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World File Search System带状结构
可调磁力和kagome材料中的带状结构reti3bi4家族具有弱层相互作用
国家固体微观结构实验室，物理学学院，材料科学和智能工程学院，南京大学高级微观结构合作中心，南京大学，南京210093，B北京国民北京国家实验室，北京国民实验室，北京凝聚力物理学，物理学，研究所，中国北非科学院，北非。 d在上海微型系统与信息技术研究所（SIMIT），中国科学学院，上海200050年中国E上海同步辐射设施，上海高海高级研究所中国科学院，中国科学院中国科学院，中国科学院，中国科学院，中国科学学院，中国国家科学院，中国纽约州纽约大学及化学实验室，CORIDIANTION，COMODIANTION，CONEDINAL NENAN CONEMINISTION，CHICORINATION CHICORINIAND，COMODINAIDE，CHICORINATY CONIDIANT，CHICORINATY CONIDINAL，CHICONINIDER，南京210023，中国Nanjing 211806，中国h国家同步加速器辐射实验室，中国科学技术大学，Hefei 230029，中国I Songshan Lake材料实验室，Dongguan 523808，中国
蒙特卡洛传输分析以评估GAN光电导体的强度依赖性响应，包括库仑相互作用，带状结构和
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SR2RUO4中的恶魔的配对相互作用
R.Fittipaldi，M。Cuoco，A。Vecchione和S. V. Borisenko，SR 2 RUO 4的重归于的带状结构：一种Quasiparticle紧密结合方法，J。Electron Spectrosc。relat。现象。191，48（2013）。[11] M. Knupfer，F。Jerzembeck，N。Kikugugawa，F。Roth和J. Fink，传播费用
热电应用的Weyl和Dirac半法
Weyl和Dirac半学，其特征在于其独特的带状结构在费米水平（E F）附近具有线性能量色散（E VS K），已成为基于热电材料的下一代技术的有前途的候选者。它们的出色电子特性，尤其是较高的载流子迁移率和实质性的浆果曲率，它提供了潜在的潜力，可以超越常规热电材料固有的局限性。对这些材料基础的基本物理学的全面理解至关重要。本章主要集中在Weyl和Dirac半法的拓扑特性和独特的电子带结构中，提供了一个理论框架，用于理解其热电传输特性，例如Seebeck系数，电导率和导热性。浆果曲率在增强旁观系数的同时降低导热率的同时是关键重点。
超导KTAO3（111）界面的电子带结构
基于KTAO 3的二维电子气体（2DEGS）由于其高RASHBA自旋 - 轨耦合（SOC）和栅极电压可调性而成为自旋轨道货币学的有前途的平台。最近在KTAO 3 2DEG中发现了超导状态，现在将其潜力扩大到拓扑超导性。尽管使用角度分辨光发射光谱（ARPES）绘制了各种晶体学取向的KTAO 3表面的带状结构，但对于超导KTAO 3 2DEGS并非如此。在这里，我们通过ARPES测量结果揭示了基于KTAO 3（111）单晶的超导2DEG的电子结构。我们使用紧密结合模型拟合数据，并计算相关的旋转纹理，以使您的SOC驱动物理学洞悉该迷人系统的SOC驱动物理。
双层MOS2的双轴与单轴应变调谐
应变工程已成为一种强大的技术，可以调整二维半导体（如钼二二二硫化物）的电子和光学特性（MOS 2）。尽管几项理论作品预测双轴菌株比单轴菌株更有效，以调整MOS 2的带状结构，但文献中仍缺少直接的实验性验证。在这里，我们实施了一个简单的实验设置，该设置允许通过弯曲十字形聚合物底物施加双轴应变。我们使用该设置来研究双轴菌株对12个单层MOS 2平流的差异反射光谱的影响，以40 MEV/％和110 MeV/％的双轴张力介绍了激子特征的红移。我们还直接比较了双轴和单轴应变对同一单层MOS 2发现的效果，即双轴应变量表因子是单轴菌株1的2.3倍。
Phys3118固体和设备的量子物理T2 2021 ...
量子力学在固体的性质中起着关键作用，并且已经支撑了激光二极管和超导量子量子干扰设备（Squids）等设备的操作。量子物理学将发挥更重要的作用，是新一代的电子设备，例如量子传感器和量子计算机。本课程涵盖三个主要领域。首先是``固体的量子物理''，它涵盖了晶体结构，声子作为量子振荡，电子作为固体中的量子颗粒，带状结构和非常规材料。第二个区域是“量子系统中的相互作用”，其主题包括磁性的不同形式，电子电子相互作用及其在筛选和等离子体效应中的作用以及超导性。第三个是“从半导体到量子设备”，其中包括半导体中的电荷载体，P-N连接，量子限制，库仑封锁和量子位。该课程将吸引那些寻求对量子力学更好的上下文理解的人，并了解其现实世界的应用：过去，现在和未来。
S41598-024-72448-2.pdf
这项研究研究了垂直堆叠的CVD生长的RES 2 /MOS 2单极异质结构设备作为现场效应晶体管（FET）设备，其中Res 2上的RES 2充当排水管，而MOS 2在底部充当源。进行了RES 2 /MOS 2 FET设备的电气测量值，并针对不同VGS（闸门电压）（漏极电压）的ID（排水电流）（漏极电压）变化，显示了N型设备特性。此外，阈值电压是在栅极偏置电压上计算的，对应于〜12V。拟议的RES 2 /MOS 2 HeteroJunction FET设备的迁移率为60.97 cm 2 V -1 S -1。利用紫外线光学光谱和可见的紫外线光谱法提取了制造的VDW异质结构的带状结构，揭示了Res 2 /MOS 2界面处的2D电子气体（2DEG）的形成，从而探索了制造Fet的高载流子迁移率。通过跨异构结的屏障高度调节，研究了野外效应行为，并根据跨异构结的电荷传输提出了详细的解释。
与CRBR3和CRI3中光学泵泵的激子磁性系统密切相关。
磁性顺序。[7–20]铁磁层寄主非常相关的电子状态，这些状态会产生各种带状结构，包括金属，半导体或绝缘特性。[21–23]中，三锤铬[24-40]（CRX 3）显示出由Cr D-Shell Electrons驱动的独特电子特性，这些特性同时促进了Cr-Cr – Cr Ferromagnetic耦合，宽带隙，宽带隙，宽大的界限和强度限制了confitoctonic状态。因此，CRX 3晶体的磁化状态与它们的磁光特性密切相关。fer- romagnetism诱导的滞后光学信号。These results unveiled ferromagnetic coupling between the Cr spins within a monolayer plane with easy axis magnetization ori- ented out-of-plane for CrBr 3 and CrI 3 and in-plane for CrCl 3 , thickness-dependent interplane ferromagnetic and antiferro- magnetic coupling in CrI 3 multilayers as well as light-mediated ferromagnetic response in doped transition metal二分法。[43–45]不幸的是，这些光学方法仅用作磁化探针，而磁性态和光激发之间的相互作用仍未开发。
基于第一原理计算的单轴菌株的扶手椅抗氨基纳米管的理论研究
摘要：使用Ab始于从头算计算，研究了优化的几何形状，以及钝化边缘扶手椅抗氨基烯纳米纤维（ASBNR）的电子和传输特性。由于量子限制，当宽度分别从5 nm降低到1 nm时，带隙的大小可以从1.2 eV到2.4 eV（间接）调节。这项研究的重点是宽度为5 nm（5-ASBNR）的纳米容器，因为它的制造潜力较高，并且可以接受电子应用的带型带。应用单轴压缩和拉伸菌株会减少5-ASBNR膜的带隙。当引入超过4％以上的拉伸应力时，观察到直接带隙转变的间接转换。此外，当引入高于9％的压缩应变时，可以观察到半金属行为。通过施加压缩（拉伸）应变，孔（电子）有效质量降低，从而增加电荷载体的迁移率。研究表明，可以通过在丝带上施加拉伸或压缩应变来调节基于ASBNR的纳米电子设备的载体迁移率。关键字：2D材料，偶然，纳米式，压缩和拉伸应变，带状结构，状态密度■简介