XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search System平坦区
MOS 结构高频电容-电压特性建模
这项研究的意义在于它可应用于电容谱法，这对于检查先进微电子和纳米电子中的介电/半导体界面至关重要。通过采用这些方法，我们可以准确测量界面处的陷阱电荷水平，这一参数对材料用作栅极介电体或存储器元件的可行性有重大影响。此外，电容-电压 (CV) 特性的控制对于超大规模集成电路 (VLSI) 的开发至关重要，在热场测试下评估栅极介电体的稳定性可以指示电压平坦区的变化，从而确保半导体器件的可靠性。