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World File Search System平均噪声
电池储能系统（Bess）
第2级 - 第90-1042（g）（5）节在电池能量存储系统，组件和相关辅助设备中产生的平均噪声不得超过在外墙上测量的噪声水平为20 dBA的噪声水平，该噪声水平在外墙的属性线上均不超过任何周围的非参与式住宅或R-A和Zoning区中占领的社区建筑物的属性线。在M分区区域中，在相邻的财产线上，平均噪声不得超过60 dBA的噪声水平。申请人可以提交设备和组件制造商的噪声评级以证明合规性。可能需要申请人从合理数量的电池储能系统周长中提供合理数量的采样位置来提供操作的声压水平测量，以证明符合此标准。退役和保证
Poly Voyager免费60+ UC M白色沙耳 +BT700 USB-A适配器 +触摸屏费用案例（7Y8G7AA）
[1] Soundguard Digital Plantronics拥有复杂的算法，包括：通过将声音限制为118 DBA来防止声学冲击； G616反启动保护将噪声水平限制在102 dB以下的SPL以下，因此符合澳大利亚通信行业论坛（ACIF）G616建议；每日平均噪声暴露措施和控制声音，以防止平均每日声音暴露超过80 dBA或85 dBA时间加权平均值（TWA）。
C-C耳机 +USB-C/A适配器 +充电支架（9T9J6AA）
[1] Soundguard Digital Plantronics拥有复杂的算法，包括：通过将声音限制为118 DBA来防止声学冲击； G616反启动保护将噪声水平限制在102 dB以下的SPL以下，因此符合澳大利亚通信行业论坛（ACIF）G616建议；每日平均噪声暴露措施和控制声音，以防止平均每日声音暴露超过80 dBA或85 dBA时间加权平均值（TWA）。
第122号条例 - 电池储能系统
8。噪音。电池储能系统，组件和相关辅助设备产生的1小时平均噪声应符合Covert Township Anti Noise和公共滋扰条例（条例号39，修订）。确定的最大分贝水平不适用于参与批次的常见批次。申请人可以提交设备和组件制造商的噪声评级以证明合规性。可能需要申请人从参与批次的边界上合理数量的采样位置提供操作声压级别的测量，以证明符合此标准。规划委员会可以放弃遵守该要求，沿周围的非参与地段的边界的特定位置，所有者和上述非参与者的占用者以书面形式同意放弃此要求。
驱动中尺度导体中的粒子电流统计
我们提出了一种高度可扩展的方法来计算驱动导体中的电荷转移统计数据。该框架可应用于非零温度、强耦合到终端以及存在非周期性光物质相互作用的情况，远离平衡。该方法将所谓的介观引线形式与完整计数统计相结合。它产生了一个广义量子主方程，该方程决定了电流波动的动态和电荷交换概率分布函数的高阶矩。对于一般的时间相关二次汉密尔顿量，我们提供了闭式表达式，用于计算系统、储层或系统-储层相互作用参数的非微扰状态下的噪声。通过访问电流及其噪声的完整动态，该方法使我们能够计算非平衡配置中电荷转移随时间的变化。动态表明，在驱动系统中，平均噪声应在操作上谨慎定义所涵盖的时间段。
基于动态差分信号的逻辑系列，用于稳健的超低功耗近阈值计算
本文提出并评估了用于近阈值计算 (NTC) 的新型电路拓扑。采用 130 nm 技术开发了三种独立的动态差分信号逻辑 (DDSL) 系列，工作电压为 400 mV 和 450 mV。所提出的逻辑系列优于为近阈值实现的当代 CMOS 和电流模式逻辑 (CML) 电路。DDSL 系列被描述为动态电流模式逻辑 (DCML)、锁存 DCML (LDCML) 和动态反馈电流模式逻辑 (DFCML)。通过实现布尔函数和 4 × 4 位阵列乘法器进行仿真和分析。在 450 mV 电源电压下，4 × 4 DFCML 乘法器的总功率降低至 0.95 × 和 0.009 × ，而与 CMOS 和 CML 乘法器相比，最大工作频率分别提高了 1.4 × 和 1.12 ×。与 CMOS 乘法器相比，DCML 乘法器的功耗为 1.48 倍，同时 f max 提高了 1.65 倍。使用开发的动态逻辑系列实现的四个反相器链的能量延迟积 (EDP) 分别为 CMOS 和 CML 实现的 0.27 倍和 0.016 倍。同样使用反相器链评估的 DFCML 和 LDCML 的平均噪声裕度至少比 CMOS 大 2.5 倍。
噪声污染对Harcourt Metropolis港居民的影响
摘要目的：本研究旨在评估Harcourt Metropolis港的噪声污染的影响，并确定其与居住在该地区的人们的健康，生活质量和经济福祉的联系。方法：进行了一项涉及422名Harcourt Metropolis的成年居民的横断面调查。参与者完成了一份评估其身心健康以及经济福祉的问卷。统计分析（包括描述性和推论分析）用于评估噪声污染对居民身体，心理和经济福祉的影响，以及变量之间的关系。结果：该研究表明，哈科特港大都市的平均噪声水平为72.91db，强调了烦恼和听力损害的普遍风险。的发现表明，噪声污染对身体健康的负面影响（48％），对心理健康和经济福祉的中度负面影响分别为58％和56％，在哈科特港大都会港的居民中。结论：研究得出的结论是，尽管哈科特港大都市港口的噪声污染对心理健康和经济福祉具有适度的影响，但对身体健康的影响很低。此外，在性别与身心健康之间发现了强烈的正相关，女性表现出更强的联系。建议包括采取措施减轻噪声污染并解决性别差异，以改善该地区的整体福祉。
采用工业 CMOS 制造的低电荷噪声量子点
硅自旋量子比特是用于大规模量子计算机最有希望的候选者之一，8 这得益于它们出色的相干性以及与CMOS技术的兼容性，可用于升级。先进的工业CMOS工艺流程可实现晶圆级均匀性和高器件成品率，但由于设计和操作条件不同，现成的晶体管工艺无法直接转移到量子比特结构上。因此，为了利用微电子行业的专业知识，我们定制了一条300毫米晶圆生产线，用于硅MOS量子比特集成。通过对MOS栅极堆栈进行精心优化和工程设计，我们报告了在毫开尔文温度下Si/SiOx接口上稳定均匀的量子点操作。我们提取了不同器件和各种操作条件下的电荷噪声，结果显示1 Hz时平均噪声水平低至0.61 μeV/√Hz，在某些器件和操作条件下甚至低于0.1 μeV/√Hz。通过对不同操作和设备参数下的电荷噪声进行统计分析，我们表明噪声源确实可以用两级涨落子模型很好地描述。这种可重现的低噪声水平，加上我们量子点的均匀操作，标志着 CMOS 制造的 MOS 自旋量子比特已成为成熟且高度可扩展的高保真量子比特平台。