作为总体结论,本研究发现,假设相关 SRDocs 中规定了 SRD 参数(见表 2),则在 870-876 MHz 频段内对所研究用途进行 SRD 内共享是可行的。即使是 DC 高达 10% 的网络接入点 (NAP) 也可以轻松容纳在大多数典型的共存情况下,因为它们的较高 DC 可以通过较低的部署数字来补偿。但是,就 NAP 而言,可能会发现密度超出假设,这取决于市场增长、频谱接入和竞争问题。因此,应在 SRD 的监管框架内考虑某种形式的审查机制,并采用额外的缓解机制,例如 APC,这可以被视为一种有用的措施,例如对于发射功率为 100 mW 及以上的 SRD,作为普遍降低带内干扰噪声水平的手段。
随着宽带隙 (WBG) 半导体的新兴发展,电力电子转换器的功率密度和效率不断提高,可能引起更多的开关振荡、电磁干扰噪声和额外的功率损耗,进一步增加器件故障的概率。因此,确定和量化在某些应用中使用 WBG 半导体组装的金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 的故障对于提高功率转换器的可靠性至关重要。本研究提出了一种基于 MOSFET 寄生参数的新型故障定量评估方法。根据二端口网络理论,MOSFET 等效于由独立的电感、电容和电阻串联组成的一些二阶 RLC 电路。然后,通过频域反射法识别与 MOSFET 物理故障相关的频域阻抗。采用加速老化和键合线切断实验来获得 MOSFET 器件的各种质量状态。结果表明,可以有效量化MOSFET的质量水平及其键合线剥离次数。通常代表MOSFET质量的漏源导通电阻(R DS(on) )在质量退化过程中与漏源寄生电阻(RD + RS )呈现正线性函数关系。这一发现与理论上建立的R DS (on)和RD + RS之间的相关性相符。同时,源极寄生电感(LS )随键合线故障的严重程度而增加,即使是轻微的故障也表现出很高的灵敏度。所提出的方法是一种有效的无需通电处理的功率半导体器件质量筛选技术,可有效避免结温和测试条件(电流和电压)对测试结果的影响,并且不需要设计额外的测试电路。我们在该方法中使用的测试频率范围为10 – 300 MHz,在一定程度上适合为高频WBG功率器件制造提供在线质量监控技术。
在挑战性条件下(例如强背景辐射或复杂的散射环境),具有忠实操作的主动光传感器对于跨越各种域的遥感应用是非常可取的。诸如远程陆地映射,轨道地震学或非侵入性生物医学成像之类的示例还包括探测信号的极端光子饥饿,创造了可能对基于线性光学的传统传感器进行挑战的条件。在这项工作中,我们通过基于非线性光学元件来证明一种新型的传感系统来解决这些挑战,该系统能够同时进行三维成像和激素分析,具有单光子的灵敏度和对各种噪声来源的特殊耐受性。这种非线性光学系统利用量子 - 参数模式分类(QPM),这是一种在光谱重叠的光子上选择性检测单个信号光子的新生技术,它将基于线性光学器件的其他系统产生干扰噪声。这项工作展示了一个基于QPM的成像仪,该成像仪可以可靠地重建高度散射的模糊剂,这些靶标具有毫米深度分辨率,这是由于非线性光学的时间 - picseconds脉冲的传输。利用模式选择性上转换在Niobate波导中,我们展示了耐噪声的成像,其中很少的信号光子嵌入了34倍左右重叠的背景光子中,每个探针脉冲脉冲的背景光子超过100,000倍。本研究为新的检测方式奠定了基础,该模式可能适用于各种应用。引入了基于QPM的成像仪后,其传感能力的维度被扩展到包括振动测量值,以解决由表面振动引起的时变强度波动。我们表明,可以通过计算振动光谱作为光门控的振动光谱来进行深度分辨的振动分析。使用振动签名作为一种对比机制,我们在检测强散射后面的振动目标时证明了20 dB的改善。