XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search System布拉沃
凯尔·E·基南指挥军士长
基南的任务和职位包括：德国施韦因富特 1-18 印第安纳波利斯第 2 旅第 1 步兵团总部和总部连 (HHC) 侦察员至小队领导；纽约州德拉姆堡 1-89 骑兵第 2 旅第 10 MTN 师 (LI) 查理小队侦察组士官；佐治亚州摩尔堡 2-54 印第安纳波利斯连队教练士官和高级教练士官；纽约州德拉姆堡 3-71 骑兵第 3 旅第 10 MTN 师 (LI) 布拉沃小队排长；纽约州德拉姆堡 3-71 骑兵第 3 旅第 10 MTN 师 (LI) 总部和总部小队 S-3 行动士官和 SFAAT 士官战术空军士官和旅高级士官长，旅战术部，美国军事学院，西点，纽约；部队一等军士，阿帕奇部队，3-61 CAV 第 2 旅第 4 步兵师，科罗拉多州卡森堡；旅一等军士，担任部队一等军士，第 2 旅第 4 步兵师，科罗拉多州卡森堡；助理组长/中队作战军士长，第 3 中队第 2 安全部队旅，北卡罗来纳州自由堡；中队指挥军士长，1-89 CAV 第 10 MTN 师第 2 旅，纽约州德拉姆堡：以及旅指挥军士长，第 3 旅美国陆军学员司令部，伊利诺伊州大湖区。
塞缪尔·W·摩根三世 (Samuel W. Morgan III) 上校 - PEO ACWA - Army.mil
他曾任以下职务：2001 年 1 月至 2003 年 5 月，德克萨斯州胡德堡（2023 年起更名为卡瓦佐斯堡）第 4 步兵师运输汽车公司中型卡车排长、重型设备运输排长和公司执行官；2003 年 1 月至 7 月，洪都拉斯布拉沃联合特遣部队 J4 参谋；2004 年 4 月至 2006 年 3 月，韩国美国第八集团军海上终端官和计划官；2006 年 4 月至 2007 年 9 月，北卡罗来纳州布拉格堡（2023 年起更名为自由堡）第 82 空降师助理师级运输官；2007 年 9 月至 2009 年 6 月，北卡罗来纳州布拉格堡第 82 旅支援营、第 3 旅战斗队配送连指挥官；北卡罗来纳州布拉格堡第 3 旅战斗队助理 S4，2009 年 6 月 - 2010 年 5 月；马里兰州米德堡第 902 军事情报大队反情报组 S4 组，2010 年 6 月 - 2013 年 6 月；佛罗里达州麦克迪尔空军基地美国特种作战司令部联合后勤作战官，2013 年 6 月 - 2015 年 7 月；北卡罗来纳州布拉格堡联合特种作战司令部特种作战后勤支援部门指挥官，2015 年 7 月 - 2018 年 6 月；新泽西州皮卡汀尼兵工厂驻军指挥官，2018 年 6 月 - 2021 年 7 月；伊利诺伊州斯科特空军基地地面部署和配送司令部 G5 战略和计划主任，2021 年 7 月 - 2024 年 6 月。摩根的部署包括前往洪都拉斯、阿富汗和伊拉克。
尼加拉瓜 1992 - 拉丁美洲研究
这些条件以及本调查将要讨论的其他条件要求在向该国提供进一步的美国援助之前做出重大改变。在恢复对尼加拉瓜的任何美国援助之前，应满足以下条件：I.在 1992 财政年度不应向尼加拉瓜政府提供直接援助，在 1993 财政年度不应提供任何援助，直到：A 所有美国公民的财产索赔都已得到解决。在索赔人为每一件被盗财产确定“finiquito”之前，不应认为索赔已解决。应成立一个由非桑地诺人员组成的独立委员会来裁决那些被毁或价值贬值的财产的索赔。该委员会应完全公正并为国务院所接受。B.已建立并实施了公平的程序，以与美国公民相同的程序解决尼加拉瓜公民的财产索赔问题。C. 桑地诺人民军领导层被替换。在红衣主教奥班多·布拉沃的领导下成立了一个委员会，该委员会由人权组织、前尼加拉瓜抵抗运动和尼加拉瓜私营部门人员的代表组成，负责监督过渡的各个方面。D. 已任命一名非桑地诺官员，该官员必须包括前抵抗运动战斗人员作为候选人，负责指挥武装部队、国家警察和内政部副部长。桑地诺民族解放阵线不得在总参谋部或政府的任何军事或民事组织中占据超过 40.8% 的职位（这是他们在 1990 年大选中获得的确切百分比）。前抵抗军战斗人员和上文第 (C) 段设立的委员会批准的其他社会成员将填补剩余职位。。E. 查莫罗总统已任命尽可能多的新法官进入最高法院，以便桑地诺民族解放阵线不再控制该法院。此外，整个司法系统应进行改革，使其不受桑地诺民族解放阵线控制。这些新成员必须由第 I (C) 段设立的委员会批准。F. 对尼加拉瓜抵抗运动成员遭受酷刑和谋杀的事件进行了彻底和专业的调查和起诉。其中必须包括前抵抗运动指挥官恩里克（xi）的谋杀案
纳米材料和生物结构的消化杂志卷。 19，第2号，2024年4月至6月，第2页。 669-677 GAA和GAAS的表征
Digest纳米材料和生物结构杂志卷。 div>19，编号2，2024年4月至6月，第2页。 669-677 Characterization of Gaas and Gaas/Cr/Gaas Interfacial Layers Fabricated Via Magnetron Sputtering on Silicon (100) Camilo Pulzara-Mora A, José Doria-Andrade B, Roberto Bernal-Correa C, Andrés Rosales-Rivera D, Álvaro Pulzara-Mora *A A Laboratory of Nanoestructure Semiconductor,哥伦比亚国立大学的精确和自然科学学院，曼尼扎尔总部，170004，哥伦比亚。 div>。 div>b物料学实验室，工程学院，帕斯卡尔·布拉沃，麦德林，哥伦比亚哥伦比亚C研究所，Orinoquía研究所，哥伦比亚国立大学，Orinoquia总部，Orinoquia总部，公里9VíaArauca-CañoLimón，Arauca哥伦比亚，曼尼扎莱斯总部，曼尼扎莱斯，曼尼扎尔，曼尼扎尔170004，哥伦比亚。 div>获得半导体材料的获得和研究数十年来一直是感兴趣的主题。 div>但是，在应用时允许更大多功能性的替代方案尚未被阐明，例如包含子过渡金属。 div>在这项工作中，我们报告了由R.F.制备的GAAS和GAAS/CR/GAAS层获得的。 div>磁铁溅射在Si（100）底物上分别改变中间Cr层的沉积时间T = 5分钟和10分钟。 div><进行横截面中的Divanning电子显微镜，以确定GAAS和GAAS/CR/GAAS膜的生长模式。 div>在这种情况下，CR原子可以在金属sublatice中代替甘露原子或通过沿整个层厚度的横截面中的能量色散光谱（EDS）确定了GAAS/CR/GAAS薄膜中元素的百分比。X射线衍射和微拉曼光谱在室温下测量，以分析CRA和GACR二进制相的形成，通过跨层间的扩散。最后，我们得出结论，该技术可能使用该技术获得具有CR包含的半导体合金。（2024年1月22日收到； 2024年4月26日接受）关键词：磁控溅射，拉曼光谱，X射线1。引言在光电行业中使用III-V半导体材料的使用增加了近年来科学界的重大挑战[1,2]。有必要降低生产成本，提高效率并发现设备设计，以使其应用程序更具多功能性。目前正在进行的研究的一个例子涉及与CR，FE，MN等过渡金属等过渡金属掺杂这种类型的半导体。这种耦合允许物理特性的结合，因此打开了各种适用性[3,4]。在GAAS（砷化甘蓝）的情况下，已经存在一个实质性的科学和实验知识库[5]，使其成为与提到的一些元素耦合的潜在候选者[6,7]。铬是III-V半导体（例如GAN和GAAS）中发展室温铁磁性的转型金属[11-13]。Arsenide是一种半导体化合物，在室温下直接带隙能量为1.42 eV，由于其各种应用作为红外光发射器，高效太阳能电池（η〜29％）[8]，现场效果晶体管[9]，以及在室温下的电源辐射检测[10]，广泛用于当前技术。