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World File Search System工作电压
2023 Jinst 18 P07030
摘要：在过去的几年中，在几次梁测试活动中观察到，在电压下运行的电压比在实验室测试中安全操作的电压低得多时，它辐照了LGAD传感器的典型恒星形燃烧标记。本文提出的研究旨在确定这些传感器可以承受的安全工作电压。作为Atlas高粒度定时检测器（HGTD）梁测试的一部分，在两个测试梁设施（Hamburg）和Cern-SPS（Hamburg）和Cern-SP（Geneva）中测试了许多来自各种生产者的辐照传感器。将样品放在梁中，并在很长一段时间内保持偏置，以达到越过每个传感器的大量颗粒。两种光束测试都得出了类似的结论，即当传感器中的平均电场大于12 v/μm时，这些破坏性事件开始发生。
通过PCM冷却技术
随着温度的升高，太阳能电池板的效率降低，并且在阿拉伯沙漠等炎热环境中，散热成为一个严重的问题。本文研究了使用相变材料（PCM-OM37P）来维持接近环境的面板温度。在TABUK可再生能源和能源效率中心（REEEC）展示了GCL – P6/60265W太阳能电池板效率的增强。由于对这些太阳能电池板阵列进行了远程监控，因此我们能够确定冷却溶液的有效性。在高峰时段，使用PCM冷却PV面板已经实现了至少0.6V的下降电压。这对应于5至6°C的冷却温度。PCM冷却和参考PV面板之间工作电压的这种差异转化为功率增强百分比（PEP）约为3％。由于PV字符串配置，PEP值被低估了，其中操作电流被视为两个PV面板的平均值。
2306.12269.pdf
摘要：在过去的几年中，在多次光束测试活动中观察到，当在比实验室测试期间安全操作电压低得多的电压下操作时，辐照的 LGAD 传感器会断裂，并留下典型的星形烧痕。本文介绍的研究旨在确定这些传感器可以承受的安全工作电压。作为 ATLAS 高粒度定时探测器 (HGTD) 光束测试的一部分，来自不同制造商的许多辐照传感器在两个测试光束设施 DESY（汉堡）和 CERN-SPS（日内瓦）中进行了测试。将样品放置在光束中并长时间保持偏压，以使每个传感器上穿过的粒子数量达到最高。两次光束测试都得出了类似的结论，即当传感器中的平均电场大于 12 V/µ m 时，这些破坏性事件就会开始发生。
Aln/Algan/Aln双重异质结构的明显故障电压
Mie University，MIE 514-8507，日本摘要 - 超宽带隙（UWBG）材料（例如ALN）是一类材料的一部分，这些材料的一部分比传统的宽带隙（WBG）材料（例如GAN），例如GAN，例如GAN，允许更高的工作电压。在这项工作中，我们介绍了Aln/Algan/Aln双重异质结构的制造和DC/高压表征，这些异质结构是由Aln/Sapphire上的Metal Organic Chemical Vapor沉积重生的。报道了低于2µm的间距的泄漏电流约1100V的缓冲区分解，这对应于大约6 mV/cm的分解场。此外，晶体管在此异质结构上已成功制造，泄漏电流低和抗性低。确实已经达到了4.5 kV的击穿电压，而现状泄漏电流确实已经达到0.1 µA/mm。这些结果表明，Algan-Channel Hemts对高功率，高温未来的应用有希望。
iso7731.pdf
• 100Mbps 数据速率 • 强大的隔离屏障： – 在 1500V RMS 工作电压下预计使用寿命为 30 年以上 – 高达 5000V RMS 隔离额定值 – 高达 12.8kV 的浪涌能力 – ±100kV/μs 典型 CMTI • 宽电源范围：2.25V 至 5.5V • 2.25V 至 5.5V 电平转换 • 默认输出高 (ISO773x) 和低 (ISO773xF) 选项 • 宽温度范围：-55°C 至 +125°C • 低功耗，1Mbps 时每通道典型值 1.5mA • 低传播延迟：11ns 典型值（5V 电源） • 强大的电磁兼容性 (EMC) – 系统级 ESD、EFT 和浪涌抗扰度 – 跨隔离屏障的 ±8 kV IEC 61000-4-2 接触放电保护 – 低辐射 • 宽 SOIC (DW-16) 和QSOP（DBQ-16）封装选项 • 汽车版本可用：ISO773x-Q1 • 安全相关认证： – DIN EN IEC 60747-17（VDE 0884-17） – UL 1577 组件识别计划 – IEC 61010-1、IEC 62368-1、IEC60601-1 和 GB 4943.1 认证
如何隔离 RS-485 系统的信号和电源
第二种方法是使用集成解决方案，将数字隔离器和 RS-485 收发器整合在一个封装中。ISO1410 将 ISO7741 的核心隔离技术和 THVD1410 收发器整合在一个封装中。核心隔离技术能够实现 1500 Vpk 连续工作电压、增强型 5 kVrms 隔离额定值和 100 kV/us 典型共模瞬变抗扰度 (CMTI)。集成收发器在总线上提供高抗噪性，符合 Profibus 标准，具有 16 kV IEC 静电放电 (ESD) 和 4 kV IEC 电气快速瞬变 (EFT)，即使在工厂车间等嘈杂环境中也能确保可靠通信。与分立解决方案相比，ISO1410 具有额外的优势，即逻辑侧电源更宽，支持 1.71 V 至 5.5 V 以启用较低逻辑电平 MCU，总线侧电源支持 3 V 至 5.5 V。
科学期刊
微型超级电容器 (MSC) 作为微电子和微型便携式/可穿戴设备的有前途的电源而备受关注。然而，它们的实际应用受到制造复杂性和尺寸限制的阻碍。在这里，我们通过电流体动力学 (EHD) 喷射打印在芯片上开发了一类新型超高面积数密度固态 MSC (UHD SS-MSC)。据我们所知，这是第一项在 MSC 中利用 EHD 喷射打印的研究。活性炭基电极墨水采用 EHD 喷射打印，从而形成具有精细特征尺寸的交错电极。随后，引入免干燥、紫外线固化固态凝胶电解质以确保 SS-MSC 之间的电化学隔离，从而实现芯片上密集的 SS-MSC 集成和按需（串联/并联）电池连接。所得片上 UHD SS-MSC 表现出优异的面积数密度[芯片上集成 36 个单元格（面积 = 8.0 mm × 8.2 mm），54.9 个单元格 cm −2 ] 和面积工作电压（65.9 V cm −2 ）。
基于石墨烯的机电热开关
摘要 热管理是现代电子、航空电子、汽车和储能系统中面临的重要挑战。虽然通常使用被动热解决方案（如散热器或散热器），但主动调节热流（例如通过热开关或二极管）将提供对热瞬变管理和系统可靠性的额外控制程度。本文我们报告了第一个基于柔性、可折叠石墨烯膜的热开关，其工作电压低（约 2 V），热开关比高达约 1.3。我们还采用主动模式扫描热显微镜来实时测量设备行为和开关。针对基于双夹悬浮膜的热开关的一般情况，开发了一个紧凑的分析热模型，突出了热设计和电气设计挑战。系统级建模展示了调节温度波动和平均温度作为开关比的函数之间的热权衡。这些基于石墨烯的热开关为在密集集成系统中主动控制快速（甚至纳秒）热瞬变提供了新的机会。
900MHz 网络信号增强器的仿真与设计
A. 偏置电路设计 电源电压标准化为 12 VDC。通过正确设计偏置电阻，可实现所需的工作电压和电流 (Vce = 10Vdc 和 Ic =100mA DC)。在图 2 中，电阻 R1 和 R2 的值分别为 20 Ω 和 12.09K Ω。直流阻断电容器 (C2 和 C4) 确保没有任何直流电流从 RF 路径中的晶体管流出。C7 是一个滤波电容器，可将来自直流电源 (VCC) 的任何高频纹波接地。C2、C4 和 C7 的值分别为 10uF、10uF 和 18pF。RF 扼流圈 (L1 和 L2) 确保没有 RF 信号流入直流偏置电路。RF 扼流圈的设计应将我们的中心频率与直流偏置网络隔离开来。射频扼流圈的值通过以下公式计算：XL = 2πf( L ) (1) 根据此公式，射频扼流圈的值为 45nH；然而，在模拟过程中观察到，可以同时调整所有电抗元件以获得最大增益。
VGS 扫描范围对短沟道的影响...
随着 CMOS 技术缩放即将达到基本极限，对具有较低工作电压的节能器件的需求巨大。负电容场效应晶体管 (NCFET) 具有放大栅极电压的能力，成为未来先进工艺节点的有希望的候选者。基于铁电 (FE) HfO 2 的材料具有令人印象深刻的可扩展性和与 CMOS 工艺的兼容性，显示出将其集成到 NCFET 中以实现纳米级高性能晶体管的可行性。由于引入了 NC 效应，基于 HfO 2 的 NCFET 中的短沟道效应 (SCE) 与已经经过广泛研究的传统器件不同 [1]。具体而言，漏极诱导势垒降低 (DIBL) 在决定 SCE 的严重程度方面起着关键作用，在 NCFET 中表现出相反的行为。尽管人们已认识到施加电压对 NCFET 性能的影响 [ 2 ]，但栅极电压扫描范围（V GS 范围）对先进短沟道 NC-FinFET 中的 DIBL 的影响仍然缺乏研究。