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这项工作介绍了优化的模型和数值模拟的结果以及基于CNT的GAAS/INAS多个量子井(从5到70 QWS)GAAS太阳能电池的分析。这些QW被发现将吸收边缘延伸到GAA带隙的范围之外。此外,随着模型中引入宽带插入式凹陷后面场(BSF)层,由于从设备底部反射了未吸附的光子,因此提高了效率,从而提高了效率。所提出的模型使用异质的CNT层作为顶部半透明电极。可以观察到,这种具有较低板电阻和更好光线的CNT顶层可以显着提高整体效率。我们的优化单元格具有35 number 25nm量子井结构,具有100 nm CNT顶层,板电阻为128Ω/□可将效率提高到32.46%(没有CNT顶层)。EQE接近90%。为了显示我们发现的准确性,显示了数值建模的关键阶段,并使用标准实验数据检查了基本仿真数据。在创建商业上可行的QWSCS迈出的重要一步是建议基于CNT的QWSC模型在现代TCAD工具环境(Silvaco Atlas)中的有效应用。keyowrds:碳纳诺管(CNT),INAS/GAAS,SILVACO TCAD,量子井太阳能电池(QWSC)