最新的CLIQ芯片生成旨在实现未来的范围,具有AES加密和快速处理速度以及有效的能源管理。钥匙和气缸之间的电子接触可确保安全数据传输。该系统由钥匙内部的电池提供动力,提供了典型的10年寿命。它最多可用于200,000个周期。安装广泛的锁定气缸和挂锁非常简单,因为不需要布线。只需用单个螺钉换换机械气缸即可。
AVT-085专家会议为新/现有技术和物流管理流程的开发和实施战略提供了指导,从而能够优先考虑机队管理能力和研发方案。重点是军用飞机,但讨论的许多原则也适用于其他防御系统。这些论文涵盖了老化问题的各个方面,包括结构完整性、腐蚀、航空电子设备、机械子系统、结构和布线。其他交流则致力于讨论信息管理在老龄化问题中的作用。
为了跟上这种增长,数据中心率先实施数字技术,以加强其电力基础设施并确保最大正常运行时间。这些数字解决方案涵盖能源监控和管理以及资产智能,可提供预测和避免代价高昂的停机所需的智能和可视性。除了提供有助于改善运营的宝贵见解外,数字解决方案还可以显著简化硬件和布线,使其易于安装和维护,从而降低运营成本。
“我们很高兴获得这项重要任务,尤其是因为这项技术在电动汽车的能源管理中起着关键作用。” Marelli 电力传动系统部门总裁 Hannes Prenn 表示。“这进一步加强了我们与全球汽车制造商的合作,也是对 Marelli 多年来在开发不同架构的 BMS 方面积累的丰富经验的认可,这些 BMS 可以满足我们客户的特定需求,并与他们共同打造未来的汽车。” 获奖的电池管理系统将由 Marelli 位于意大利和日本的电力传动系统团队开发和测试。该系统计划于 2026 年开始生产,为汽车制造商的各个工厂供货。BMS 将基于分布式架构,需要的线束更少。该系统(简而言之,其作用是监控和控制电池)将所有与锂电池单元相关的硬件集成到电池模块控制器 (CMC) 上,该控制器直接放置在被监控的电池模块上。该解决方案减少了大量的布线,布线仅限于相邻 CMC 模块之间的几条传感器线和通信线。因此,每个 CMC 都更加独立,并根据需要处理测量和通信。电池管理系统的主要任务是管理电池的存储电量和容量,以便为车辆提供能量,同时检查和提供有关电池的信息
后地段配电住宅地下服务布线注意事项:(所有注意事项均参见第 3-1-9 页的后地段 URD 布线指南。)1. 如果存在露台式门或窗墙,则假设将建造露台或甲板。2. 不能在相邻地段上开沟,除非在需要到达基座或变压器的地役权范围内。3. 如果电缆要从现有路面、人行道、车道等下方穿过,则需要使用导管。安装导管时,费用由客户承担。4. 有关布线规格,请参阅 SIM-ESIG 第 3-3-1 至 3-4-1 页。5. 此图显示了从地下住宅配电安装的服务,但也适用于从架空配电安装的地下服务。6. 如果拟建的独立车库与服务基座位于地段的同一侧,则需要 30 英尺的管道来保护车库建设期间的电缆。在物业线内 18 英寸处安装管道。管道由 DTE Electric 提供并安装,费用由客户承担。7. 服务不得对角安装。在物业线内 18 英寸处(不在地役权内)安装与地界平行的电缆,直至与仪表位置垂直。8. DTE 最终可能会将配电线和服务点移至住宅。可接受的仪表位置应为房屋一侧(如有必要,房屋前部也可以)靠近服务基座的区域,距离房屋后部最多 3 英尺。如果建筑物有车道,最好将仪表放置在与车道相反的房屋一侧。尽可能避免使用围栏区域。9. DTE Electric 规划师必须批准可接受区域以外的位置。费用将包括客户提供并安装的管道(带鱼线),从可接受区域的边缘一直延伸到仪表箱,加上拉动客户安装的管道中的服务电缆的不可退还的费用。客户安装的管道的最大弯曲度总计为 270。此数字包括立管处的 90 度弯曲。10. 客户可以选择为新住宅提供沟槽和/或导管
地下服务 3-1-8 FEB 16 后地段配电住宅地下服务布线注意事项:(所有注意事项均参考第 3-1-9 页的后地段 URD 布线指南。)1. 如果存在露台式门或窗墙,则假定将建造露台或甲板。2. 不能在相邻地段开沟,除非在需要到达基座或变压器的地役权范围内。3. 当电缆从现有路面、人行道、车道等下方穿过时,需要使用导管。安装导管时,费用由客户承担。4. 有关布线规格,请参阅 SIM-ESIG 第 3-3-1 至 3-4-1 页。5. 本图显示了从地下住宅配电安装的服务,但也适用于从架空配电安装的地下服务。 6. 如果拟建的独立车库与服务基座位于地块的同一侧,则在车库建设期间需要 30 英尺长的管道来保护电缆。在地界内 18 英寸处安装管道。管道由 DTE Electric 提供并安装,费用由客户承担。7. 服务不得对角安装。在地界内 18 英寸处(不在地役权内)安装与地界平行的电缆,直至与仪表位置垂直。8. 可接受的仪表位置应为房屋靠近服务基座一侧的区域,且不超过房屋后部 3 英尺的区域。尽可能避免使用围栏区域。9. DTE Electric 规划师必须批准可接受区域以外的位置。费用将包括客户提供并安装的管道(带鱼线),从可接受区域的边缘一直延伸到仪表箱,加上用于在客户安装的管道中拉服务电缆的不可退还的费用。客户安装的管道的最大弯曲度总计为 270。此数字包括立管处的 90 度弯曲。10. 客户可以选择为新住宅服务提供沟槽和/或导管,前提是其符合上述准则并符合 DTE 电气公司可接受的规格。DTE 电气公司对因使用这些规格而造成的伤害或损害不承担任何责任。SIM-ESIG SIM-ESIG:3-1
AVT-085 专家会议为新/现有技术和物流管理流程的开发和实施战略提供了指导,从而确定了机队管理手段以及研究和开发选项的优先事项。重点是军用飞机,但讨论的许多原则也适用于其他防御系统。这些论文涵盖了老化问题的各个方面,包括结构完整性、腐蚀、航空电子设备、机械子系统、结构和布线。其他交流则致力于讨论信息管理在老龄化问题中的作用。
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▪“包装光子系统包装的动机(PSIP)”▪包装概念▪MOPA系统作为一个示例的实验结果▪包装设计▪玻璃结构(金属布线,空腔,滑动,镜面,镜面,镜面)▪层堆叠和密封件,划分•逐步划分•进一步划分•进一步划分•进一步的构建•▪进一步的构建▪▪▪▪▪▪•▪•▪进一步的构建▪▪▪▪▪▪•▪•▪•▪•平面外耦合▪纤维耦合▪通用图片测试平台▪2PP,用于印刷微观磁带和光子线键▪取回回家消息
摘要 本研究开发了用于三维集成电路 (3D-IC) 的背面埋入金属 (BBM) 层技术。该技术在每个芯片背面的大片空白区域引入用于全局电源布线的 BBM 层,并与芯片正面布线并联。电源 (V DD ) 和地 (V SS ) 线的电阻因此而降低。此外,由于 BBM 结构埋入 Si 衬底中并具有金属-绝缘体-硅结构,因此可充当去耦电容。因此,引入 BBM 层可以降低电源传输网络的阻抗。3D-IC 的 BBM 层制造工艺简单,并且与后通孔硅通孔 (TSV) 工艺兼容。利用该工艺可以在 CMOS 芯片(厚度:43 µm)背面埋入由电镀 Cu(厚度:约 10 µm)组成的 BBM 层,并通过直径 9 µm 的 TSV 将 BBM 与芯片正面布线相连。 关键词 三维集成电路(3D-IC),背面埋入金属(BBM)层,硅通孔(TSV),供电网络 I. 引言 采用硅通孔(TSV)的三维集成电路(3D-IC)技术[1]–[5]是生产先进、高速、紧凑和高功能电子系统的有效方法。然而,堆叠多个芯片会导致电路设计的电源完整性问题。例如,由于可用于电源和地线的 TSV 数量有限,3D-IC 中的 IR 压降会增加。此外,在 3D-IC 中同时切换堆叠芯片时,会产生很大的同时切换噪声(di/dt 噪声)。这种同步开关噪声会在电源输送网络 (PDN) 中产生不可预测的电压变化,从而导致系统故障。为了解决这一电源完整性问题,不仅必须在电路板/中介层级降低 PDN 的阻抗,还必须在芯片级降低 PDN 的阻抗,并提高电源输送的可靠性。先前的研究提出了一些降低芯片级 PDN 阻抗的方法。第一种方法是加宽电源线/地线。这种方法非常简单,但由于线路资源有限,难以应用。
