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1量子发射器中的应变诱导的激子转移...
Giuseppe Ronco, Abel Martínez-Suárez, Davide Tedeschi *, Matteo Savaresi, Aurelio Hierro-Rodríguez, Stephen Mcvitie, Sandra Stroj, Johannes Aberl, Morthij Wicktor M. García-Suárez, Michele B. Rota, Pablo Alonso- González, Javier Martín-Sánchez *和Rinaldo Trotta * div>Giuseppe Ronco, Abel Martínez-Suárez, Davide Tedeschi *, Matteo Savaresi, Aurelio Hierro-Rodríguez, Stephen Mcvitie, Sandra Stroj, Johannes Aberl, Morthij Wicktor M. García-Suárez, Michele B. Rota, Pablo Alonso- González, Javier Martín-Sánchez *和Rinaldo Trotta * div>
原子较薄的谐振器中动态增强的应变
石墨烯和相关的二维（2D）材料相关的机械，电子，光学和语音性能。因此，对于将其基本激发（激发子，声子）与宏观机械模式搭配的混合系统来说，2D材料是有希望的。与较大的架构相比，这些内置系统可能会产生增强的应变介导的耦合，例如，包括一个与纳米机械谐振器耦合的单个量子发射极。在这里，使用微拉曼光谱法对原始的单层石墨烯鼓上的鼓，我们证明了石墨烯的宏观膨胀振动诱导动力学光学声子软化。这种软化是动态诱导的拉伸应变的明确填充物，在强的非线性驾驶下达到了≈4×10-4的值。这种非线性增强的应变超过了具有相同根平方（RMS）幅度的谐波振动预测的值，多个数量级。我们的工作对2D材料和相关异质结构中光 - 物质相互作用的动态应变工程和动态应变介导的控制有望。
应变敏感柔性磁电陶瓷纳米复合材料
先进的柔性电子器件和软体机器人需要开发和实施柔性功能材料。磁电 (ME) 氧化物材料可以将磁输入转换为电输出，反之亦然，使其成为先进传感、驱动、数据存储和通信的绝佳候选材料。然而，由于其易碎性质，它们的应用仅限于刚性设备。在这里，我们报告了柔性 ME 氧化物复合材料 (BaTiO 3 /CoFe 2 O 4 ) 薄膜纳米结构，它可以转移到可拉伸基底上，例如聚二甲基硅氧烷 (PDMS)。与刚性块体材料相比，这些陶瓷纳米结构表现出柔性行为，并通过机械拉伸表现出可逆可调的 ME 耦合。我们相信我们的研究可以为将陶瓷 ME 复合材料集成到柔性电子器件和软体机器人设备中开辟新途径。
质子照射和应变对聚酰亚胺纤维的机械性能的协同作用
聚酰亚胺ber具有高强度和模量和较高的放射性耐药性，1使其可以用作航天器和火箭的轻质电缆夹克，以及用于空间应用的ber-ber强化复合材料。由于空间中使用的材料可能会受到大量的高能辐射，因此必须评估聚酰亚胺BER对高能辐射的响应很重要。在几年内实施了大量使用聚酰亚胺的空间实验。研究了Kapton对3 MeV质子辐射的辐射敏感性，结果表明，在放射溶解时，分解，断裂应激和聚合物的断裂能显着降低。此外，断裂时的伸长率与用相同剂量的2 meV电子照射诱导的伸长级相似。2电子，质子或两个合并的辐照都诱导的键断裂和聚酰亚胺分子的交联，而质子辐射可以比电子辐照更容易打破PI键，然后导致在样品表面积上形成石墨样结构。3质子辐照增加了初始摩擦系数，并降低了聚酰胺的稳定摩擦系数。4辐照PI的磨损速率下降了：电子照射>质子辐照>联合照射。5质子照射还可以控制聚酰亚胺的折射率。折射
通常是绝缘子，在新的理论模型中受到较大应变
机械工程是一门具有悠久技术创新历史的学科，它是以数字化，连通性和智能为特征的新技术突破浪潮的边界。机械工程学的MSC拥有世界一流的教职员工，设施和严格但灵活的课程，为结构，动态和控制措施的基本理论奠定了坚实的基础，并为学生提供了分析，设计，生产，生产和服务各种产品和系统的最新工具。
定向应变干扰固态离子通道中的离子传输
图 4. 一组极坐标曲线，描述了在不同应变大小下 K + 渗透石墨烯嵌入的 N 4 O 2 孔隙时，单轴应变方向的变化。每个传导点模拟 150 纳秒。除了 N 4 O 2 孔隙外，还展示了通过单轴应变 18-冠-6 孔隙的渗透，作为各向同性响应的示例（黑色圆圈和实线）。所有连续线都是模拟数据的 - 型拟合，作为视觉指南添加。𝐴𝑒𝑥𝑝（𝐵𝑐𝑜𝑠𝜑）对应的数据不确定性与图 2 中显示的垂直条具有相同的量级。
改善应变定位的GASE单光子发射器...
该手稿由UT-Battelle，LLC部分撰写，根据与美国能源部（DOE）合同DE-AC05- 00OR22725。美国政府保留和出版商，通过接受该文章的出版物，承认美国政府保留了非判定，有偿，不可撤销的，全球范围内的许可，以出版或复制本手稿的已发表形式，或允许其他人这样做，以实现美国政府的目的。DOE将根据DOE公共访问计划（http://energy.gov/downloads/doe-public-access-plan），将公开访问联邦赞助研究结果。
基于硅的量子发射器的电子状态的应变工程
硅发光复合缺陷已被认为是基于在电信波长下工作的自旋和光子自由度的量子技术的潜在平台。它们在复杂设备中的集成仍处于起步阶段，并且主要集中在光萃取和指导上。在这里，通过应变工程来解决与碳相关杂质的电子状态（G-Centers）的控制。通过将它们嵌入绝缘体上的硅斑块中，并以罪恶将它们嵌入[001]和[110]方向上，并显示出对零声子线（ZPL）的受控分裂，这是由压电镜理论框架所解释的。分裂可以大至18 MeV，并且通过选择贴片大小或在贴片上的不同位置移动来调整它。一些分裂的，紧张的ZPL几乎完全极化，相对于平流区域，它们的总体强度可提高7倍，而它们的重组动力学略有影响，因为缺乏purcell效应。该技术可以扩展到其他杂质和基于SI的设备，例如悬浮桥，光子晶体微腔，MIE谐振器和集成的光子电路。
双层MOS2的双轴与单轴应变调谐
应变工程已成为一种强大的技术，可以调整二维半导体（如钼二二二硫化物）的电子和光学特性（MOS 2）。尽管几项理论作品预测双轴菌株比单轴菌株更有效，以调整MOS 2的带状结构，但文献中仍缺少直接的实验性验证。在这里，我们实施了一个简单的实验设置，该设置允许通过弯曲十字形聚合物底物施加双轴应变。我们使用该设置来研究双轴菌株对12个单层MOS 2平流的差异反射光谱的影响，以40 MEV/％和110 MeV/％的双轴张力介绍了激子特征的红移。我们还直接比较了双轴和单轴应变对同一单层MOS 2发现的效果，即双轴应变量表因子是单轴菌株1的2.3倍。
应变变异和异常气候协同影响霍乱大流行
（el tor）一个且随着O139菌株在孟加拉国和环球状态的暂时出现。使用用于非线性时间序列分析的统计方法，我们检查了暴发和疾病与区域温度和雨水的区域同步，以及与Elniño南部振荡（ENSO）的区域同步。建立未来的期望并评估伴随历史应变替代品的气候异常，在不同的50年期间，由多模型气候模拟产生气候促进。第6个霍乱大流行在1904 - 07年的埃尔尼诺事件期间，在孟买总统侵犯后，霍乱爆发的阵阵阵阵阵阵阵阵爆发的震撼人心的同步。伴随异常天气条件与20世纪后期在止痛药中相关的与与ENSO相关的条件类似，以及向非洲和南美大流行的扩张。 在大霍乱异常开始时，1904 - 05年的降雨异常在区域气候的模拟变化的第99个百分点中。与与ENSO相关的条件类似，以及向非洲和南美大流行的扩张。在大霍乱异常开始时，1904 - 05年的降雨异常在区域气候的模拟变化的第99个百分点中。