电 • GSFC:戈达德太空飞行中心 • HAST:高加速应力测试 • HTOL:高温工作寿命 • IPA:异丙醇 • ISO:国际标准化组织 • LAT:批量验收测试 • MASCD:任务保证标准与能力部 • MIL:军用 • NEPP:NASA 电子零件与包装计划 • OSMA:NASA 安全与任务保证办公室 • PDA:允许缺陷百分比 • PMA:禁用材料分析 • PPM:百万分率