在过去的几十年中,数字和模拟集成电路的集成密度和性能经历了一场惊人的革命。虽然创新的电路和系统设计可以解释这些性能提升的部分原因,但技术一直是主要驱动力。本课程将研究促成集成电路革命的基本微制造工艺技术,并研究新技术。目标是首先传授构建微型和纳米器件的方法和工艺的实际知识,然后教授将这些方法组合成可产生任意器件的工艺序列的方法。虽然本课程的重点是晶体管器件,但许多要教授的方法也适用于 MEMS 和其他微型器件。本课程专为对硅 VLSI 芯片制造的物理基础和实用方法或技术对器件和电路设计的影响感兴趣的学生而设计。30260133 电子学基础 3 学分 48 学时
tencent Robotics X,中国深圳05/2024 - 10/2024 Intelligent Agent Group研究实习生开发了一种使用具有低级控制政策的VLM桥接高级计划的方法。VLM指导的轨迹条件扩散政策已提交给ICRA2025。Avanade&UCL,英国伦敦10/2020 - 05/2021软件工程师开发并带领三人组成的团队创建了一个AI-Driention移动应用程序,旨在促进回收实践。该应用程序标识可回收项目,并通过奖励系统激励回收利用。Citrix Systems,中国北京07/2020 - 09/2020软件工程师Camp Camp carpus Star&Silver Prive开发了一种用于监视和管理虚拟机弹出窗口的应用程序,从而提高了虚拟化平台的安全性和操作效率。
MD. FATIN ISHRAQUE 助理教授,孟加拉国帕布纳科技大学(PUST)电气、电子与通信工程(EECE)系,帕布纳 6600。邮箱:fatineeeruet@gmail.com;fatin@pust.ac.bd;现住址:孟加拉国帕布纳 Monsurabad R/A,GA 区,5 号路,174 号楼。永久地址:孟加拉国朗布尔,5400,朗布尔萨达尔,Khalifapara,17 号病房,651/006 号楼。手机:+8801712501856 Google Scholar 链接:https://scholar.google.com/citations?user=rhfdJuYAAAAJ&hl=en ORCID ID:0000-0003-0863-5169 LinkedIn ID:https://www.linkedin.com/in/fatineee ResearchGate 个人资料:https://www.researchgate.net/profile/Md- Ishraque Scopus 个人资料:https://www.scopus.com/authid/detail.uri?authorId=57215128649
核心课程:BI 225 植物学 4 学分。BI 226 动物学 4 学分。BI 231 分子细胞生物学入门 3 学分。BI 306 生物文献 3 学分。BI 320 遗传学 4 学分。BIOL 0240 遗传学概论 BI 326 生物伦理学 3 学分。BI 415 高级研究 3 学分。NS 220 应用统计与实验设计 3 学分。NS 302 自然科学当代文献 1 学分。NS 401 自然科学研讨会 1 学分。CH 107 普通化学 I 3 学分。CHEM 0111 大学化学 I 讲座 CH 107L 普通化学 I 实验室 1 学分。CHEM 0111 大学化学 I 实验室 CH 108 普通化学 II 3 学分。 CHEM 0112 大学化学 II 讲座 CH 108L 普通化学 II 实验室 1 学分。 CHEM 0112 大学化学 II 实验室 CH 317 有机化学 I 3 学分。 CHEM 0211 有机化学 I CH 317L 有机化学 I 实验室 1 学分。 CHEM 0213 有机化学 I 实验室 CH 318 有机化学 II 3 学分。 CHEM 0212 有机化学 II CH 318L 有机化学 II 实验室 1 学分。 CHEM 0214 有机化学 II 实验室 PY 155 物理概念 I 4 学分。 NASC 0231 普通物理 I PY 156 物理概念 II 4 学分。 NASC 0232 普通物理 II