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World File Search System应变场
嵌入式量子点和量子线中应变场计算的回顾
1. 简介....................................................................................................................................................................................................................................................................................1 2. 量子点和量子线中应变场计算的回顾....................................................................................................................................................................................................................3 2.1. 简单说明性示例....................................................................................................................................................................................................................................4 2.2. 形状的影响....................................................................................................................................................................................................................4 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38 3. 总结和未决问题 . ...
利用 3d 纳米尺度应变映射技术对卤化物钙钛矿中光诱导位错迁移进行成像
近年来，卤化物钙钛矿材料已用于制造高性能太阳能电池和发光装置。然而，材料缺陷仍然限制了器件的性能和稳定性。在这里，基于同步加速器的布拉格相干衍射成像用于可视化卤化物钙钛矿微晶体中的纳米级应变场，例如缺陷局部的应变场。尽管 MAPbBr 3 (MA = CH 3 NH 3 + ) 晶体具有很高的光电质量，但其内部存在明显的应变异质性，并且通过分析其局部应变场可以识别出〈100〉和〈110〉刃位错。通过在连续照明下对这些缺陷和应变场进行原位成像，发现了数百纳米范围内剧烈的光诱导位错迁移。此外，通过选择性研究被 X 射线束损坏的晶体，较大的位错密度和增加的纳米级应变与材料降解和使用光致发光显微镜测量评估的显著改变的光电特性相关。这些结果证明了卤化物钙钛矿中扩展缺陷和应变的动态性质，这将对设备性能和操作稳定性产生重要影响。
量子传导实验中高频传输的模拟和测量
2. 理论背景 3 2.1. 电路量子电动力学 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6 2.1.4. 色散区域 . ...机电耦合………………………………………………………………………………………………………………10 2.2.3. 归一化应变场……………………………………………………………………………………………………………………12
1 - 船舶结构委员会
作为其与改进船舶船体结构有关的研究计划的一部分，船舶结构委员会正在伊利诺伊大学资助一项脆性断裂力学研究。随函附上第六份进度报告 SSC-130 的副本，研究六英尺宽钢中的脆性断裂扩展。— —— —— — 具有残余应变场的钢板，作者：F. W. Barton 和 W. J.Hall。—— — ——
使用差分孔径 X 射线显微镜对高电子迁移率晶体管中的残余应变场进行无损深度分辨表征
a 宾夕法尼亚州立大学材料科学与工程系 b 宾夕法尼亚州立大学机械工程系 c 阿贡国家实验室 X 射线科学部
固有的ge-rich sige/ ... div>中无意的p型电导率
在这项工作中，我们研究了固有的SI 0.06 GE 0.94 /gE塑料放松的异质结构的有效背景电荷密度（001）。hall效应测量和电容 - 电压填充显示在名义上固有的层中具有p型电导率，在10 15 cm 3中间的孔浓度在50至200 k的温度下，孔的浓度为孔。此外，通过深层瞬态光谱法发现位于中间隙位置的一个主要孔陷阱。载体捕获动力学测量值可以解释为由于点缺陷的组合，可能被困在扩展缺陷的应变场中，即螺纹脱位。
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图2 B 1G和B 2G菌株下的磁连导率。（a）MC在210 K处，无外部施加应变（黑色开放三角形），在施加的B 1G应变下，用H // a（红色开放的三角形）和H // B（蓝色开放正方形）。（b）在带有H // [110]和H // [-110]的各种B 2G菌株下210K的MC。示意图。夸大失真是出于说明目的。（c）B 2G应变场相图基于MC结果，其中相位边界是从MC曲线中的扭结位置提取的。
复合材料结构：理论与实践 - ASTM International
纪念奖发表了这篇演讲，该演讲未在 STP 上发表。他审查了一个旨在开发缝合树脂膜注入材料的损伤容限允许值的测试程序。该材料是美国宇航局先进亚音速技术 (AST) 复合材料机翼计划中使用的材料，由 3501-6 树脂中的 IM7 和 AS4 纤维组成，用 Kevlar-29 线横向缝合。在三个纤维方向和四种不同厚度上进行了测试，以复制从尖端到根部的机翼蒙皮。配置包括紧凑、延伸紧凑和中心缺口拉伸样品。使用平面各向异性裂纹问题的威廉型应变场级数表示法，计算了断裂平面上的法向应变和剪切应变。计算了极限拉伸和剪切的特征距离，并确定了相互作用方程。
外延 Ge/Si(001) 中应变-声子系数的温度依赖性：综合分析
在本文中，我们研究了外延 Ge/Si 层中拉曼模式的应变 - 声子系数的温度依赖性。为此，我们首先从理论上描述 b ( T ) 如何与材料弹性常数和声子波数的温度依赖性相关联。随后，我们分析了双轴应变场与 T 的关系，明确证明 ε ( T ) 可以分解为两个独立的贡献：(a) 外延应变，由于 Si ─ Ge 晶格失配（在特定温度下）引起，(b) 热应变，由 Ge 外延层和相对较厚的 Si 衬底之间的热膨胀系数 (CTE) 差异引起。最后，我们使用这些结果直接提取 150 – 450 K 范围内 Ge/Si 样品中的 b ( T )，通过比较 T 相关的 μ -Raman 测量与 T 相关的高分辨率 X 射线衍射实验 (HR-XRD)，
编程液晶弹性体用于多步动性变形
Ambidectionality是结构元素以两个相反方向超越参考状态的能力，在本质上很普遍。但是，除非使用复杂的混合构建体，否则常规软材料通常仅限于单个单向变形。我们利用了中间体自组装，聚合物链弹性和聚合诱导的应力的组合，以设计表现出两个中间酶的液晶弹性体：雪佛龙晶状体C（CSMC）和薄膜A（SMA）。诱导CSMC-SMA - 各向同性相跃迁导致微观结构中应变场的异常反转，从而导致相反的变形模式（例如，连续收缩或膨胀或右手或左手或左手的扭曲或相反的方向和高频率频率）和高频率的频率。这种式运动运动是可扩展的，可用于在宏观上产生高斯变换。s