技术进步开始将一个以前只是学术性的问题变为现实:计算的基本物理极限是什么?兰道尔的结论 (1) 是,唯一必然需要耗散的逻辑运算是不可逆运算,这一结论促成了可逆、无耗散逻辑器件的设计 (2),促成了仅使用可逆逻辑即可进行计算的发现 (3-4),并促成了计算机的提案,在计算机中,比特(信息的基本量子)由真正的量子力学量子(如自旋)记录 (5-10)。到目前为止,量子力学计算机的提案依赖于“设计汉密尔顿算子”,这些算子是专门为允许计算而构建的,不一定与任何物理系统相对应。相比之下,本报告提出了一类实际上可能可构建的量子计算机。拟议的计算机由弱耦合量子系统阵列组成。计算是通过将阵列置于电磁脉冲序列中来实现的,这些脉冲序列会在局部定义的量子态之间引起跃迁。例如,在一维空间中,计算机可能由聚合物中的局部电子态组成;在二维空间中,计算机可能由半导体中的量子点组成;在三维空间中,计算机可能由晶格中的核自旋组成。在兰道尔极限下运行,只需要耗散即可进行纠错,这里详述的系统是 Deutsch 设想的真正的量子计算机 (6):位可以放置在 0 和 1 的叠加中,量子不确定性可用于生成随机数,并且可以创建表现出纯量子力学相关性的状态 (5-10)。利用量子效应构建分子级计算机的想法并不新鲜 (11-13)。这里详述的提议依赖于共振的选择性驱动,这是 Haddon 和 Stillinger (11) 用来在分子中诱导逻辑的方法,
完整的实验装置如图 S1 所示。超导量子比特遵循文献 [1] 中描述的“3D transmon”设计。单个铝制约瑟夫森结与蓝宝石衬底上的两个 0.4 x 1 毫米天线相连,嵌入空的铝块腔中,固定在稀释制冷机的 20 mK 基温下。transmon 芯片采用电子束光刻、双角蒸发和氧化工艺制成隧道结。光谱测量得出量子比特频率 ν q = 5 . 19 GHz,与下一个跃迁相差非谐性 α/ 2 π = 160 MHz。测得的弛豫时间为 T 1 = 16 µ s,拉姆齐时间为 T 2 = 10 . 5 µ s。读出和驱动脉冲由微波发生器产生的两个连续微波音调的单边带调制产生,微波发生器分别设置在 ν c 0 + 62 . 5 MHz 和 ν q + 62 . 5 MHz,其中 ν c 0 = 7 . 74 GHz 是高功率下的腔体频率(图 S3.a)。调制是通过将这些连续波与 62.5 MHz 的脉冲正弦信号混合来完成的,后者由 4 通道泰克任意波形发生器的两个不同通道合成。所有源均由原子钟同步。两个脉冲合并并通过输入线发送到腔体的弱耦合输入端口,输入线在稀释制冷机的各个阶段用低温衰减器进行滤波和衰减,确保进入设备的热激发可以忽略不计。在静止阶段 (850 mK) 使用商用 (来自 K&L) 低通净化滤波器,截止频率为 12 GHz,而在基准温度下插入自制低通滤波器,该滤波器由封闭在装有 Eccosorb 的红外密封盒中的微带线组成。请注意,图 S1 中表示为“反射探针”的类似线已用于现场估计腔体输入和输出耦合率 Γ a,b = γ a,b
开放的量子系统S是与环境相互作用的系统,其时间进化可以通过所谓的减少动力学近似。在状态s(s)的空间上使用完全积极的动力学图λt,t≥0进行了描述,可以通过消除环境和操作合适的近似图来获得,以便有效地考虑其存在。最初鉴定出减少动力学的马尔可夫角色,即缺乏记忆效应,而λt是由时间无关的发生器l,λt= exp(t l)生成的,从而产生了一个参数半群。在有限的情况下,它们的一般结构的完全特征是Gorini,Kossakowski,Sudarshan [1]和Lindblad [2](GKSL Generators)。完全可以从微观模型中严格地从微观模型中获得,该近似技术被称为弱耦合极限[3],单数耦合极限[4]和低密度极限[5]。在这种情况下,主要特征是与信息只能从开放系统流向其环境而没有可能被检索的事实相关的。的变形是量子计算,量子通信和一般量子技术等许多具体应用中困难的主要来源。相反,人们认为记忆效应通过允许信息从环境流回到其中的系统中来抵消解相关,因此在许多应用中可能有益[6],例如量子信息处理[7],量子计量[8]和传送[9]。近年来,实际上,已经努力将马尔可夫的概念扩展到半群的场景之外(有关最近的全面综述,请参见[10])。在[11]中指出了对这种扩展的需求,在[11]中,通过信息回流(BFI)从环境到开放系统的回流确定,并且在两个时间变化状态之间的区分性时与复兴有关。在[12]中,提出了一个案例,其中一个动力学λt不暴露于单个开放量子系统的动力学不暴露于单个开放的量子系统确实显示了BFI,当
上下文。原月经磁盘由于角动量保护而在其母体分子云周围形成新生恒星。随着它们逐渐发展和消散,它们也形成行星。尽管许多建模效果都专门用于它们的形成,但它们的世俗进化问题,从所谓的0类嵌入阶段到II类阶段,据信被认为是隔离的II级阶段,但仍然很熟悉。目标。我们旨在探索嵌入式阶段与II类阶段之间的演变。我们着重于磁场演化以及磁盘与包膜之间的长期相互作用。方法。我们使用GPU加速IDEFIX进行3D,正常,非理想的磁性水力动力学(MHD)世俗核心崩溃模拟,该模拟涵盖了赛车前核心的系统进化,直到第一次降低了液压核心和脉冲定位后,直到100 kyr的100 kyr降低,同时又垂直地定位了垂直的垂直和垂直的效果。 au)正确解决磁盘内部动力学和非轴对称扰动。结果。磁盘的演化导致开普勒旋转中的幂律气体表面密度,该旋转延伸至几个10 au。在初始塌陷期间,磁盘被困在磁盘中的磁性弹力从磁盘形成下的100 mg降低到1 mg,到1 mg。在第一个静水压核形成后,系统分为三个阶段。结论。第一阶段,具有较小的(〜10 au),不稳定,强烈积聚(〜10-5m⊙yr -1)磁盘,在第一阶段中失去了磁性弹力,第二阶段,第二阶段,磁性磁盘通过平稳的磁盘呈圆形,并通过囊罩的速度呈粒料,并具有感知的动量,并具有感知的动量,并具有一定的感光性,并具有一定的感光性,并具有一定的固定磁盘。 Au磁盘在几个10-7 m⊙yr -1处积聚。 初始各向同性包膜最终会进食大规模扩展的吸积流液,其吸积速与原恒星相似(〜10-6 m yr-1)。 一些流媒体材料与磁盘的外边缘碰撞并产生吸积冲击,但材料的一小部分土地在磁盘表面上没有产生任何明显的不连续性。 虽然初始磁盘尺寸和磁化是通过磁制动设定的,但自我实现最终会驱动吸积,因此磁盘最终以重力调节状态。 这种从磁制动到自我重力的演变是由于磁盘沉降后气体和磁场之间的弱耦合所致。 在I类阶段末端(B z〜1 mg)的弱磁场是磁盘中磁性频率稀释的结果,因为它从其初始相对较小的尺寸膨胀。 这种膨胀不应将其解释为粘性膨胀,因为它是由具有较大特定角度动量的大规模彩流人的新吸收材料驱动的。第一阶段,具有较小的(〜10 au),不稳定,强烈积聚(〜10-5m⊙yr -1)磁盘,在第一阶段中失去了磁性弹力,第二阶段,第二阶段,磁性磁盘通过平稳的磁盘呈圆形,并通过囊罩的速度呈粒料,并具有感知的动量,并具有感知的动量,并具有一定的感光性,并具有一定的感光性,并具有一定的固定磁盘。 Au磁盘在几个10-7 m⊙yr -1处积聚。初始各向同性包膜最终会进食大规模扩展的吸积流液,其吸积速与原恒星相似(〜10-6 m yr-1)。一些流媒体材料与磁盘的外边缘碰撞并产生吸积冲击,但材料的一小部分土地在磁盘表面上没有产生任何明显的不连续性。虽然初始磁盘尺寸和磁化是通过磁制动设定的,但自我实现最终会驱动吸积,因此磁盘最终以重力调节状态。这种从磁制动到自我重力的演变是由于磁盘沉降后气体和磁场之间的弱耦合所致。在I类阶段末端(B z〜1 mg)的弱磁场是磁盘中磁性频率稀释的结果,因为它从其初始相对较小的尺寸膨胀。这种膨胀不应将其解释为粘性膨胀,因为它是由具有较大特定角度动量的大规模彩流人的新吸收材料驱动的。
液氮温度[3]或单个原子表现出极长的磁性松弛时间。[4-6]特别是,基于晚期兰烷基家族元素(如DID和TB)的系统在很大程度上是焦点,包括单分子[2,3]单原子,[4,5]或单链磁铁。[7,8] SMM在表面上的吸附允许研究单个分子单元,并实现用于在分子规模的旋转型或量子计算设备中实施SMM的运输方案。[9–17]然而,从大量到表面支持的系统的转换通常会随着SMM特性的实质变化甚至丧失,即磁矩,磁性抗溶剂或磁化行为。[18-21]在金属表面上,磁矩与表面的相互作用相当强,这可以通过近神经效应的观察来证明。[22,23]因此,在过去几年中,在底物上报道了表面吸附的SMM的磁性磁性的基准测量,在这些底物上,分子在电子上弱耦合到–TBPC 2上的hopg上的hopg上的tbpc 2,[24] [24]在mgo/ag(100)上[25]以及限制了限制/限制的限制,[26] blocke of light in limit conding of light of condect in limim conding nock in n opping bocke in [26] block ind bock ind bock ind offing bocke nock in n off ins [26]手,DYSC 2 N@C 80单层(111)[27]最近显示出在高达10 K的温度下进行的滞后开口。从这个意义上讲,据报道,lanthanide离子在C 80分子中包含在C 80分子中的大多数SMM,它们的化学鲁棒性和缓慢的磁性松弛的结合。第二需要提出适当的分子沉积方法,这些方法可从表面提供足够的SMM脱钩。[27–31]要进一步推动Monayer制度中的磁性生命周期,必须满足两个重要的标准:第一个要求是合成体积中表现出本质上高的T B的SMM化合物。在这项工作中,我们提供了有关在石墨烯/IR(111)表面上的DY 2 @C 80(CH 2 PH)中出色的慢速磁性松弛的实验证据。通过电喷雾沉积法沉积的DY 2 @c 80(CH 2 PH)分子被组织到岛上,如低温扫描隧道显微镜(STM)成像所示。我们通过X射线吸收光谱(XAS)和X射线磁性圆形二色性(XMCD)测量来探索它们的磁性特性。对Dy 2 @c 80(Ch 2 pH)吸附在石墨烯/IR(111)的磁性松弛行为的分析产生了