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World File Search System库仑
PPH312高级量子力学
相对论量子力学：klein-gordon方程，狄拉克方程及其平面波解，具有库仑电势的粒子的klein gordan方程的溶液，负能量溶液的重要性，dirac粒子的旋转角动量。dirac方程的非相关限制，中央场中粒子的dirac方程，氢原子的精细结构，羔羊移位。
使用Thermo Scientific Cryo-Em和Schrödinger平台的加急基因到药物的方法
图3。左，使用Pharma专用的Thermo Scientific Krios G4 Cryo-Tem高端显微镜具有保证的高通量，可用于迭代结构测定。右，4个代表性残基的细节显示了从EM数据收集和拟合模型中重建的库仑电势。可以看出，数据足以确定大多数侧技术的位置。
单层 MoSe2 中的激子-激子相互作用...
低阈值光学非线性的潜力在光子学和概念光学神经元网络领域引起了广泛关注。二维 (2D) 半导体中的激子在这方面尤其有前景，因为减少的屏蔽和维度限制会促进它们明显的多体相互作用以实现非线性。然而，对这些相互作用的实验测定仍然不明确，因为光泵浦通常会产生激子和未结合载流子的混合物，其中带隙重正化和载流子屏蔽对激子能量的影响相互抵消。通过比较单层 MoSe 2 光致发光光谱对激子基态和激发态能量的影响，我们能够分别识别中性激子和电荷载流子对库仑结合的屏蔽。当中性激子密度从 0 增加到 4 × 10 11 𝑐𝑚 −2 时，激子基态 ( A-1s ) 和激发态 ( A-2s ) 之间的能量差红移 5.5 meV，而电子或空穴密度增加时则发生蓝移。这种能量差变化归因于中性激子的库仑结合相互屏蔽，从中我们提取出激子极化率为 𝛼 2𝐷
通过施加电应力研究硅 MOSFET 中量子点传输的稳定性和可调性
摘要。在这项工作中，我们通过实验研究了电应力对 T = 2 K 温度下 p 型硅 MOSFET 内单空穴传输特性可调谐性的影响。这是通过监测通道氧化物界面处三个无序量子点的库仑阻塞来实现的，众所周知，由于它们的随机起源，这些量子点缺乏可调谐性。我们的研究结果表明，当施加 -4 V 至 -4.6 V 之间的栅极偏压时，附近的电荷捕获会增强库仑阻塞，从而导致更强的量子点限制，在执行热循环重置后可以恢复到初始设备状态。然后重新施加应力会引起可预测的响应，量子点充电特性会发生可重复的变化，并且会观察到高达 ≈ 50% 的持续充电能量增加。我们在栅极偏压高于 -4.6 V 时达到了阈值，由于大规模陷阱生成导致设备性能下降，性能和稳定性会降低。结果不仅表明应力是增强和重置充电特性的有效技术，而且还提供了有关如何利用标准工业硅器件进行单电荷传输应用的见解。
模块-4-电信 - 物质申请 - ...
考虑接近正离子芯并遭受吸引人的库仑相互作用的电子。由于这种吸引力，晶格会变形。让另一个电子以扭曲的晶格和两者之间的相互作用发生。因此，两个电子通过晶格失真（声子场）相互作用，从而降低了电子的能量。这种相互作用称为电子 - 晶格 - 电子相互作用。Cooper显示
174Yb+ 离子链通过光学谐振器激发...
我们正在开发一种基于 Yb + 离子集合的光子存储器系统。Lamb-Dicke 模式中的强离子约束，以及 F=0 和 F=1 的使用，m F =0 磁场不敏感的超精细状态可保证较长的存储时间。我们系统中的单个离子可寻址性使离子之间的库仑相互作用可用于单个存储激发之间的受控操作。
临界条件的定量理论...
图2：真空中两个可极化球之间的相互作用力是球形分离的函数d = r - a 1- a 2。两个球体的半径为1 = a 2 = 1。25 nm，携带q 1 = - 1 e和q 2 = - 7 e的中心电荷，介电常数ϵ1 = ϵ2 = 20。黑色曲线：这项工作；橙色点：Ref的基准结果； 42紫色曲线：两个球之间的裸露库仑相互作用。
1型糖尿病患者的更安全血糖控制的离线增强学习
摘要在这项工作中，我们在t = 2 k的温度下实验研究了电应力对P型硅MOSFET中单孔传输性能的可调性的影响。这是通过从三个基于疾病的量子量表中的频道 - 氧化物界面上的三个基于疾病的量子点监测的库仑块来实现的，这些氧化通道界面缺乏可调性，这些点缺乏可调节性，因为这些点缺乏其稳定性。我们的发现表明，当在-4 V和-4.6 V之间施加栅极偏置时，附近的电荷捕获会增强库仑阻滞，从而导致更强的量子点限制，在执行热周期后，可以将其逆转为初始设备状况。重新施加应力产生了可预测的响应量子点充电特性的可再现变化，并且观察到一致的充电能量增加到≈50％。我们达到了-4.6 V的门偏置上方的阈值，由于设备降解作为大规模陷阱的产物，因此性能和稳定性降低。结果不仅将压力作为一种有效的技术来增强和重置充电性能，而且还提供了有关如何利用标准工业硅设备用于单一电荷运输应用的洞察力。
ap®物理2：基于代数的
真空介电常数，l o w erca se ep s iL o n s u b脚本0等于8.85倍10次，左括号牛顿平方平方平方的负12库仑的功率为12库仑。真空渗透性，m u s u b s c r i p t 0 e quals 4 pi times 10 to负7左括号tesla tesla tesla tesla米右括号右括号，每个安培。1电子伏特，1 el e c tron v o lt等于1.60倍10倍10焦点的功率。普朗克的常数，H e Qual S 6。63 t i es 10到负34焦耳的第二次，第二次等于4.14倍10倍10次，而负15电子伏特第二。H C Equa LS1。99 t i mes 10 t负25焦耳仪表的功率等于1240电子伏特纳米。光速，C Qual S 3。0 0次10到每秒8米的功率。wien的常数，be Qual S 2。90乘以10倍的3米开尔文的功率。
利用硫-（TiO2/SiO2）蛋黄壳纳米结构提高锂硫电池性能
锂硫 (Li-S) 电池被视为近期下一代锂电池的有希望的候选材料之一。然而，这些电池也存在某些缺点，例如由于多硫化物的溶解导致充电和放电过程中容量衰减迅速。本文成功合成了硫/金属氧化物 (TiO 2 和 SiO 2 ) 蛋黄壳结构，并利用该结构来克服这一问题并提高硫阴极材料的电化学性能。使用扫描电子显微镜 (SEM)、透射电子显微镜 (TEM) 和 X 射线衍射 (XRD) 技术对制备的材料进行了表征。结果表明，使用硫-SiO 2 和硫-TiO 2 蛋黄壳结构后电池性能显著提高。所得硫-TiO 2 电极具有较高的初始放电容量（>2000 mA h g −1 ），8 次充电/放电循环后的放电容量为 250 mA h g −1 ，库仑效率为 60% ，而硫-SiO 2 电极的初始放电容量低于硫-TiO 2 （>1000 mA h g −1 ）。硫-SiO 2 电极在 8 次充电/放电循环后的放电容量为 200 mA h g −1 ，库仑效率约为 70%。所得恒电流结果表明硫-TiO 2 电极具有更强的防止硫及其中间反应产物溶解到电解质中的能力。