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tyrak l - ABB
abb.com › public PDF 2014 年 10 月 17 日 — 2014 年 10 月 17 日转换器设计的安全性和操作可靠性...接触器、空气断路器、数字输入板等的工作电压
SOD123FL-TVS-SMF系列200W-2
4。在t L 5处的铅温度。峰值脉冲功率。波形为tp = 10/1000us 6。根据工作峰值反向电压（V）选择瞬态抑制器，该电压应等于或大于或大于DC或连续峰值工作电压
SOD123FL-TVS-SMF系列200W-2
4。在t L 5处的铅温度。峰值脉冲功率。波形为tp = 10/1000us 6。根据工作峰值反向电压（V）选择瞬态抑制器，该电压应等于或大于或大于DC或连续峰值工作电压
SOD123FL-TVS-SMF系列-200W-2
4. TL 时的引线温度 5. 峰值脉冲功率波形为 tp=10/1000us 6. 根据工作峰值反向电压（V ）选择瞬态抑制器，其 RWM 应等于或大于直流或连续峰值工作电压水平
DC主链作为对
- 开发了转换器和逆变器的损耗模型，以及用于计算电缆损耗的功率流模型。- 在交流体系结构和直流骨干结构之间进行了比较研究，最初涉及发生的损失。随后，研究了能源和存储单元的聚集对自给自足和自我消费的影响。- 直流主链的工作电压在很大程度上决定了电缆损耗和转换损耗。此外，根据DC主链的拓扑结构，可以提供一个（单极）或两个（双极）不同的电压。电压不平衡，但可以使用电力电子设备来降低电压失衡。所有这些方面都是通过整体方法研究的，以确定最合适的工作电压和拓扑。- 尺寸DC电缆的尺寸与已经存在的标准的AC电缆相比，需要采用不同的方法。此外，在某些情况下，DC主链的电缆只能在其最大负载条件下工作。使用概率方法，将研究电缆的热负载能力，以确定技术经济上最佳的电缆部分。
小型卫星太阳能电池阵列驱动组件（...
单位质量 3.25 lbm 尺寸（长宽高） Ø4.6” x 4.8” 工作电压 22 VDC 电流消耗 0.45 A 输出扭矩 50 lbs-in 功率 10W 输出步长 0.018° 工作温度 -40 至 65°C 循环寿命 90,000 转输出 滑环补充 30 个环（15 个电源电路和 15 个回路）@ 3.0 A/电路
具有 Hf1-xZrxO2 栅极结构的低压工作 2D MoS2 铁电存储晶体管
铁电场效应晶体管 (FeFET) 因其良好的工作速度和耐用性而成为一种引人注目的非易失性存储器技术。然而，与读取相比，翻转极化需要更高的电压，这会影响写入单元的功耗。在这里，我们报告了一种具有低工作电压的 CMOS 兼容 FeFET 单元。我们设计了铁电 Hf 1-x Zr x O 2 (HZO) 薄膜来形成负电容 (NC) 栅极电介质，这会在少层二硫化钼 (MoS 2 ) FeFET 中产生逆时钟极化域的磁滞回线。不稳定的负电容器固有支持亚热电子摆幅率，因此能够在磁滞窗口远小于工作电压的一半的情况下切换铁电极化。 FeFET 的开/关电流比高达 10 7 以上，在最低编程 (P)/擦除 (E) 电压为 3 V 时，逆时针存储窗口 (MW) 为 0.1 V。还展示了强大的耐久性 (10 3 次循环) 和保留 (10 4 秒) 特性。我们的结果表明，HZO/MoS 2 铁电存储晶体管可以在尺寸和电压可扩展的非易失性存储器应用中实现新的机会。
恒温器目录_HC.20 - Heat&Cool Master CO.,LTD
技术数据： 1 工作电压：DC 12/24V 2 额定电流：8A(12V); 4A(24V) 3 尺寸：参见图纸。滚轮或转子 4 功能：该变速控制器可以控制电阻器任意调节风量。12/24V 与电阻器相同，无需添加其他部件。我们可以根据客户要求制作滚轮。5 外壳材料：黑色 ABS 6 红、黑、蓝和黄线，30cm 7 适用于加热器。加热器变速控制器
一种低电压下具有大存储窗口的电荷捕获存储器件的Gd掺杂HfO2单膜
近来，电荷捕获存储器（CTM）器件，例如硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅（SONOS）结构闪存，因其在 15 nm 节点以下进一步缩小的潜力而吸引了众多关注。1 与传统浮栅（FG）器件相比，CTM 器件具有可靠性更高、工作电压更低和制造工艺更简单等优点。1,2 然而，由于隧道氧化物和电荷捕获氧化物厚度的缩小，数据保留仍然存在许多挑战。3 为了克服这些固有的缺点，高 k 材料，例如 HfO2、Al2O3、TiOx、ZnO 和 ZrO2，已被引入到 CTM 器件中，以实现更好的电荷捕获效率和保留能力。4–10 此外，大存储窗口和低工作电压的理想共存仍然是一个巨大的挑战。目前大多数 CTM 器件在低于 6 V 的电压下工作时，存储窗口都可忽略不计。对于高 k 材料，掺杂已被证明是一种实现低功耗充电捕获存储器的潜在方法，例如 Zr 掺杂的 BaTiO 3 和氟化 ZrO 2 。11,12 Gd 掺杂的 HfO 2 (GHO) 是一种很有前途的高 k 材料，已被提出具有相对较高的陷阱密度、大的电导率
前瞻性生命周期评估研究
技术成熟度 (TRL) 中试规模 (TRL 6-7) 概念性 (TRL 1- 2) 实验室规模 (TRL 4) 工作电压 [V] 1.5 3.8 3.8 1.5 光学对比度 (ΔE * ) 17.3 17.5 10.6 切换时间 [秒] 2 最小循环次数 20* 封装 (第 2 层) UV 光聚合物 对电极 (第 2 层) N/A Ag N/AN/A Ag N/A 对电极 (第 1 层) C ITO 电致变色材料 (第 2 层) N/A PEDOT:PSS