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TLV320AIC13 - 德州仪器
1 简介 1–1 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ................. ... . . . . . . . . . 2.1 订购信息 2–1 . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.2 端子功能 2–1 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.3 定义和术语 2–2 . . . . . . . ................................................................................................................................................................................................................................................. 3 功能描述 3–1 ........................................................................................................................................................................................................................................................................................ 3.1 工作频率 3–1 ........................................................................................................................................................................................................................................................................................ 3.1 工作频率 3–1 ........................................................................................................................................................................................................................................................................................................ 3.1.1 工作频率3.2 内部架构 3–1 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.2.1 抗混叠滤波器 3–1 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.2.2 Sigma-Delta ADC 3–1 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ...
BF7512AMXX CN-MCU-数据手册-V1.0
工作电压(V) 2.5~5.5 2.5~5.5 2.5~5.5 内核 1T 8051 1T 8051 1T 8051 工作频率 12M 12M 12M FLASH 16K 16K 16K SRAM 256+512 256+512 256+512 类EEPROM 2*512Bytes 2*512Bytes 2*512Bytes GPIO 14 18 26 KEY 14 18 26 ADC 14 18 26 Timer 3 3 3 PWM 2 2 3 INT 2 3 3 IIC 1 1 1 UART 2 2 2 LED 串行 6*7 7*8 8*8 封装 SOP16 SOP20/TSSOP20/QFN20 SOP28/TSSOP28
使用开关电池的超低频率DC-DC转换器
比例[1] - [2]。SCC输出阻抗与电容器值C fly和工作频率F SW的乘积成反比[3]。因此，将工作频率提高10倍或多或少地降低了具有相似因素的被动组件的足迹。但是，开关损耗增加了10倍，从而降低了功率效率。低功率 - 例如MW量表及以下 - 如图1如果保持大于90％的效率，则开关损耗限制了可实现的工作频率。由于工作频率有限，因此电容密度较高的电容器是增加功率密度（w/mm 3）[4] - [5]的替代方法。尽管如此，电容密度的增加限制为几个200 nf/mm 2 [6]（深部电容器），无法保持低功率下的不可忽略的开关损失。另外的电容器和电感器，第三能量
AlN 和 AlScN 薄膜 ICP 蚀刻微
随着对电子设备成本更低、性能更好、尺寸更小、可持续性更强的需求，微机电系统 (MEMS) 换能器成为受益于小型化的主要下一代技术候选之一 [1-3]。压电 MEMS 谐振器具有高品质因数和大机电耦合度，是射频 (RF) 系统中很有前途的产品 [4-8]。压电 MEMS 谐振器的主要材料是氮化铝 (AlN)、压电陶瓷 (PZT)、氧化锌 (ZnO) 和铌酸锂 (LN) [9-13]。近年来，掺杂 AlN 薄膜，尤其是氮化铝钪 (AlScN)，因其能提高 d 33 和 d 31 压电系数而备受研究 [14]。基于AlN和AlScN薄膜的压电MEMS谐振器凭借单片集成度高、性能优越等特点，受到越来越多的关注。MEMS谐振器种类繁多，如表面声波（SAW）谐振器[15，16]、薄膜体声波谐振器（FBAR）[17-19]。但SAW器件与CMOS工艺不兼容，FBAR的频率主要取决于压电层厚度，因此很难在一个芯片上实现多个工作频率或宽频率可调性。另一方面，基于AlN和AlScN的轮廓模式谐振器（CMR）与CMOS工艺兼容[20-24]。同时，工作频率和谐振频率与CMOS工艺兼容，而基于CMR的器件的工作频率和谐振频率与CMOS工艺不兼容。
毫米波 MMIC 的设计创新 - Qorvo
在现代微波和毫米波通信系统的设计过程中，设计人员必须对器件（晶体管、电容器、电感器等）进行特性分析频率范围很广，从接近直流到远远超出设计的工作频率。器件特性分析过程会生成电路仿真中使用的模型，模型的准确性决定了仿真的准确性，从而决定了首次成功的机会。模型准确性的一个重要因素是器件特性分析远远超出电路的工作频率，在许多情况下，需要对远远超出 110 GHz 的频率进行特性分析。超宽带 VNA，例如具有 70 kHz 至 220 GHz 单次扫描功能的 VectorStar™ ME7838G，可提供业界领先的测量，并实现最佳器件特性分析，从而实现精确的模型和电路仿真。
RFID 低频 高频 超高频
耦合模式 电感 电感 电磁反向散射 工作频率 125kHz – 134kHz 13.56MHz 860MHz – 960MHz 天线线圈 线圈偶极子 最大工作距离可达 1m 附近：可达 1m 近距离：可达 10cm
