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自身炎症疾病的异同......
缩写：ALP，碱性磷酸酶；ASC，含 CARD 的凋亡相关斑点样蛋白；CARD，胱天蛋白酶活化和募集结构域；CAPS，冷热蛋白相关周期性综合征；CINCA，慢性婴儿神经皮肤关节综合征；DAMPs，危险相关分子模式；DLBCL，弥漫性大 B 细胞淋巴瘤；ESR，红细胞沉降率；FCAS，家族性冷自发炎综合征；GSDMD，胃蛋白酶 D；IL-1R。IL-1 受体，IL-1RA；IL-1 受体拮抗剂，MGUS；意义不明确的单克隆丙种球蛋白病，MWS；马克-韦尔斯综合征，MYD88；髓系分化原发反应基因 88，NLR；NOD 样受体，NLRC4； NLR 家族胱天蛋白酶募集结构域含 4，NLRP3；NLR 家族，含吡啶结构域 3；NOD，核苷酸结合寡聚化结构域；NOMID，新生儿发病多系统炎症疾病；PGA，医生整体评估；
SiC 和 Si 功率 MOSFET 中 BTI 的异同
摘要 — 偏置温度不稳定性 (BTI) 不仅在 4H 碳化硅 (4H-SiC) 功率 MOSFET 中是一个严重的可靠性问题，在 Si 技术中也是如此。尽管之前的研究表明，与 Si 相比，某些 SiC 器件的 BTI 漂移较大，但我们表明，通过改进器件工艺，现代 SiC 中的 BTI 可能变得不那么重要。正如将要展示的，NBTI 甚至可以降低到与 Si 功率 MOSFET 类似的漂移水平。此外，我们证明 SiC 和 Si 器件中的 BTI 具有许多共同的特征，例如可比的时间和电压变化。因此，SiC MOSFET 中的 BTI 可以用相同的经验和简单物理模型来描述，因此与基于 Si 的器件一样可预测。此外，这表明 SiC 和 Si 功率 MOSFET 中的 BTI 是由相同的物理退化原因引起的。