ST Microelectronics 和 LETI:S. Lhostis、A. Farcy、E. Deloffre、F. Lorut 等人在拉斯维加斯电子元件和技术会议 ECTC 上发表演讲(2016 年)。
基于晶圆键合与智能切割技术的功能化GaN异质集成衬底 丁家欣,中国科学院上海微系统与信息技术研究所集成电路材料国家重点实验室
T. Wernicke、B. Rebhan、V. Vuorinen、M. Paulasto-Krockel、V. Dubey、K. Diex、D. Wünsch、M. Baum、M. Wiemer、S. Tanaka、J. Froemel、KE Aasmundtveit、HV Nguyen、V. Dragoi
GST的结论标志着巴黎野心周期中的关键点。作为当事方采取国内缓解措施的义务的一部分,其目的是实现其NDC,23每五年进行一次NDC 24(在COP30 25之前的下一个9-12个月)进行NDC进行交流,并确保每个连续的NDC“反映其最高的野心”,26党也必须提供重要信息。正如Katowice在Katowice的COP中规定的那样,当事方应提供特定的信息,以实现“清晰,透过的和理解和理解” 27和“有关如何通过[GST]的结果告知其[NDCS]的准备信息。” 28商品及服务税的结果,包括其关键政策信号,必须通过其NDC来告知当事方的实施工作。要求各国在2025年第一季度提交的新NDC必须包括有关当事方对这些信号采取行动的信息。到2025年,COP28对气候行动的影响的程度将成为重点。
09:00-09:50 Tadaki(国家传染病研究所)感染性病理学对Covid-19的贡献10:00-10:00-10:50 Yamazaki Akira(大阪大学)(大阪大学)细胞介导的免疫反应对SARS-COV2 11:00-11:00-11:00-11:00-11:50 ARASE NAO(OSAKA NAO)介绍了OSAKA NAO(OSAKA NAO),以下简13:00-13:50 Nishiura Hiroshi(京都大学)Covid -19的传染病流行病学194:00-14:50 Sato Yoshi(Tokyo)新颖的Coronavirus大学的演变15:00-15:00-15:50-15:50
摘要:从Z10 Microcode的最新更新开始,以及ICSF,FMID HCR7770,IBM加密硬件的新支持,支持三种键。本文介绍了清晰键,安全键和受保护的键之间的基本差异,并且是对硬件如何为安全键提供额外保护的介绍。了解这三个区域之间的差异将有助于设计正确的加密解决方案并确定加密工作的硬件要求。加密是为了保护数据的过程。使用加密算法(一系列步骤)将数据拼写,该算法由密钥控制。键是输入算法的二进制数字序列。加密的安全性依赖于保持密钥的价值为秘密。在密码学中,必须确保所有对称密钥和公共/私钥对的私钥以保护数据。对于对称键,需要保护钥匙值,以便只有两个交换加密数据的双方才能知道键的值。DES,TDE和AES算法已发布,因此键提供了安全性,而不是算法。如果第三方可以访问密钥,则可以像预期的接收者一样轻松地恢复数据。对于非对称键,必须保护私钥,以便只有公共/私钥对的所有者才能访问该私钥。公共密钥可以并且将与将向键盘所有者发送加密数据的合作伙伴共享。安全的密钥硬件要求加载主密钥。在系统z加密环境中定义键为安全键时,该密钥将由另一个称为主键的密钥保护。IBM安全密钥硬件提供篡改感应和篡改响应环境,在攻击时,将对硬件进行归零并防止钥匙值受到损害。该主密钥存储在安全硬件中,用于保护操作密钥。硬件内(通过随机数生成器函数)生成安全密钥的清晰值,并在主密钥下进行加密。当安全密钥必须离开安全的硬件边界(要存储在数据集中)时,将密钥在主密钥下进行加密。因此,加密值存储,而不是密钥的清晰值。一段时间后,当需要恢复数据(解密)时,安全的键值将加载到安全的硬件中,在该硬件中将从主密钥中解密。然后将在安全硬件内使用原始键值,以解密数据。如果安全密钥存储在CKD中,并且主密钥更改,ICSF提供了重新启动安全键的能力;那就是将其从原始的主密钥中解密,然后在新的主密钥下重新加密它,所有这些都在安全硬件中,然后将其存储回新的CKD,现在与新的主密钥值相关联。当需要与合作伙伴共享时,也可以在密钥加密密钥或运输密钥下加密安全密钥。在这种情况下,当它留下硬件的安全边界时,它将在传输密钥(而不是主密钥)下进行加密。
金属间化合物的生长和转变伴随着金/金属间化合物界面处键合内部以及键合外围的铝接触垫中空隙的形成。空隙是由于 Al 和 Au 原子扩散速率差异(Kirkendall 效应)形成的空位聚结而产生的。金属间化合物的形成使键合更坚固,但由于金属间化合物的体积变化,与 Au 和 Al 相比,键合更脆,机械应力更大 [1, 3]。由于金属间化合物的形成,引线键合的电阻仅增加几十毫欧姆 [1, 4]。在退化的初始阶段,空隙不会显著影响键合的机械强度和接触电阻。然而,长时间暴露在高温下会增加空洞,直至键合变得机械脆弱和/或电阻增加到可接受水平以上,从而导致设备故障。
金属间化合物的生长和转变伴随着金/金属间化合物界面处键合内部以及键合外围的铝接触垫中空隙的形成。空隙是由于 Al 和 Au 原子扩散速率差异(Kirkendall 效应)形成的空位聚结而产生的。金属间化合物的形成使键合更坚固,但由于金属间化合物的体积变化,与 Au 和 Al 相比,键合更脆,机械应力更大 [1, 3]。由于金属间化合物的形成,引线键合的电阻仅增加几十毫欧姆 [1, 4]。在退化的初始阶段,空隙不会显著影响键合的机械强度和接触电阻。然而,长时间暴露在高温下会增加空洞,直至键合变得机械脆弱和/或电阻增加到可接受水平以上,从而导致设备故障。
对可持续清洁能源的需求推动了热电 (TE) 材料的发展,这种材料可将热能直接转化为电能并实现分布式冷却。[1–3] 能量转换效率通过无量纲性能系数 zT = S 2 σ T / ( κ ele + κ lat ) 来衡量,其中 S 、σ 、T 、κ ele 和 κ lat 分别为塞贝克系数、电导率、绝对温度、电子热导率和晶格热导率。[4–8] 尽管 zT 的表达式看起来很简单,但增加其值却是一项艰巨的任务。具体而言,虽然在半导体中通常获得较高的 S,但在金属中会发现较大的 σ ,而在非晶态材料中会实现较低的 κ lat 。[6,9] 这已经表明优化要求很复杂。显然,相关优化参数 S 、 σ 和 κ ele 紧密相关。这阻碍了 zT 的改善和优质热电材料的识别。因此,
Wirebondinghasbeenthemostwidelyusedandflexibleform of interconnecting technology in semiconductor manufacturing [1] .Themechanicalreliabilityofwirebondsinamicroelectronic package depends to a big extent on the formation of intermetallic compounds at the interface, environmental stress cycling of the module, fatigue and bonding process itself.债券过程控制和债券质量监控一直是制造OEM的主要关注点。电线键合是一个复杂的过程,具有许多参数(例如功率输入,粘结压力,粘结时间,阶段温度,传感器配置)。对于这样的制造过程,确定主要因素及其影响对于过程优化很重要。常规传感器组件包括以一端耦合的PZT(铅 - 循环酸 - 二烷基)驱动元件,以及键合工具耦合到传感器的输出端。为了维修/更换需求,该工具在组件上螺钉固定。这是具有“蟹腿”键合工具的三维结构。螺钉固定条件(工具上的扭矩值)可能会影响包装实践中的传感器性能,但是很少有有关此