本论文的目的是开发一种尽可能精确和可靠的 SEM 图像 3D 计量技术。为此,博士生将利用计算光刻小组的理论和模拟资源来改进和开发新的 SEM 成像模型。这些模型的范围很广,从微米级物体的模拟到纳米级结构。博士生将在一组多立体 SEM 图案图像上训练 SEM 模型,这些图案的 3D 形貌将通过 3D 参考计量技术进行测量。然后,他将研究 3D 重建的不同数学策略,以实现快速收敛和质量。
本文研究了用于低功耗应用的肖特基轻 Mg 掺杂 p-GaN 栅极堆栈的捕获效应,并进一步分析了 c 射线辐照下 AlGaN/GaN 界面陷阱。当 c 射线辐照剂量高达 800 krad 时,平带电压的变化可以忽略不计,这表明 p-GaN 栅极结构具有出色的辐射耐受性。在 500 kHz 以下和以上的测量频率下观察到电容弥散之间的差异,这归因于不同位置随栅极电压变化的捕获效应。此外,提出了频率相关电导法来评估不同剂量的 c 射线辐照对 AlGaN/GaN 界面陷阱的影响。基于该方法,除了传统常开型高电子迁移率晶体管(HEMT)中发现的浅陷阱态[陷阱激活能(ET)约为0.334–0.338 eV]之外,在AlGaN/GaN界面处还检测到了另一类更深的陷阱态(ET约为0.467–0.485 eV)。观察到随着辐照剂量的增加,浅陷阱态的ET分布在更深和更宽的范围内。此外,深和浅ET在600 krad剂量辐照后都降低,但在800 krad剂量辐照后都增加。透射电子显微镜和原子力显微镜用于展示光滑的AlGaN/GaN界面形貌,该形貌在800 krad剂量的c射线辐照后不会受到太大的损坏。这项工作可以为进一步了解低压应用的p-GaN栅极HEMT的辐射耐受性和捕获效应提供帮助。
微米和纳米尺度的形貌对表面功能有重大影响。自然界的进化发展出了优化的表面纹理,这些纹理对润湿性、摩擦力、粘附力和视觉外观具有先进的影响,以确保生存。[1,2] 尤其是,许多动物和植物的明亮和闪亮的颜色往往源于光从其表面复杂的周期性结构中衍射。[3] 理解和控制结构色的表面几何形状是材料科学、化学和物理学领域许多研究工作的主题,旨在通过改进衍射光栅的设计和制造,制造具有先进光学和色度功能的人造光调制装置 [4–8]。[9,10]
以硝酸锌、硝酸铕和尿素为燃料,采用燃烧反应合成了浓度为0.05和0.10 mols的Eu掺杂ZnO半导体基质。为了分析铕浓度和烧结对ZnO结构、带隙、磁性和形貌的影响,将样品在1100°C下烧结30分钟,并通过X射线衍射、紫外和可见光谱、振动样品磁强计和扫描电子显微镜对烧结前后进行分析。从所得结果发现,形成了半导体相ZnO和第二相(Eu2O3)。观察到烧结前后样品的带隙值在半导体范围内,并且在室温下表现出铁磁性。关键词:稀磁半导体,燃烧反应,氧化锌,铕。
首次利用选择性激光熔化技术制备了高孔隙率的Fe-35Mn-1Ag可生物降解合金支架。研究了该支架的微观结构、组织形貌、力学性能和降解行为,并与在类似工艺参数下制备的Fe-35Mn支架进行了比较。SLM制备的支架具有发达的孔隙结构和高度的连通性,有助于提高生物相容性。其力学性能非常接近目标人体组织,植入后不会出现应力遮挡。与Fe-35Mn合金相比,Fe-35Mn-1Ag支架的力学性能略高,但降解率提高了30%以上。总体而言,SLM制备的Fe-35Mn-1Ag支架表现出良好的力学性能和改善的降解行为,为可生物降解的承重应用提供了解决方案。
薄金属薄膜的电阻率与其块体电阻率有显著不同,而且,电阻率随薄膜厚度的减小而增大。当金属薄膜厚度接近电子平均自由程 (EMFP) 时,电阻率的急剧增加通常归因于表面散射和晶界散射。很难将表面散射的影响与与薄膜结构相关的其他因素区分开来。通过非原位 TEM 和 STM 显微镜,广泛研究了与薄膜制备工艺和薄膜电子特性有关的金薄膜的形貌、成核和生长。最近,在沉积和退火过程中通过原位 STM 描述了金薄膜的动力学生长。在报告的研究中,较低厚度下电阻率的快速增加与从连续到不连续的薄膜结构的转变有关。
摘要:本文介绍了一种利用激光添加剂在SS316L基体表面制备95% IN718+5%(75% Cr 2 O 3 + TiO 2 )陶瓷涂层的方法,分析了金属基复合材料的宏观形貌、物相、微观组织、界面、耐磨性和抗拉强度。结果表明,金属基复合材料(MMC)层状复合材料与单一材料相比具有良好的微观硬度和耐磨性。与单一IN718材料的对比分析表明,层状复合材料表现出优异的微观硬度和耐磨性。此外,研究还揭示了材料硬度与耐磨性之间呈正相关的关系,其特点是随着材料硬度的增加,磨损系数和平均磨损量降低。本研究结果为生产高耐磨涂层复合材料提供了一种经济高效、实用的方法。
图 1. 在具有稀释 Cs 吸附原子的 CsV 3 Sb 5 的 Sb 表面构建 Cr-Cs 双原子转子。 (a) 双原子转子形成示意图。 Cr/Fe 原子(用黄色球标记)作为单个原子分布并被 Cs 原子(用红色球标记)捕获,从而在 kagome 超导体 CsV 3 Sb 5 的 Sb 表面形成双原子转子。 (b) STM 图像显示具有稀释 Cs 原子的 CsV 3 Sb 5 晶体的 Sb 表面。 Cr-Cs 双原子转子用红色虚线圆圈突出显示(V s =-500 mV,I t =3 nA)。 (c) - (d) 尖端诱导 Cr-Cs 转子分离为 Cr 原子和 Cs 原子。分离前,Cr原子围绕Cs原子旋转,形成具有不稳定环带的Cr-Cs转子(c)。分离后,Cs和Cr原子的形貌清晰可见(d)。V s =-500 mV,I t =3 nA。(e),左:(c)中的旋转速率图ω(r),显示Cr原子沿圆形轨道绕Cs旋转(V =-600 mV,I =0.5 nA)。右:(c)中Cr-Cs转子环带位置(红十字标记)测得的I-t谱,显示出具有几个离散值的阶梯状特征(V =-250 mV,I =0.9 nA)。(f),CsV 3 Sb 5 的Sb表面Cr-Cs双原子转子的原子分辨STM形貌。图像中叠加了原子模型和 Sb 蜂窝晶格(白色虚线六边形),显示 Cr 原子围绕 Cs 吸附原子旋转(V s =-500 mV,I t =3 nA)。
摘要。在 SiC/Si/SiC 夹层结构中,使用 1550°C 熔化的 Si 研究了 4°off 4H-SiC 表面的重建。尽管系统地获得了与液态 Si 接触的整个区域的宏观阶梯形貌,但使用原始 4H-SiC 晶片时发现台阶呈波浪形。在处理过的表面上进行表面重建时,台阶的规则性和直线性得到显著改善:在重新抛光的表面上,在某些情况下发现台阶是规则和笔直的,而在原生外延层上则始终观察到这种情况。经过 2 小时的重建过程后,获得了最佳的台阶规则性,平均宽度为 ̴ 3-5 µm。将处理面积从 1.44 cm 2 增加到 4 cm 2 不会影响结果,这表明该工艺具有良好的可扩展性。