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三菱电气开发了AI
About Mitsubishi Electric Corporation With more than 100 years of experience in providing reliable, high-quality products, Mitsubishi Electric Corporation (TOKYO: 6503) is a recognized world leader in the manufacture, marketing and sales of electrical and electronic equipment used in information processing and communications, space development and satellite communications, consumer electronics, industrial technology, energy, transportation and building equipment.三菱电气本着其“更好的变化”的精神来丰富社会。该公司的收入为截至2024年3月31日的财政年度。有关更多信息，请访问www.mitsubishielectric.com *美国。美元金额以¥151 =美国1日元的价格翻译成$ 1，这是2024年3月31日东京外汇市场上的大约利率
验光师开处方药物备忘录
Div> Div 药品执行秘书，药房委员会日期：2023年10月25日回复：验光师开处方制药代理商，于2023年10月17日，纽约州董事会采用了对专员规定的修正案，对专员的规定进行了修正验光师列表的指定口服治疗药物被授权开处方。 自2023年10月25日起，有资格获得认证的验光师必须申请该部门以获得“ O”特权。 验光师不得开口头治疗药物，除非该部门授予“ O”特权。 可以使用该部门的在线验证系统验证持牌验光师的“ O”特权，该系统将在被许可方的额外资格下表示“ ORT”。 “ ORT”是一个组合的首字母缩写词，其中字母“ O”代表口服，字母“ RT”（以前为“ TUV”）代表治疗青光眼和眼高血压，局部治疗药物药物的治疗药物，以及诊断药物的诊断药物。 特权是分层的。 验光师必须有资格获得“ T”特权（诊断），以满足“ R”（治疗性）特权的要求。 为了获得“ O”（口服）特权，验光师还必须满足“ T”和“ R”的要求。 第二页上的列表总结了所有治疗药物验光者的所有治疗药物验光师被授权按特权开出。药品执行秘书，药房委员会日期：2023年10月25日回复：验光师开处方制药代理商，于2023年10月17日，纽约州董事会采用了对专员规定的修正案，对专员的规定进行了修正验光师列表的指定口服治疗药物被授权开处方。自2023年10月25日起，有资格获得认证的验光师必须申请该部门以获得“ O”特权。验光师不得开口头治疗药物，除非该部门授予“ O”特权。可以使用该部门的在线验证系统验证持牌验光师的“ O”特权，该系统将在被许可方的额外资格下表示“ ORT”。“ ORT”是一个组合的首字母缩写词，其中字母“ O”代表口服，字母“ RT”（以前为“ TUV”）代表治疗青光眼和眼高血压，局部治疗药物药物的治疗药物，以及诊断药物的诊断药物。特权是分层的。验光师必须有资格获得“ T”特权（诊断），以满足“ R”（治疗性）特权的要求。为了获得“ O”（口服）特权，验光师还必须满足“ T”和“ R”的要求。第二页上的列表总结了所有治疗药物验光者的所有治疗药物验光师被授权按特权开出。
东开普省教育部...
教育部申请：必须仅通过省级电子招聘系统提交：https：//ecprov.gov.za和/或https://erecruitment.ecotp.gov.za。该系统可在整个过程中24/7全天候可用，并在截止日期23:59关闭。要报告与电子招聘系统有关的任何挑战，请发送带有您的ID号码的电子邮件，您的个人资料电子邮件地址以及该问题的详细信息发送至：erecruitment@ecdoe.gov.za;不要向此电子邮件地址提交任何简历，如果您这样做，您的申请将被视为丢失，也不会考虑。技术支持仅限于工作时间：（08：00-16：30星期一，星期五08：00-16：00）。将接受没有手工交付 /没有电子邮件 /没有传真 /没有发布的应用程序。截止日期：2025年3月24日。将不接受延迟申请注意：必须在适当完成的Z83（从2021年1月1日起生效）上提交申请表，可从任何公共服务部门或Internet上获得www.dpsa.gov.za/documents。申请人不需要在申请中提交任何资格和其他相关文件副本，而必须提交完全完成的签名Z83表格和详细的课程。nb：Z83在电子招聘系统中目前无法下载，因此无法签名；因此，通过电子招聘系统提交申请的申请人将不符合未签名的Z83的资格，以便在面试当天签名。入围候选人将被要求在面试日期或之前向人力资源提交经过认证的资格副本和其他相关文件。具有外国资格的申请人将被要求在面试当天或之前向南非资格局（SAQA）提交评估证书。未提交所有请求的文件将取消该申请的资格。信件仅限于入围候选人。如果在此广告结束日期后的六（6）周内未与您联系，请接受您的申请不成功。选定的候选人将接受人员适用性检查（犯罪记录检查，公民身份验证，财务/资产记录检查，资格/研究验证和先前的就业验证）。成功的候选人也将受到安全许可流程。在适用的情况下，候选人将接受技能/知识测试。在申请文件中歪曲陈述将在候选人已被任命的情况下自动取消资格和纪律处分。部门保留不预定宣传职位的权利。残疾人和以前处于弱势群体的人被鼓励申请。是部门的目标是根据就业权益计划解决雇佣权益平权行动措施，并在种族和性别之间实现公平代表。在填写这些职位时，将高度考虑在填补这些职位的性别平等和残疾人。（还要求女性和残疾人在其申请中申请并指示这种情况）。部门保留修改 /审查 /提取广告帖子的权利，如果这样做，该部门的最大利益将得到充分服务。nb请注意：该部门的目的是解决与ECDOE EE计划一致的就业平等行动措施，并在种族和性别之间实现公平的代表。在填写这些职位时，将高度考虑在填补这些职位的性别平等和残疾人。部门保留修改 /审查 /提取广告帖子的权利，如果这样做，该部门的最大利益将得到充分服务。（还要求女性和残疾人在其申请中申请并指示这种情况）。查询必须针对指定的联系人。有关电子招聘查询，电子邮件：erecruitment@ecdoe.gov.za
航空母舰动载状态确定...
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最终报告 - GR740 下一代微处理器飞行模型（NGMP 第 3 阶段）
STMicroelectronics 开发了一套针对 GR740 晶圆 (EWS) 的测试程序。所有用于生产飞行部件的晶圆都经过此程序测试，只有合格的晶圆才能进入装配线（飞行部件）。ST 未公布 EWS 程序内容的细节，因为他们认为这是其“技术诀窍”的一部分。ST 在筛选两个飞行质量批次时获得的产量反映了 EWS 对飞行部件制造的影响。总体而言，产量数字非常好。
GaN 晶圆级 AuSn 焊料沉积
关键词：GaN、焊料、AuSn 焊料、溅射、共晶、芯片粘接摘要对于 GaN MMIC 芯片粘接，经常使用 80%Au20%Sn 共晶焊料。通常的做法是使用预制件 AuSn 将芯片粘接到 CuW 或其他一些基板上。在此过程中，操作员可能需要将预制件切割成芯片尺寸，然后对齐预制件、芯片和基板。由于操作员需要同时对齐三个微小部件（预制件、芯片和基板），因此这是一个具有挑战性的过程，可能需要返工。此外，预制件厚度为 1mil（在我们的例子中），这可能导致过量的焊料溢出，需要清理，因为它会妨碍其他片外组装。整个芯片粘接过程可能很耗时。在本文中，我们描述了一种在分离芯片之前在 GaN 晶圆上使用共晶成分溅射靶溅射沉积共晶 AuSn 的方法。它消除了预制件和芯片的对准，并且不会挤出多余的 AuSn。通过使用共晶溅射靶，它还可以简化靶材制造。下面给出了芯片粘接结果。引言宽带微波 GaN MMIC 功率放大器在国防和通信应用中具有重要意义。随着设备性能的提高，芯片粘接变得非常重要，因为它会极大地影响 MMIC 的热预算。80%Au/20%Sn 焊料已用于半导体应用超过 50 年，通常作为冲压预制件。然而，由于需要将 MMIC 芯片中的多个小块和焊料预制件对准到载体上，因此芯片粘接过程可能很繁琐且耗时。在芯片分离之前在整个晶圆上溅射沉积 AuSn 将大大简化芯片粘接过程。然而，溅射的 AuSn 成分对于正确的焊料回流至关重要。由于 Au 和 Sn 的溅射产率不同，AuSn 溅射靶材的化学性质和沉积的 AuSn 薄膜之间存在显著的成分变化 [参考文献 1]。下图 1 显示了 Au-Sn 相图。通过仔细控制溅射参数（功率、压力和氩气），我们能够从共晶成分溅射靶中沉积共晶 AuSn。制造共晶成分溅射靶要容易得多/便宜得多。
芯片到晶圆 (d2w) 键合解决方案
直接键合技术不断发展，以应对“更多摩尔”和“超越摩尔”的挑战。自 20 世纪 90 年代绝缘体上硅 (SOI) 技术的出现以来，CEA-Leti 已在直接键合方面积累了丰富的专业知识。从那时起，CEA-Leti 团队一直在积极创新直接键合，以拓宽应用领域。该技术基于室温下两个紧密接触的表面之间的内聚力。然后，范德华力（氢键）和毛细桥产生所需的粘附能。键合后退火将弱键转变为共价键，最终形成一块材料。随着混合键合的出现，直接键合现在不仅解决了基板制造问题，还解决了 3D 互连领域的问题。本文介绍了 CEA-Leti 开发的不同直接键合技术及其在微电子行业和研发中的应用。在文章的第一部分，简明扼要地介绍了直接键合物理学。然后，概述了最先进的键合技术，包括晶圆对晶圆 (WTW) 混合键合、芯片对晶圆 (DTW) 混合键合和 III-V 异质键合。针对合适的应用领域，比较了每种技术的优势、挑战、应用和利害关系。第三部分重点介绍 CEA-Leti 在 ECTC 2022 和 ESTC 2022 上展示的最新混合键合 D2W 结果。讨论了集成挑战以及专用设备开发的作用。最后一部分介绍了潜在的市场和相关产品，并以具有硅通孔 (TSV) 和多层堆叠的芯片为例。