PTEC C125 2 个学分(36 个讲座小时)OSHA 电气安全与施工锁定/挂牌评分模式:标准字母、通过/不通过转学分:CSU。本课程涵盖雇主在对机械和设备进行维修和维护活动时制定和实施能源控制计划或锁定/挂牌 (LOTO) 以保护工人的角色和责任。主题包括解释危险能量的类型、检测危险情况、实施与危险能量控制相关的控制措施、制定和实施能源控制计划(包括书面隔离程序)、对授权和受影响员工进行培训以及使用 OSHA 危险能量控制标准 (#7115) 定期检查能源控制程序。评分或通过/不通过选项。
微电子革命仍在继续。技术创新层出不穷,半导体器件、集成电路和系统的性能成本比不断提高。尽管这可能很有趣,但过去三十年的微电子历史对行业几乎没有直接好处。这本名为《先进 CMOS 工艺技术》的 VLSI 电子系列丛书提供了微电子领域一个高度相关的领域的当前快照。由于文中讨论的原因,CMOS(互补金属氧化物半导体)技术在现在和未来的电子系统中起着主导作用。在为本专著选择合适的材料时,我们指定了两个选择标准。首先,我们寻找对 CMOS 工艺技术的现在和未来发展水平至关重要的主题。其次,由于篇幅和时间限制,我们关注其他论坛中涉及最少的问题。除了介绍性评论和 CMOS 器件和电路考虑因素的背景外,我们将主题列表缩小到金属化、隔离技术、可靠性和产量。读者不应推断被省略的领域(包括光刻和蚀刻技术)排名较低。相反,这些主题在(例如)本 VLSI 电子学系列的早期卷中已经得到大量明确的审查。最后,我们指出,我们的目标是尽可能清楚地报告我们选择交流的 CMOS 工艺技术问题的现状,从而为全球微电子行业做出贡献。此外,我们试图尽可能准确地预测未来的发展。这种贡献是暂时的。我们希望业界能够通过创新、发明和托马斯·爱迪生那样的辛勤努力超越这本专著的技术内容。事实上,我们将本书献给工程师、科学家和技术经理,他们将使我们提出的许多技术问题变得过时。
图 4.2:1953 年推出的 K2-W 运算放大器(Dan Sheingold 供图) 脉冲编码调制 (PCM) 是早期数据转换器开发的第一个主要驱动力,Alec Hartley Reeves 被普遍认为是 1937 年 PCM 的发明者。(参考文献 7)。在他的专利中,他描述了一种真空管“计数”ADC 和 DAC(参见本书第 3 章)。20 世纪 40 年代,贝尔实验室继续开发数据转换器,不仅用于 PCM 系统开发,还用于战时加密系统。20 世纪 40 年代末和 50 年代初数字计算机的发展激发了人们对数据分析、数字过程控制等的兴趣,并产生了对数据转换器的更多商业兴趣。 1953 年,数据转换领域的先驱 Bernard M. Gordon 在马萨诸塞州康科德的地下室创立了一家名为 Epsco Engineering(现为 Analogic, Inc.)的公司。Gordon 之前曾参与 UNIVAC 计算机的研发,并看到了商业数据转换器的需求。1954 年,Epsco 推出了一款 11 位、50 kSPS 真空管 SAR ADC,称为 DATRAC。该转换器(如图 4.3 所示)通常被认为是此类设备的第一个商业产品。DATRAC 采用 19" × 26" × 15" 外壳,功耗为几百瓦,售价约为 8000.00 美元。虽然真空管 DATRAC 在当时确实令人印象深刻,但固态设备在 20 世纪 50 年代开始出现,最终彻底改变了整个数据转换领域
挑战/需求:水果、蔬菜、坚果和油等食物和植物中少量的生物活性化合物因其在预防慢性疾病方面的潜力而备受关注。这些化合物包括多酚、类胡萝卜素、维生素、ω-3 脂肪酸、有机酸、核苷、核苷酸和植物固醇,因其促进健康的功效而日益受到认可。随着消费者寻求通过个性化营养来提高生活质量的天然和可持续解决方案,生物活性化合物正成为有前途的疾病预防和治疗替代品。
气体传感器为多个新市场打开了大门。气体传感器越来越多地融入物联网生态系统,用于监测室内和室外的空气质量——例如可穿戴设备、智慧城市项目、用于污染测绘的传感器网络、智能家居电子产品和汽车技术。利用先进气体传感技术的另一个关键趋势是呼吸分析,旨在通过检测呼出气体中的生物标志物进行非侵入性诊断。此外,人类和机器人辅助微创手术导管中的压力传感器需要为外科医生提供触觉反馈。微型超声波传感器为微创医学成像开辟了可能性。然而,要进入大脑和体内较小的动脉,需要进一步微型化,这对目前的压力传感器技术提出了挑战。
-2 ) >10 >10 0.5 5 ~1 ? v 峰值 (10^7 cm/s) 1 0.7 2 2.5 2.7 ? E 临界 (MV/cm) 0.15 0.3 3 3.3 5.6 15 热导率 (W/cm K) 0.6 1.5 3.3-4.5 2 20 21 RF Johnson 的 FOM = E 临界 *v 峰值 0.7 1.0 29 39 72 ? 功率 Baliga 的 FOM = mn * E 临界 ^3 0.5 1.0 443 1441 4460 5698
- 董事认证计划 (DAP) 班 34/2005 - 董事认证计划班 168/2020 - 通过融资和投资在董事会取得成功 班 10/2021 - 成功制定和执行战略 班 34/2021 - 高管公司治理 班 18/2021 - 董事认证计划班 34/2022 - 董事会在并购中的作用 班 1/2022 - 战略董事会大师班 10/2022 工作经验(过去 5 年内) 在其他上市公司担任的职务
选择 Chart Industries(纽约证券交易所股票代码:GTLS)的中型模块化液化解决方案作为其即将推出的战略决策
关于 Tower Semiconductor Tower Semiconductor Ltd. (NASDAQ: TSEM, TASE: TSEM) 是领先的高价值模拟半导体解决方案代工厂,为消费、工业、汽车、移动、基础设施、医疗、航空航天和国防等不断增长的市场提供集成电路 (IC) 技术和制造平台。Tower Semiconductor 致力于通过长期合作伙伴关系及其先进创新的模拟技术产品对世界产生积极和可持续的影响,包括广泛的可定制工艺平台,如 SiGe、BiCMOS、混合信号 CMOS、RF CMOS、CMOS 图像传感器、非成像传感器、集成电源管理(BCD 和 700V)和 MEMS。Tower Semiconductor 还为 IDM 和无晶圆厂公司提供世界一流的设计支持,以实现快速准确的设计周期以及包括开发、转移和优化在内的工艺转移服务。为了向客户提供多晶圆厂采购和扩展产能,Tower Semiconductor 在以色列设有两家制造工厂(150 毫米和 200 毫米),在意大利设有一家制造工厂(300 毫米),
G 机械工程系统 140-155 H 系统可靠性 155-161 I 任务开发 161-163 J 通信与电源 164-165 K 集成与检查 166 L 控制与数字 167-170 M 可靠性与组件 170-171 N 航天器系统生产 171-172 O VLSI 设计 172-183 P 工艺技术 183-184 Q 复合半导体技术 184-185 R MEMS 设计与工艺技术 185-187 S IC 封装设计与开发 187-189 T 载人航天计划 189-192