XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search System带远心
心你永远被子 - 温暖
通过与所有原始边缘匹配的所有层结合被子顶部。斜切角。从您开始的地方停止大约12英寸（30.48厘米）。将沿被子边缘平坦的绑定的两个松散末端放置。，这两个松散的情况相遇，将它们折回自己，然后按以形成折痕。使用此折痕作为缝线线，将绑定的两个开口端一起缝在一起。将接缝至¼英寸（.64厘米），然后按打开。完成缝制与被子的结合。16。将绑定到被子的背面和
心的花朵的生命和诗歌
我想借此机会向导师表示感谢，他们在我的研究生研究和研究的各个时期内慷慨地扩展了他们的专业知识和鼓励：Helen Craig McCullough和William H. McCullough教授在加利福尼亚大学伯克利分校；哥本哈根大学东亚洲研究所的Olof Lidin；埃德温·克兰斯顿（Edwin Cranston），霍华德·希贝特（Howard Hibbett），伊萨卡（Itasaka）和哈佛（Harvard）的唐纳德·谢弗利（Donald Shively）；和托卡大学日本文学系的Kaneko Kinjiro。1979年至80年，Kaneko教授的Shinkei和Renga研讨会的回忆，他的研究生的温暖奖学金，Hakone，Hakone，Kamakura和Oyama Foothills的郊游，以寻找Shinkei's and Sogi's and Sogi的痕迹 - 都是不断的灵感。
什么让我们产生同理心？
同情心高低——或者根本没有同情心？一般人群表现出的同情心水平差异很大，这取决于个人和情况。“我们知道基因差异会影响你的同情心水平，但只要告诉你目睹痛苦的人与你有很多共同之处，同情心也会增加——另一方面，如果你被告知他们是竞争对手，同情心就会减少，”瓦莱丽亚说。“还有证据表明，你可以训练自己变得更有同情心，最终改变你自己的大脑活动。这让我们能够灵活地适应环境，并有责任做出正确的社会决策。”
社区基金的心2024
保留您的申请记录。在线门户将允许您在提交之前下载完整应用程序的完整PDF副本。我们还敦促您保留您使用的电子邮件地址和密码的记录，因为您将能够在稍后返回查看提交的申请。收到申请后，确认将发送到您表格上提供的电子邮件地址。请注意，确认电子邮件可能会降落在您的垃圾邮件或垃圾文件夹中。确保您已将grantsinfo@irelandfunds.org标记为“安全发件人”，这样您就不会错过任何东西。
Toolmaster TM250 - PFT Innovaltech
带远心物镜的数字 CMOS 相机探测刀尖并将实时图像传输到半透反射式 3.5 英寸 TFT 彩色显示屏。电子最大搜索功能允许刀尖旋转至最大直径（顶点）。测量过程由定位标记支持，当刀具轮廓和标线轴之间达到最佳一致性时，定位标记就会出现。因此，无需操作员参与，即可以 +/-2 微米的重复精度进行测量。测量过程非常简单，与使用轮廓投影仪没有什么不同。因此，操作员不会对测量结果产生任何影响，从而确保最高的测量可靠性。
情况说明书 - 远北地区规划准备
考虑到参与初期收到的大量反馈，区域计划草案预计将于 2024 年底完成。预计 2025 年初将就区域计划草案开展法定参与和协商。将开展参与活动，以支持社区和利益相关者的广泛参与，并提供面对面和在线反馈的机会。这些参与活动的细节将在区域计划草案的制定过程中制定。
MiraSäe：基于GAAS的远场630 nm ...
半导体设备在电子行业中起着至关重要的作用。这些设备包括从领先的硅技术到复合半导体方法的各种类型。尤其是IIII-V复合半导体激光器在几十年中变得越来越重要，在各种领域（例如微电子，光电子学和光学电信）中找到了应用。半导体的多功能性允许对其属性进行自定义修改，以满足特定应用程序的需求。在设计光学元件时，半导体激光器的远场是至关重要的参数，因为许多半导体激光应用需要与单模光纤建立足够的连接。使用单模激光器设备，可以将更多功率传递到光纤。此外，从光学的角度来看，单模式激光器更好，因为光线更容易对齐。因此，使用单模半导体激光比构建复杂的光学系统要容易得多。在本文中，基于GAAS的630 nm区域半导体激光器的远场是与Modulight Corporation合作的优化。目标是了解制造步骤和选定的设备几何形状如何影响这些激光器的远场模式，从而改善对设备过程和过程产量的控制。远场高度依赖于激光设备的尺寸，因此，将两种不同的底物（638 nm和633 nm）与不同的尺寸一起使用以进行比较。除了远场外，还分析了光电压和光谱测量值。此外，为了更好地了解脊指导的光学特性和几何形状之间的依赖性，使用扫描电子显微镜测量了脊的尺寸。本论文中使用的激光条是通过光刻的步骤和等离子体蚀刻来捏造的。否则两个底物的处理都是相同的，但是633 nm底物的蚀刻时间更长，从而产生了更深的蚀刻深度。两个设备都使用了五个不同的脊宽度和三个不同的空腔长度。将实现的脊尺寸和调间模式行为与630 nm区域半导体激光结构的这些参数的建模结果进行了比较。脊的尺寸的表征结果显示了两个过程的各向异性和平滑档案。633 nm设备的蚀刻时间较长，导致脊比638 nm设备深507 nm，这是预期的。与638 nm设备相比，具有更深山脊的633 nm设备具有更深的山脊的阈值电流和输出功率变化较小。这项工作的目的是实现具有单模空间操作的激光器，该激光器是用633 nm激光器获得的。最佳尺寸为1000 µm的腔长为1.8 µm和3.4 µm的脊宽度，腔长为1500 µm，脊宽为2.2 µm。对于较浅的山脊深度，即638 nm激光器，所有选定的脊宽度和长度均显示多模具操作。此外，模拟结果很好地支持了实验结果。