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19“工业路由开关-RFIR-227-F4G-T7G-DC
RFIR（Redfox Industrial机架）是一个高性能层3工业以太网开关，专为高网络流量应用而设计。可以使用各种端口配置，可以通过SFP收发器进行进一步定制。RFIR由Westermo Weos网络操作系统提供动力。rfir专为19英寸橱柜而设计，适合于控制室网络以及沿铁路轨道侧安装安装的橱柜。rfir旨在通过直流电源有效运行，该设备还配备了可配置的I/O故障接触，非常适合在工业应用中轻松安装和监视。只有使用工业级组件才能使RFIR的MTBF达到275 000小时，从而确保了长期使用寿命。可以在没有运动部件或冷却孔的情况下实现宽的工作温度范围-40至 +70°C（-40至 +158°F）。Westermo和外部测试室对RFIR进行了测试，以满足许多EMC，隔离，振动和冲击标准，所有这些都适用于最高水平，适用于重型工业环境和铁路轨道旁应用。WEOS已由Westermo开发，以便我们提供跨平台和未来的证明解决方案。WEO可以为此产品提供唯一的IP安全功能，例如，可以通过使用基于内部端口的防火墙功能来构建多端DMZ。可以使用加密的VPN提供远程安全访问网络。有关更多WEOS功能，请参阅WEOS数据表。
使用量子开关的量子通信
量子开关描述了一种量子操作，其中两个或多个量子信道的应用顺序由量子系统的状态控制。可以适当选择控制系统的状态来创建量子信道因果顺序的量子叠加，现在可以执行在标准量子香农理论框架内不可能完成的通信任务。在本文中，我们考虑一次性预告量子比特通信的场景，并询问是否存在使用给定量子开关的协议，这些协议仍然可以胜过给定的量子开关。我们对这个问题的回答是肯定的。具体来说，我们定义了一个由两个量子开关组成的高阶量子开关，其中量子开关的顺序由另一个量子系统控制。然后我们表明，放置在其替代因果顺序的量子叠加中的量子开关可以传输量子比特，没有任何错误，并且概率严格高于单个开关所能实现的概率。我们讨论了三个例子，证明了这种通信优势优于两种量子交换机：一种是已经作为资源有用的，一种是无用的。然而，我们也表明，有些情况下，与单个交换机相比，它们并不具有通信优势。
B淋巴管中的发育开关
摘要B和T淋巴细胞在胎儿和成人生活期间由造血干细胞产生。一个关键的未解决的问题是，淋巴管的分化路径在胎儿和成年动物中是否相同，或者它们是否有所不同，类似于红细胞生成的血红蛋白转换。我们在这里报告说，B淋巴管中发生了发育开关。我们从胎儿和成人来源分离了“ pro-b”细胞（即已经启动但未完成的重链基因后序的细胞），并研究了其B细胞后代在体外和体内产生。大多数来自胎儿肝脏的细胞，但很少有成年骨髓的细胞表达了CD5。此外，胎儿pro-b细胞未能产生在严重组合的免疫性入伤小鼠中表达高水平IgD的细胞，而成年pro-B细胞的CD5-B细胞在与成年小鼠脾脏中的大部分细胞相当的水平上产生CD5-B细胞。因此，与在成年动物的骨髓相当分化阶段相比，与细胞相比，与细胞相比，所有胎儿胎儿胎儿中的所有定型B祖细胞都会产生表型不同的后代。我们得出的结论是，早期胎儿发育中的B-Linege祖细胞的队列承诺要进行与成年人所见的分化途径。
使用可编程开关的加速机器学习
摘要。高频交易（HFT）采用尖端硬件来快速决策和订单执行，但通常依赖于可能会错过更深层次市场趋势的简单算法。相反，低频算法交易使用机器学习（ML）进行更好的市场预测，但更高的延迟可以否定其战略收益。为了达到两全其美，我们提出了一种网络内ML解决方案，该解决方案将ML过程嵌入了可授权的网络设备中，加速了功能工程和提取以及ML推断。在本文中，我们设计和开发了一种解决方案，该解决方案支持使用商品开关的股票中价和挥发运动预测。我们的方法达到了微秒尺度的超低潜伏期，与以前的工作相比，它显着降低了64％至97％，同时维持与服务器模型相同的ML性能。此外，通过将网络硬件和服务器相结合，混合部署策略可以使错误分类率的变化相对于服务器基线的0.8％以下，同时直接在开关上处理49％的流量并实现了端到端延迟的平均降低45％。
gan/sic整体双向开关 - A ...
■«X-Technologies» /“ Moon-Shot”技术■«X-Concepts»完全利用基本规模定律和X技术■Power Electronics 1.0电力电子4.0■2…5…5…5…10倍提高10％！
基于2D材料的RF开关的非线性。
最近，在各种单层和多层材料中观察到非易失性切换。除了内存应用外，由于与其他新兴技术相比，该区域的缩放比例很高，因此电阻开关对于模拟RF开关也有望[1]。我们的RF开关是金属 - 绝缘子 - 金属结构，该结构由由2D材料隔开的金属电极制成的垂直连接组成。先前的研究表明，此RF开关适用于5/6G应用[1-2]。设备嵌入了共面波导中以进行RF测量。直流测量结果表明，直到施加设置电压（MOS 2设备为〜2V），该开关处于高电阻状态，这将设备置于低电阻状态。该状态一直存在，直到应用负偏差将切换重置为其高电阻状态为止。我们使用涵盖频率范围0.25-320GHz的S参数表征来提取设备的小型电路。从s-参数中，我们推导了RF开关的两个主要功能：插入损失（由于设备带有开关状态为ON状态的设备引起的功率损失）和隔离（在OFF状态下跨开关跨开关的功率衰减）。该设备是非挥发性的，状态保留量超过3个月[2]。在这项工作中，我们专注于HBN和MOS 2制造的RF开关的非线性研究。作为IV表征显示的，RF开关在足够高的偏置上是非线性的。测得的IIP3值与基于简单非线性电阻模型的模拟获得的IIP3值一致。为了量化这种非线性性，我们通过设备应用了一个具有2个音调（F 1 = 2.365GHz和F 2 = 2.415GHz）的信号，我们在F 1和F 2处测量输出功率，我们还测量了交流频率下的功率（此处f int = 2f 2 -f 2 -f 1）。从测量的数据中，我们可以追踪每个频率与输入功率的功率，并提取输入三阶截距点（IIP3），HBN设备超过46dBm，MOS 2设备为20DBM。
固态电源控制器与机电开关
除了基本的 ON/OFF 电源切换之外，典型的 SSPC 还提供许多保护功能，包括快速短路保护，使电路停用时间达到 1 mS 左右。电路停用涉及在 500 µS 至 1mS 的时间内逐渐移除通道的开关 MOSFET 栅极驱动，以最大限度地减少 EMI 辐射。参考图 1，对于过载保护，SSPC 实施“I 平方 t”（I 2 t）检测方法来保护电线和负载，同时仍可防止高浪涌电流切换到电机、螺线管、电容负载（如电子电源）或白炽灯泡负载，从而导致“误跳闸”。借助 I 2 t 保护，当测量的负载电流为额定电流的十倍或更多时，SSPC 将立即跳闸。对于较低的电流值，SSPC 的处理器会执行连续计算，从而导致在负载电流为额定值一至十倍的过载情况下跳闸时间更长。
表征低温 MEMS 开关的可靠性...
• 接触电阻在 1 分钟内迅速减小。然后在接下来的一个小时内逐渐减小。• 如果随后关闭开关并重复测试，则新的起始电阻会更低。• 如果关闭开关并保持关闭状态。下次打开时，接触电阻会再次升高。• 与 MEMS 开关的文献一致。• 注意：即使最高的接触电阻仍然相对较低（小于 2 欧姆）。
