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World File Search System带隙
适用于极端温度和辐射环境的宽带隙半导体
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基于超宽带隙氮化铝平台的下一代电子产品
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宽带隙技术：效率潜力和... - IEA 4E
关于国际能源署《节能终端使用设备实施协议》（4E）：节能终端使用设备技术合作计划（4E TCP）自 2008 年以来一直致力于支持各国政府协调有效的能源效率政策。14 个国家和一个地区已联合起来建立 4E TCP 平台，以交流技术和政策信息，重点是增加高效终端使用设备的生产和贸易。然而，4E TCP 不仅仅是一个信息共享论坛：它汇集了各种项目的资源和专业知识，旨在满足参与国政府的政策需求。4E 的成员发现这是对稀缺资金的有效利用，其成果比单个司法管辖区所能实现的更为全面和权威。4E TCP 是在国际能源署（IEA）的支持下成立的，是一个功能和法律上独立的机构。 4E TCP 的现有成员为：澳大利亚、奥地利、加拿大、中国、丹麦、欧盟委员会、法国、日本、韩国、荷兰、新西兰、瑞士、瑞典、英国和美国。
从液相剥离层状硅酸盐矿物中分离出的二维纳米片的奇异电子特性
光谱不活跃、电绝缘和化学惰性是广泛用来描述云母和绿泥石等层状硅酸盐矿物的形容词。本文通过展示来自五种块状云母和绿泥石片岩的液体剥离纳米片的水悬浮液，推翻了上述观点。通过透射电子和 X 射线光电子能谱以及电子衍射确认了纳米片的质量。通过拉曼光谱，可以观察到以前未报告过的尺寸和层相关光谱指纹。当通过紫外可见光谱分析高产悬浮液（≈ 1 mg mL − 1 ）时，所有层状硅酸盐的带隙（ E g ）都从块体的 ≈ 7 eV 窄化到单层的 ≈ 4 eV。不同寻常的是，带隙与纳米片的面积 (A) 成反比，这是通过原子力显微镜测量的。由于未记录的量子限制效应，随着纳米片面积的增加，纳米片的电子特性向半导体行为 (带隙 ≈ 3 eV) 扩展。此外，模拟 X 射线衍射光谱表明，初始带隙变窄的根本原因是晶格弛豫。最后，由于其同构取代离子范围广泛，层状硅酸盐纳米片表现出显著的制氢催化特性。
带压电的微/纳米定位系统带压电的微/纳米定位系统带压电的微/纳米定位系统
摘要 本章介绍了基于压电致动器的微/纳米定位器及其在保护生态系统生物多样性和实现可持续制造业方面的作用。这些定位器具有微/纳米分辨率的精确度，并且改进和辅助了繁殖和体细胞核移植，在保护濒危物种免于灭绝方面发挥着越来越重要的作用。研究表明，这些技术可能是我们减缓自然退化的关键因素。此外，压电驱动微/纳米定位器是附加精度提高系统的基础，该系统可以使过时的机床重新投入使用，只需进行微小改动，性能水平高于新机器。这避免了（并可以进一步防止）能源和材料的浪费，因为过时的机器或其主要部件否则将被丢弃。此外，压电驱动微定位器在振动辅助加工中起着重要作用，可降低能耗、提高产品质量并延长机器使用寿命。
拓扑声学
拓扑声学领域的灵感来源于凝聚态物质中拓扑绝缘体的发现，拓扑绝缘体是一类具有极不寻常电传导特性的材料。与传统半导体一样，拓扑绝缘体的特点是价带和导带之间存在电子能量间隙（带隙）。对于该带隙内的电子能量，拓扑绝缘体在其本体中不导电，因此得名。然而，任何有限的此类材料样本都必然支持沿其物理边界的传导电流；价带和导带的拓扑特征确保了这些边界电流的存在。因此，这些电流的存在与边界形状或不影响带隙拓扑的连续缺陷和瑕疵的存在无关。了解了这一特性，我们只需分析无限介质能带的拓扑特征，就能预测沿此类材料的任何有限样本边界流动的传导电流的存在（Thouless 等人，1982 年；Haldane，1988 年）。因此，这些电流对缺陷和无序表现出不同寻常的稳健性。电子自旋在定义这些材料的拓扑响应方面起着根本性的作用。
像石墨烯一样的共价有机框架，其通过逐步反应在表面合成的宽带隙
摘要：开发自然具有带隙的石墨烯状二维材料引起了极大的兴趣。由于固有的宽带隙和2D平面中的高移动性，在这方面，包含三嗪环（T-COF）的共价有机框架在这方面具有很大的希望，而单层T-COF的综合仍然是高度挑战的。在此，我们介绍了在AU上定义的石墨烯状T-COF的制造（111）。而不是通常用于表面合成的单个/多步单型反应，而是逐步的逐步表面反应，包括藻类环乙酸酸酯，C o键裂解和C H键激活，并被触发，从而触发了受控的乘积进化。除了精确的表面合成中的精确控制外，这项工作还提出了一个单原子层有机半导体，其宽带隙为3.41 eV。g raphene对下一代技术有着巨大的希望； [1-3]然而，其零带隙限制了其在电子设备中的使用。综合自然具有带隙的石墨烯状二维材料已成为一种有希望的替代策略。[4-8]在这方面，包含三嗪环（T-COF）的共价有机框架具有
225一个物理...
摘要。基于密度功能理论（DFT）的第一原理计算已用于研究α-GAN晶体的结构，电子，光学和热力学方面。基于局部密度近似（LDA），广义梯度近似（GGA）和荟萃分析梯度近似（M-GGA）功能方法，已经估计α-GAN晶体的带隙能量为1.962 eV，2.069 ev和2.354 ev。这些研究中介绍的带隙能量与其他实验和理论研究的能量一致。此外，我们的发现使我们了解了α-GAN晶体的电子和光学特性。α-GAN晶体中的带隙能是定义其电气和光学特征的关键因素。它们是可以将电子从价带向传导带退出的能量范围，从而影响材料的电导率以及材料吸收并发出光的能力。我们在先前的研究中的结果大致表明了我们发现的可靠性，因此增加了我们对α-GAN的电子和光学现象的了解。通过模拟状态密度和α-GAN的状态部分密度，发现了GA和N原子的轨道特性。除了分析带结构，状态的密度和我们还包括化合物的光学特性外。结果表明α-GAN具有直接的带隙，该带隙位于布里群区的G点。这是其开发光电设备的巨大潜力的原因。此外，我们使用前面给出的三个近似值来找到该化合物的光学特性（吸收系数）。除此之外，可以像Debye温度，焓，自由能，熵和热容量一样计算的热力学特性使我们能够更好地了解化合物的热行为。检测到α -GAN的热容量为17.3 Jmole -1 K -1，Debye温度为824.6K。这项研究将对α-G-N提供详细的解释，涵盖其所有基本特性以及光电和电子设备中可能的应用。这项研究的结果非常重要，基于α-GAN研究将开发的新技术将非常有益。
通过虚拟气隙和隔离来改善数据恢复
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