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World File Search System工作电流
APN244 24 – 28 GHz GaN 功率放大器
i. 施加负栅极电压 (-8 V) 以确保所有器件均已关闭 ii. 将漏极偏压升高至约 10 V iii. 逐渐增加栅极偏压电压，同时监测漏极电流，直到达到工作电流的 20% iv. 将漏极升高至工作偏压 v. 逐渐增加栅极偏压电压，同时监测漏极电流，直到达到工作电流 e. 要安全地对 GaN 器件进行去偏压，请先对输出放大器级进行去偏压（如果适用）：
表面贴装保险丝基础知识 - Mouser Electronics
保险丝选择似乎很简单，你只需选择一个额定电流略高于最坏情况系统工作电流的保险丝即可。不幸的是，事情没那么简单。需要考虑工作电流和应用温度的降额问题。开机和其他系统操作（如处理器速度变化或电机启动）会导致电流激增或尖峰，在选择保险丝时也需要考虑这些因素。因此，为你的应用选择合适的保险丝并不像了解系统所消耗的标称电流那么简单。
RFM210LCF-S1 ASK/OOK无线接收模块
Fc 型号：RFM210LCF-315D 315 MHz 型号：RFM210LCF-433D 433.92 MHz 调制方式 ASK/OOK 灵敏度 1 Kbps -114 dBm 数据速率 DR 1 3.3 5 Kbps 接收带宽 330 KHz 电源电压 1.8 3.3 3.6 V 工作电流 433.92MHZ 3.8 4.2 mA 休眠电流 1 uA 镜像抑制 IMR 30 dB 工作温度 -40 +85 ℃
一种用于实现随机二进制尖峰时间相关可塑性的 CMOS-忆阻器混合系统
本文介绍了一个完全实验性的混合系统，其中使用定制的高阻态忆阻器和采用 180 nm CMOS 技术制造的模拟 CMOS 神经元组装了一个 4 × 4 忆阻交叉脉冲神经网络 (SNN)。定制忆阻器使用 NMOS 选择晶体管，该晶体管位于第二个 180 nm CMOS 芯片上。一个缺点是忆阻器的工作电流在微安范围内，而模拟 CMOS 神经元可能需要的工作电流在皮安范围内。一种可能的解决方案是使用紧凑电路将忆阻器域电流缩小到模拟 CMOS 神经元域电流至少 5-6 个数量级。在这里，我们建议使用基于 MOS 阶梯的片上紧凑电流分配器电路，将电流大幅衰减 5 个数量级以上。每个神经元之前都添加了这个电路。本文介绍了使用 4 × 4 1T1R 突触交叉开关和四个突触后 CMOS 电路的 SNN 电路的正确实验操作，每个电路都有一个 5 个十进制电流衰减器和一个积分激发神经元。它还演示了使用此小型系统进行的一次性赢家通吃训练和随机二进制脉冲时间依赖可塑性学习。
Infilex AC 空气处理机组控制器 NC-bus 通信规格/说明
JCS：日本电线电缆制造商协会标准 JIS：日本工业标准 KPEV：古河电工株式会社提供的电缆标准 注： *1 上面显示的配线长度是从 Infilex AC 到连接设备的总配线长度，包括与外部端子块之间的配线。*2 电源线和地线连接到 M3 螺丝端子。将端子接线片压接到电线末端。*3 通信线和输入/输出线连接到无螺丝推入式端子。剥去电线护套并连接电线。护套剥去长度：8 mm（不能使用针式端子。）*4 RTD（Pt1000）温度输入为两线制。考虑测量误差，因为电线电阻会导致测量误差。例如，1.25 mm 2 尺寸的电线会导致约每 10 m 测量误差为 0.1 °C。通过设置 Infilex AC 纠正测量误差。*5 当阀门/阻尼器连接到系统公共接线时，阀门/阻尼器工作电流流过公共线。因此，规格如上所示。对于 20 m 长的 IV 1.25 mm 2 电缆，需要 4 线连接以防止工作电流流过公共线。
深圳市感联微电子有限公司 (CT7481)
⚫ 工作电压：1.75V 至 5.5V ⚫ 平均工作电流：40uA（典型值）@1Con/s，Vcc = 3.3V ⚫ 关断电流：3.0uA（典型值） ⚫ 无需校准的温度精度：± 1 o C 从 20 o C 到 100 o C ⚫ 12 位 ADC，分辨率为 0.0625 o C ⚫ 数字接口兼容 SMBus 和 I 2 C ⚫ 通过设置配置 1 寄存器（RANGE 位）可将温度范围提高到 -64 o C 至 191 o C ⚫ 可编程过/欠警报和带滞后温度的热温度 ⚫ 串行电阻取消 ⚫ 热二极管故障检测 ⚫ 支持 SMBus 警报响应地址（ARA） ⚫ 温度范围： -40 o C 至 125 o C ⚫可用封装: MSOP-10 应用
CHT8305C 数字湿度和温度传感器
⚫ 工作电压：2.5V 至 5.5V ⚫ 平均工作电流：1.5uA（典型值）在 1.0con/sec、Vcc=3.3V（T&RH 转换）时。 3.0uA (最大值) ⚫待机电流: 0.05uA (典型值), 0.3uA (最大值) ⚫无需校准的温度精度: 最大值: ± 0.5 o C 从 0 o C 到 50 o C ⚫无需校准的湿度精度: 最大值: ± 3.0%RH 在 50%RH ⚫用于温度和湿度的 14 位 ADC ⚫兼容 2 线和 I 2 C 接口 ⚫可编程过温和/湿度警报响应 ⚫通过设置 AD0 引脚生成 4 个不同的从属地址 ⚫温度范围: -40 o C 至 125 o C ⚫湿度范围: 0%RH 至 100%RH ⚫可提供保护罩 应用
研究改善Nbox ...
为了在V点结构中获得最高的积分存储密度，单偏度单抗性（1S1R）结构中选择器的工作电流应与电阻随机访问存储器（RRAM）匹配。在这项研究中，选择器设备通过磁控溅射方法设计了TI/NBO X/TI/PT结构，并在超大合规性电流（CC）下实现了阈值切换的出色性能，最高为100 mA。此外，即使CC增加到CC级别，开关电压和设备的离子电阻都表现出极好的稳定性，这归因于开关层中金属NBO的存在。本研究提供了证据，表明Ti/NBO X/Ti/PT设备具有驱动V点结构中RRAM的巨大潜力。
HTS检测器磁铁演示器，基于3D打印的部分绝缘支撑缸
摘要 - 在这项工作中，我们扩展了基于3D打印的铝合金支撑结构的部分绝缘，超放射透明检测器磁铁技术的实验示例，其中包含10％的硅。该演示器磁铁的孔直径为390 mm，有效的壁厚为3.7 mm，其15回合对应于19米的HTS导体。磁铁的HTS导体由四个Rebco磁带组成，宽度为4毫米。我们测量了磁铁，在4.2 K处完全超导，工作电流为4.5 ka。磁场延迟到当前步骤的时间常数为83 s。该检测器磁铁技术可用于未来的粒子探测器磁铁，例如AMS-100电磁阀，其中关键设计要求之一是通过部分绝缘进行的被动自我保护，即使在本地损坏的导体中，也可以确保连续操作和稳定的磁场。
发动机管理系统控制
一般微处理器 — 32 位 33MHz，带时间协处理器质量标准制造标准 — IPC-S-815-A 3 级高可靠性保修零件和人工老化 — 50 至 70 摄氏度，持续 32 小时 ECU 控制软件存储在可更新内存中高 RFI 免疫力低热量产生电池瞬态保护环保密封电子设备防水连接器带镀金触点军用规格。连接器 外壳尺寸 (mm) 重量 (kg) 通信： - RS232（至 PC 或仪表盘记录器），通过可选接口电缆 气缸 发动机 2 冲程、4 冲程、旋转（1 至 4） 最大 RPM > 15,000 工作条件 内部温度范围（摄氏度） 环境温度（摄氏度）（取决于负载和通风） 工作电压 工作电流 反向电池保护 计算机软件 每个 ECU 附带的软件：EMP 程序 - 调整、设置和诊断 解释 - 数据分析