连接的dp3000e系列提供了关键操作的语音和数据通信。Bluetooth®音频可让您不用电线,集成的Wi-Fi®启用远程软件更新,以及室内和室外位置编号的功能,使您可以全面了解资源。全彩色显示模型可轻松查看其他信息,例如联系人列表,文本消息和无线电状态。在支持躯干以及传统模拟技术的情况下,您可以随着组织的发展而保持联系。
编程 RF80-M 是著名的 Christie ReFLEX® 充电器的最新发展。Christie RF80-M 采用易于编程的触摸屏格式。RF80-M 可存储多达 100 个电池处理程序;每个程序最多可有 16 个功能/步骤。程序功能包括:充电、放电和等待步骤。程序/功能灵活性使电池技术人员能够轻松准确地复制电池 CMM 和适用技术手册中详述的确切电池要求。RF80-M 的用户友好屏幕提示简化了电池处理。可以保存处理程序以备将来使用,并可设置密码保护。在操作过程中,RF80-M 触摸屏将持续以彩色显示当前正在执行的特定处理功能。ReFLEX® 充电 RF80-M 将执行独有的 ReFLEX® 充电,在 1 个多小时内完全安全地为电池充电。
先进的技术STS仪器电池元件测试仪使用Mod Ern数字技术来获得与上一代模拟电池元件测试器相比,获得新的准确性和故障检测水平。采用易于阅读的全彩色显示和简单菜单驱动的用户界面,1656和1657代表了易于使用的重要一步。两种型号均提供完全可调的测试电压,峰值输出能力为3000伏,可容纳各种隔离器间距和类型。高压输出的耐用固态切换可确保对大量应用的可靠性。易于阅读的用于应用测试电压和质量阅读的读数使该单元非常友好,需要最少的培训和设置。操作是行驶/不进行的,不需要操作员对结果的解释。使用随附的安全探针应用测试电压。发生故障时,高压会关闭,并听到和视觉警报警告操作员发生任何故障。
图 1:多区域小鼠皮质模型的解剖基础。(A)。小鼠皮质区域的平面视图。图片改编自 (Harris et al. 2019)。(B)。每个大脑区域的标准化 PV 细胞分数,在小鼠大脑的 3d 表面上可视化。突出显示了五个区域:VISp、初级体感区、桶状场 (SSp-bfd)、初级运动 (MOp)、MOs 和 PL。(C)。每个皮质区域的 PV 细胞分数,按顺序排列。每个区域都属于五个模块之一,以彩色显示。(Harris et al. 2019)。(D)。3d 大脑表面上每个区域的层次位置。五个区域如图 (B) 所示突出显示,颜色代表层次位置。(E)。每个皮质区域的层次位置。对层级位置进行归一化,将VISp的层级位置设为0。如C)所示,颜色代表区域所属的模块。(F)。PV细胞分数与层级之间的相关性(皮尔逊相关系数r = − 0.35,p < 0.05)。
(续) • 绘图功能: • 峰值绘图速度为每秒 800 Mpixels(内部工作频率为 100 MHz) • 2D 绘图功能:点、线、三角形、多边形、BLT 和图案绘图 • 3D 绘图功能:点、线和三角形绘图以及通过 Z 缓冲去除隐藏表面 • 特殊效果:抗锯齿、粗体 / 虚线处理、alpha 混合、Gouraud 着色、纹理映射(双线性过滤、透视校正)和平铺 • 显示功能: • 支持的最大显示分辨率:1024 × 768 像素 • 彩色显示,可使用每像素 8 位的调色板,或直接使用每像素 16 位的 5 位 RGB 颜色 • 覆盖四层屏幕,其中下两层可分为左右部分 • 支持两个 64 × 64 像素的硬件光标 • 模拟 RGB 和数字 RGB 信号输出 • 能够使用外部同步模式 • 电源电压 :内部电路和 SDRAM 的两个电源分别为 2.5 V ± 0.2 V 和 3.3 V ± 0.2 V (用于 I/O 部分) • 封装 :208 针塑料 QFP(引脚间距为 0.5 毫米) • 工艺技术 :0.25 µ m CMOS
由于微型 LED 芯片具有广视角特性,制造高色域色彩转换微型发光二极管 (LED) 显示器面临的主要挑战之一是相邻像素之间严重的串扰效应。本研究系统地模拟了导致串扰效应的潜在因素。我们观察到,用遮光矩阵 (LBM) 精确填充每个微型 LED 芯片之间的空间可以成为缓解这种风险的有效解决方案。经过仔细研究,证明了压模辅助成型技术是制造 LBM 的有效方法。然而,实验观察进一步表明,微型 LED 表面残留的黑色 LBM 会严重降低亮度,从而影响显示性能。通过采用等离子蚀刻技术有效提取被捕获的光,成功解决了这个问题。最终,开发了一种顶部发射蓝色微型 LED 背光,该背光采用黑色 LBM 精细成型,并与红色和绿色量子点色彩转换层相结合,实现全彩色显示。我们制造的显示器原型的色域可覆盖国家电视标准委员会的122%。
透明导电金属氧化物已成为研究的主题,这要归功于它们的独特物理特性以及潜在的微观和纳米电子设备和显示单元的应用。这些材料的基本实际应用是基于明显的特异性抗性和高可见的透射率。透明的金属氧化物尤其包括诸如碳锡氧化物,氧化锌,氧化镉等化合物。氧化锌半导体作为压电和光纤材料具有实用的应用潜力,可作为功能性气体传感器组件,表面声设备,透明电极和太阳能电池[1-4]。高光带隙值(〜3。3 eV在室温下)和激子结合能(约60 meV)允许将ZnO作为创建下一代紫外线光电设备和彩色显示单元的磷光器的材料。对于上面提到的许多应用,例如,通过合金来控制ZnO薄膜结构的物理参数的不稳定性是必不可少的。在这种情况下,铜合金添加剂更有效,因为铜是半导体中迅速扩散的杂质,它会导致结晶结构和物理性能的修改,例如,表面状态能量参数以及光学特性[5-7]。后者提供了有关光学主动故障的能量结构的其他信息,这具有很高的实际兴趣。这项研究的目的是研究未扎的ZnO铜掺杂(ZnO:Cu)薄膜的光光谱的行为。