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World File Search System工艺流程
深入了解 AM 商用铝合金的制造过程......
Elementum 3D 利用创新的反应性增材制造 (RAM) 技术引入了新的商用铝合金和高性能金属基复合材料，以与现有的增材制造设备配合使用。RAM 利用放热化学反应在增材熔合过程中原位合成产品材料。RAM 工艺可用于生产各种材料，但特别适合通过反应性合成陶瓷增强材料来生产陶瓷增强金属基复合材料 (MMC)。该工艺可以从针对工艺流程和铺展性进行了优化的较大 AM 原料粉末中合成亚微米陶瓷增强材料。亚微米增强材料还可在合金凝固过程中充当成核剂，以产生有利的细粒等轴铝微观结构。通过成核细等轴微观结构，该工艺克服了困扰许多铝合金的热裂性问题。通过少量合成陶瓷，2024 和 6061 等合金变得可打印，并且性能与锻造合金相当。增加陶瓷含量可提高强度、模量、耐磨性和高温性能，同时降低热膨胀系数和延展性。
短脉冲激光辅助制造 Si-SiO2 微冷却装置
摘要：热管理是要求最高的探测器技术以及未来微电子技术面临的主要挑战之一。微流体冷却已被提议作为现代高功率微电子散热问题的全面解决方案。传统的硅基微流体设备制造涉及先进的基于掩模的光刻技术，用于表面图案化。此类设施的有限可用性阻碍了其广泛开发和使用。我们展示了无掩模激光写入的相关性，它可以有利地取代光刻步骤并提供更适合原型的工艺流程。我们使用脉冲持续时间为 50 ps 的 20 W 红外激光器雕刻和钻孔 525 µ m 厚的硅晶片。使用阳极键合到 SiO 2 晶片来封装图案化表面。机械夹紧的入口/出口连接器使完全可操作的微冷却装置得以完成。该装置的功能已通过热流体测量验证。我们的方法构成了一个模块化微加工解决方案，可以促进共同设计的电子和微流体新概念的原型研究。
半导体技术工程硕士（1年）
NE 221 高级 MEMS 封装本课程旨在让学生为攻读 MEMS 和电子封装等更专业领域的高级课题做好准备，这些领域适用于各种实时应用，如航空航天、生物医学、汽车、商业、射频和微流体等。MEMS – 概述、小型化、MEMS 和微电子 -3 个级别的封装。关键问题，即接口、测试和评估。封装技术，如晶圆切割、键合和密封。设计方面和工艺流程、封装材料、自上而下的系统方法。不同类型的密封技术，如钎焊、电子束焊接和激光焊接。带湿度控制的真空封装。3D 封装示例。生物芯片/芯片实验室和微流体、各种射频封装、光学封装、航空航天应用封装。先进和特殊封装技术 - 单片、混合等、绝对压力、表压和差压测量的传感和特殊封装要求、温度测量、加速度计和陀螺仪封装技术、MEMS 封装中的环境保护和安全方面。可靠性分析和 FMECA。媒体兼容性案例研究、挑战/机遇/研究前沿。NE 235 微系统设计和技术
![arXiv:2107.08711v1 [cond-mat.supr-con] 2021 年 7 月 19 日](/simg/g:\will\search\icon\source\8\8ba25fe8f293fb12f49d315ea2184d09e66a926f.webp)
arXiv:2107.08711v1 [cond-mat.supr-con] 2021 年 7 月 19 日
在本文中，我们简要概述了约瑟夫森结的各种选项，这些选项应可扩展到纳米范围以用于纳米级数字超导技术。这种结应具有高临界电流 I c 和正常态电阻 R n 值。另一个要求是在制造过程中晶圆上结参数的高可重复性。我们认为“可变厚度桥”几何的超导体 - 正常金属 - 超导体 (SN-N-NS) 约瑟夫森结是满足这些要求的有希望的选择。在 S 电极之间的距离与 N 材料的相干长度相当的情况下，对 SN-N-NS 结进行了理论分析。对于流过结的电流为 I c 量级的结，推导出提供 S 电极中超导存在的结几何参数的限制。分析了结加热以及可用的散热机制。所得结果表明，可以使用成熟的工艺流程，利用广泛使用的材料组合（如 Nb/Cu）制造出具有高（亚毫伏）I c R n 乘积值的 SN-N-NS 结。结面积可以缩小到在 40 纳米工艺框架内制造的半导体晶体管的面积。
学术期刊工业研究 - 诗纳卡宁威洛大学
114 Sukumvit 23 Wattana Bangkok 10110 摘要这篇学术文章是各种知识和理解的集合。从工作文件、管理制度生产及工作经验笔者的工作具备了制造业工人的基本需求，发现当生产流程制定为支持作业时，参考质量管理体系或各种生产管理体系，这是国际公认的标准，有必要与或明确的信息国际标准并有助于创造持续改进。相互理解的信息将使其有助于沟通、收集和分析问题并进行演示，以形成正确的理解，这将有助于在工作的每个阶段建立基础知识和理解，从而使生产质量（无论是定量还是定性）成为可能。是每个行业的生产目标，从小规模到国际生产，为制造业工作做好准备的知识和理解包括制造的基本词汇和定义。生产工艺流程生产支持流程对生产中的工作绩效、问题特征、原因和各种解决方案进行测量和评价，以及用于收集、研究和分析生产数据的统计工具。用于继续工作和管理生产。 关键词：为制造业工作做好准备。
适用于扇出型晶圆级和面板级封装的细线和低应力 RDL 解决方案
本文通过 HRDP ®（高分辨率可剥离面板）技术介绍了一种新的 RDL 概念。它已受到业界的广泛关注，尤其是对于扇出型、芯片后置、晶圆级和面板级封装组件。本文介绍了 HRDP ® 的结构和材料。可提供各种尺寸和厚度的适用 HRDP ® 载体，用于圆形面板和带有玻璃或硅的方形/矩形面板，以满足客户要求。这可以简化流程并改善界面应力。本文详细介绍了使用 HRDP ® 的工艺步骤，这些步骤基本上使用 RDL 金属图案化中的现有工具（即光刻、显影/Descum 等），而不会破坏装配线布局和工艺流程。HRDP ® 与现有的电介质和光刻胶兼容。事实证明，基于凸块制造厂中用于 RDL 的电介质和光刻胶的功能，已经实现了 2/2 微米及以下的精细 L/S 几何形状。可靠性数据已共享。关键词 载体技术、HRDP ® (高分辨率可脱键面板)、机械脱键、线/间距 (L/S)、最后芯片、RDL、扇出型晶圆级 (FO-WLP)。面板级封装 (PLP)、热膨胀系数 (CTE)。
跨学科教育和科学项目
学科领域知识领域：14 个“电气工程”和 17 个“电子、自动化和电子通信”。专业：141个“电力工程、电气工程和机电工程”（50%）和176个“微与纳米系统工程”（50%）。研究和活动对象： - 可再生能源电能的生产、传输、分配和消费过程；可再生能源微纳米系统设备制造的操作原理和工艺流程；可持续能源技术。 - 能源领域的科研机构、设计机构和组织、电力和电气工程综合企业、电气工程公司。学习目标：培养解决设计和运行可持续可再生能源系统的实际任务和科学问题的能力；研究可再生能源微纳米系统技术的材料和器件的现有技术和开发新技术。学科领域的理论内容：可再生能源电力系统运行模式建模、分析和优化的基本原理和方法；可再生能源微系统和纳米系统技术的构建和功能基础。方法、技术和技术：使用专门设备和计算机设计、建模电力设施和系统的运行和控制，测量和建模可再生能源材料、设备和系统的特性。仪器和设备：微和纳米系统工程的电气仪器和设备、控制和测量仪器、计算机设备、用于计算参数和建模电气和微电子系统的软件、项目文档的开发和维护。
N 型隔离 CMOS 和 HV MOSFET 的开发
摘要 — 本文报告了一种完全集成但隔离的低压 (LV) CMOS 与高压 (HV) 横向功率 MOSFET 的设计和工艺流程，该 CMOS 位于 6 英寸 4H-SiC 基板上，用于开发 HV SiC 功率 IC。用于开发功率 IC 的外延堆栈（N + 基板上的 N - 外延/P - 外延）经过优化，以容纳和隔离 HV 器件和电路与 LV 器件和电路。本文报告的器件是在位于加利福尼亚州圣何塞的 150 毫米生产级 Analog Devices Inc. (ADI) Hillview 制造工厂制造的。本文中的 HV 横向 NMOSFET 在栅极源电压 (V gs ) 为 25V 时表现出 620V 的击穿电压 (BV) 和 9.73 mΩ⸱cm 2 的特定导通电阻 (R on,sp )。采用单栅极氧化物和欧姆工艺制造 HV NMOS 和 LV CMOS 器件和电路。实施了结隔离，以隔离高压和低压块，从而设计高压电源 IC。最后，这项工作实施了高压三金属层后端 (BEOL) 工艺，这是开发可靠和坚固的电源 IC 的必要条件。对于未来的高温应用，器件的静态性能经过表征，并报告高达 200 o C 的温度。
玉米种子淀粉生物合成基因工程在生物乙醇生产过程中实现淀粉的高效酶消化
摘要：玉米种子中积累了大量的淀粉，被人类和动物用作食物。玉米淀粉是生产生物乙醇的重要工业原料。生物乙醇生产的一个关键步骤是通过α-淀粉酶和葡糖淀粉酶将淀粉降解为寡糖和葡萄糖。此步骤通常需要高温和额外的设备，导致生产成本增加。目前，仍然缺乏专门设计的具有优化淀粉（直链淀粉和支链淀粉）组成的用于生物乙醇生产的玉米品种。我们讨论了适合高效酶消化的淀粉颗粒的特征。迄今为止，在玉米种子中淀粉代谢的关键蛋白质的分子表征方面已经取得了很大进展。本综述探讨了这些蛋白质如何影响淀粉代谢途径，特别是在控制淀粉的组成、大小和特征方面。我们强调了关键酶在控制直链淀粉/支链淀粉比率和颗粒结构方面的作用。基于目前利用玉米淀粉生产生物乙醇的工艺流程，我们提出可以通过基因工程改变几种关键酶的丰度或活性，以在玉米种子中合成易降解的淀粉颗粒。本综述为开发用于生物乙醇工业的专用玉米品种提供线索。
![引用：GQ Han 和 Y Hao，面向 3 纳米以下技术节点的设计技术协同优化[J]。J. Semicond.，2021，42(2)，020301。http://doi.or](/simg/g:\will\search\icon\source\2\28acddce6f44f3281e206ba16d97d6c027ce9094.webp)
引用：GQ Han 和 Y Hao，面向 3 纳米以下技术节点的设计技术协同优化[J]。J. Semicond.，2021，42(2)，020301。http://doi.or
在过去的半个世纪里，摩尔定律在半导体领域的发展中扮演了至关重要的角色，而半导体领域的发展直接依赖于大约每两年一次的维度缩放。在每个技术节点上，微芯片的性能、功率、面积和成本 (PPAC) 都有望实现显著提升。然而，通过提高分辨率技术实现的激进间距缩放变得越来越难以维持。短沟道效应，例如高漏电流、漏极诱导势垒降低效应，会大大降低器件性能。因此，由于优越的静电可控性，器件架构从平面迁移到 3D 鳍状结构已被采用，以继续进一步缩放的步伐。目前，2020 年 5 纳米技术节点的栅极长度已令人难以置信地缩小到 12 纳米以下，接近量子力学极限。为了解决持续缩放问题，已经开发出一种工艺流程和设计定义之间的联合设计技术协同优化 (DTCO) 工作，它有助于通过及早识别缩放瓶颈并找到不会给设计或工艺点带来过重负担的路径来管理先进技术节点的提升。借助这种方法，摩尔定律可以继续推动其向 3 纳米以下节点迈进。