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World File Search System异质结构
金属单核化异质结构中的厚度和扭曲角度依赖的层间激子WenkaiZheng§，⊥，lixiang§，⊥
金属单核化杂质中的厚度和扭曲角度依赖性层间激素wenkaiZheng§，⊥，⊥，lixiang§，⊥，⊥，felipe dequesada˧，£，£，Mathias Augustinǂ，Mathias Augustinǂ，ƪ，金属单核化杂质中的厚度和扭曲角度依赖性层间激素wenkaiZheng§，⊥，⊥，lixiang§，⊥，⊥，felipe dequesada˧，£，£，Mathias Augustinǂ，Mathias Augustinǂ，ƪ，
基于可扩展单层 ReS 2 /WS 2 异质结构的具有突触可塑性的电光可控忆阻器
随脉冲数增加而呈现增加趋势，并表现出显著的光感应行为，随着光功率从0 mW增加到8 mW而稳步增强。这种依赖于功率的电导控制表明了对突触权重的光学可调性，预示着未来视觉神经应用的潜力。图4i展示了通过调制光功率对开关时间（施加单脉冲时设备电流稳定的时间）的有效控制。对于读取电压为1 V、幅度为5 V、脉冲宽度和间隔均为3 s的脉冲，在532 nm激发下，开关时间从约1.8 s减少到0.6 s。这暗示了光调制忆阻器在神经形态应用上的高级灵敏度。
超导体/铁磁异质结构
Al 中的自旋寿命。（c）由不同自旋轨道耦合强度参数（b 分别为 0.1、0.02 和 0.005）的隧道磁阻 (TMR) 比推导的自旋寿命的温度依赖性。（d）超连续磁共振涡旋介导的自旋电流示意图。上平面：自旋角动量和超连续磁共振涡旋涡度之间的嬗变。下图：磁性绝缘体 (MI)/SC/MI 结构中通过超连续磁共振涡旋液体进行自旋传输的理论预测。（e）用于探测磁振子和涡旋之间耦合的 Nb/Py 异质结构的器件结构。金电极用作天线来激发和检测 Py 中的磁振子自旋波。（f）归一化的磁振子自旋波传输图与平面外磁场和自旋波频率的关系。两个带隙特征与第一和第二布拉格散射条件吻合得很好。 (bc) 改编自参考文献 [8]，经许可，版权归 Springer Nature 2010 所有。(d) 改编自参考文献 [9]，经许可，版权归 APS 2018 所有。(ef) 改编自参考文献 [41]，经许可，版权归 Springer Nature 2019 所有。
可切换的单极屏障范德华异质结构...
这是以下文章的同行评审版本：Deng, W., Dai, M., Wang, C., You, C., Chen, W., Han, S., Han, J., Wang, F., Ye, M., Zhu, S., Cui, J., Wang, Q. J.& Zhang, Y.(2022)。具有自然各向异性的可切换单极势垒范德华异质结构，可用于全线性偏振检测。Advanced Materials, 34(33), 2203766‑，最终版本已在 https://doi.org/10.1002/adma.202203766 上发布。本文可根据 Wiley 自存档版本使用条款和条件用于非商业目的。
二维 MXO/MoX2（M = Hf、Ti 和 X = S、Se）范德华异质结构：一种有前途的光伏材料
由于其优异的光学、电子和物理特性以及更好的可控物理尺寸调整，它填补了这一空白。此外，二维/二维范德华异质结构的层状结构性质最近引起了广泛关注。它们具有可调电子带隙、光吸收、高效的电荷分离和传输、耦合效应和低量子约束等有趣特性。12,14 – 17 Janus TMDs 材料与传统 2D 材料不同，引起了人们的浓厚兴趣。Janus TMDs 材料具有不对称晶体结构、固有平面外极化和压电性等独特特性。 18 – 23 2D/2D 范德华异质结构耦合非常重要，它会产生各种有趣的效果 24,25 这是一种结合不同 2D 材料各种特性的有用方法 26 以促进光伏技术创新。 27 通过将两个单层堆叠在一起，可以根据此优势和可调特性构建 MXO/MoX 2 异质结构。 28
在氧化铝上生长的纳米厚 ZnO/SnO2 异质结构可用于 H2S 传感
摘要：设计纳米级异质结构材料是增强气体传感性能的一种众所周知的方法。在本研究中，溶解在乙醇溶剂中的氯化锌和二水合氯化锡的混合溶液被用作初始前体，使用超声喷雾热解 (USP) 法在氧化铝基底上沉积传感层。通过在初始前体中应用不同的比例来生长几种 ZnO/SnO 2 异质结构。这些异质结构被用作传感 H 2 S 气体分子的活性材料。结果表明，USP 前体中氯化锌的增加会改变传感器的 H 2 S 灵敏度。发现最佳工作温度为 450°C。传感器的 USP 前体中含有 5:1（ZnCl 2:SnCl 2·2H 2 O）的比例，比纯 SnO 2（约 95 倍）样品和其他异质结构具有更高的响应。随后，还研究了 ZnO/SnO 2 异质结构对 5 ppm NO 2 、200 ppm 甲醇、100 ppm CH 4 、丙酮和乙醇的选择性。分析了 ZnO/SnO 2 的气敏机理，认为气敏性能的显著提高主要归因于 ZnO 和 SnO 2 之间异质结构的形成。还利用 X 射线衍射、扫描电子显微镜、能量色散 X 射线、透射电子显微镜和 X 射线光电子能谱分析了合成的材料，以研究 ZnO/SnO 2 异质结构的材料分布、晶粒尺寸和材料质量。关键词：气体传感器、ZnO/SnO 2 、异质结构、超声喷雾热解、H 2 S ■ 介绍
钼二硫化物/双壁碳纳米管混合尺寸异质结构
钼二硫化物（MOS 2）是最相关的2D材料之一，主要是由于其半导体的直接带隙，使其成为电子，光电电子和光子学的有希望的材料。[8-10]同时，碳纳米管是研究精通的1D材料之一，可以提供高构成性和载体迁移率，[11,12]，这使它们成为与MOS 2的混合尺寸异质结构相关的。的确，一些努力为MOS 2 /碳纳米管异质结构做出了贡献。例如，具有MOS 2和单壁碳纳米管的异质结构已通过干燥转移制造，并制造了垂直的场效应晶体管，该晶体管与MOS 2 /石墨烯设备相比，栅极调制深度增加了三个数量级。[13]混合二维异质结构设备可以用作活跃显示器中的薄膜晶体管，但是所证明的干燥转移显然不是可扩展性生产的理想方法。为了解决这个问题，开发了通过化学蒸气沉积（CVD）在单壁碳纳米管上直接沉积。过渡金属氧化物和硫用作在单壁碳纳米管膜上沉积MOS 2或WS 2的前体。[14]在这项工作中，混合尺寸的侵蚀设备具有吸引人的电气性能和出色的机械稳定性。但是，研究在研究中忽略了混合二维异质结构的堆叠顺序，这些异质结构可以提供对异质结构和电极之间的联系的特征。在这里，我们首次报告了一种直接合成MOS 2 /双壁碳纳米管（DWCNT）< /div>的方法
二维异质结构作为钾离子电池先进电极材料的最新进展
太阳能、风能、地热能、水能、波浪能和潮汐能等可再生和可持续能源对于应对日益增长的能源消耗和环境恶化挑战至关重要。[1] 同时，要最佳地利用这些间歇性能源产生的电能，需要开发大规模、低成本的固定式储能系统。[2 – 4] 目前，人们致力于开发基于钾离子电池（PIB）的固定式储能系统，因为 PIB 与锂离子电池（LIB）相比具有特殊的优势（图 1a）。[5 – 7] 首先，钾资源丰富、成本低廉，使 PIB 比 LIB 更具成本效益。[8] 其次，钾的还原电位适宜，可以降低 PIB 的发电成本。
多孔 Mo2C-Mo3N2 异质结构/rGO 具有协同作用，可作为高性能锂硫电池的多硫化物调节剂
多硫化锂 (LiPSs) 的穿梭效应是阻碍锂硫电池发展的关键障碍之一。在此，我们提出了一种多孔 Mo 2 C-Mo 3 N 2 异质结构/rGO 主体，Mo 2 C-Mo 3 N 2 异质结构结合了 Mo 2 C 的高吸附性和 Mo 3 N 2 的高催化性的优点，从而实现了 LiPSs 在 Mo 2 C-Mo 3 N 2 异质界面上的快速锚定-扩散-转化。Mo 2 C-Mo 3 N 2 异质界面提高了 LiPSs 的捕获效率和向 Li 2 S 的转化率。rGO 为电子传输提供了快速路径，并充当了保护层，防止结构在循环过程中受损。密度泛函理论 (DFT) 计算表明，Mo 2 C 对 Li 2 S 4 的吸附能力比 Mo 3 N 2 强，Mo 3 N 2 具有更好的反应动力学特性。实验中，Mo 2 C-Mo 3 N 2 /rGO@S 电极表现出优异的倍率性能。在高硫负载量（3.4 和 5.0 mg cm − 2 ）下，300 次循环后容量保持率为 78%，在 0.5C 下为 70%。Mo 2 C-Mo 3 N 2 /rGO 硫电极表现出 4.56 × 10 -7 cm 2 s − 1 的高 Li + 扩散系数，这得益于界面处 LiPSs 的加速转化。我们的研究结果揭示了 LiPSs 的锚定-扩散-转化在抑制穿梭效应方面的关键作用。
全范德华异质结构中的自旋轨道扭矩切换
已成功用于有效操控磁化，从而产生了最近的基于 STT 的商业化磁存储器解决方案。 [1] 自旋轨道扭矩 (SOT) 利用高自旋霍尔效应 (SHE) 材料中的平面电荷电流产生的平面外自旋电流，可以实现更节能的磁化操控，并且正在达到商业成熟度。 [2–4] 到目前为止，已经研究了各种高自旋轨道耦合 (SOC) 材料，包括重金属、拓扑绝缘体 (TI) [5–7] 以及最近的拓扑半金属 (TSM) [8–11]，以最大化它们的自旋霍尔角 θ SH = | J s | / | J c |，这是它们将电荷电流密度 J c 转换为自旋电流密度 J s 的效率的量度。此外，已经研究了高 SHE 和 FM 材料层之间的界面工程，以最大化跨界面的自旋透明度 T int。 [12–19] 高效 SOT 自旋电子器件的关键挑战是最大化 SOT 效率，ξ= θ SH · T int。[20]