附录 A – 了解飞机超跑和下冲 简介 ACRP 4-01 项目的目标是调查飞机超跑和下冲事件,以评估跑道安全区提供的保护。了解超跑和下冲事件如何发生对于机场运营商和监管机构识别与运营相关的危险并管理其设施中与此类事件相关的风险至关重要。此外,他们将更好地理解安全区如何提供一定程度的保护,并可能找到替代方案来减轻此类事件的后果。跑道安全区 (RSA) 有助于减轻下冲和超跑事件的后果。它们在跑道周围提供额外的平滑表面,飞机可以利用这些表面停下来或继续着陆。要了解超跑和下冲是如何发生的,有必要了解飞行员在飞行的着陆和起飞阶段使用的程序和可用的资源。此外,有必要了解天气条件、跑道条件和人为错误如何对运营产生负面影响并导致超跑或下冲。着陆 大型运输机的空速和姿态需要调整以适应着陆。空速保持在失速速度以上加上安全裕度,并保持恒定的下降速度。在着陆前,下降速度降低到每分钟几英尺,从而实现轻触地。着陆
摘要在这项研究中,提出了对低热稳定性临时粘合胶的优化对物理蒸气沉积(PVD)过程的优化。在各种底物上证明了Cu种子层在通过沟渠中的沉积:硅 - 硅粘合,硅玻璃键合和霉菌键合的底物。在处理过程中记录在这些底物上的表面温度远低于临时键合和去键(TBDB)材料的临界温度。本文重点介绍了PVD工艺的2.5D/3D集成电路(IC)包装中通过硅VIA(TSV)应用的创新。这些结果将在温度较低的范围明显较低的温度范围内稳健地整合具有低热稳定性的各种临时粘合粘合剂,其热稳定性低。引言临时键合和键合材料在实现薄和超薄晶圆底物的处理方面起着重要的中间作用。它为稀薄的Si Wafers提供结构和机械支撑,用于下游包装。这是因为在下游制造步骤期间,薄且超薄的基材具有高弯曲,折叠和有时断裂的趋势。因此,需要借助临时粘合粘合剂来支撑这些稀薄的底物在载体底物上[1]。这允许晶圆进行进一步的过程步骤,例如光刻,沉积等。设备晶圆通常与临时粘合涂层接触以进行支撑。在PVD过程中,金属靶标通过碰撞的热过程转化为原子颗粒。物理蒸气沉积(PVD)是TSV 2.5D/3D IC包装中铜的随后电化学沉积的关键过程步骤。这是一种以平滑表面,出色的机械性能以及对目标底物的良好粘附而闻名的先进材料处理技术。然后将这些颗粒定向到基板上,以在受控的真空环境中进行后续沉积,成核和生长。原子然后将其凝结成在底物上形成物理薄膜。这可以以两种方式进行:溅射和蒸发。在溅射过程中,将气态前体引入反应室,然后将其加速向目标加速,释放原子尺寸的颗粒以沉积到基板上。溅射技术的主要优点是由于加速