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World File Search System微电体
CMI电子和微电体系统课程
教师在工程学的物理学和科学学科领域提供了广泛的培训，从研究基本颗粒到力学和电子产品，通过凝结物质，材料和纳米科学。将三个独立的地点用于课程：历史校园，Cronenbourg的CNRS校园和Illkirch-Graffenstaden的技术大厅。培训优惠包括大约二十个文凭培训，包括与工程学校共同培训，国际合作伙伴关系和共同住宅。这种多元化的报价以其强大的锚定向国家和国际著名实验室以及与区域工业结构的合作，从而为学生提供实践学习和专业经验机会的区别。这种坚实的联系使教师在物理和工程领域具有显着的可见性。
研究3D打印微电体系统中各种接口中的应力分布：适用于增材制造产生的盒子
摘要。添加剂制造（AM），也称为3D打印，可以构建定制包装的微电体系统，这些系统是完美量身定制的，可完美地针对组件尺寸和规格。在融合沉积3D打印技术（FDM）中，残留应力受印刷条件的影响，这会降低材料性能并导致几何变形。在打印过程中，时间和温度会影响FDM中使用的聚合物的热机械性能和结晶动力学。这项工作的目的是根据印刷条件（环境温度，打印速度和层厚度）评估样品中的残余应力。选择了六个点以计算和比较样品中的残余应力，第一层中有三个点，第二点为三个点。模拟和建模用于研究印刷条件对半晶体聚合物热力学行为的影响，以进行有效评估。
ALD生长的Al2O3膜用于微电体应用的实验表征
高介电材料的研究最近引起了极大的关注，这是用于应用金属构造器金属（MIM）电容器的关键被动组件。在本文中，通过原子层沉积技术（ITO）氧化锡（ITO）预涂层的玻璃底物和氮化钛（TIN）涂层的SI覆盖的Si底物在本文中制备了50 nm厚的Al 2 O 3薄膜。光刻和金属提升技术用于处理MIM电容器。用探针站的半导体分析仪用于使用低中等频率范围进行电容 - 电压（C-V）表征。MIM电容器的电流 - 电压（I-V）特性在精确源/测量系统上测量。在电压范围从-5到5 V的玻璃上，Al 2 O 3膜在玻璃上的性能从10 kHz到5 MHz。Au/Al 2 O 3/ITO/玻璃MIM电容器在100 kHz时显示1.6 ff/µm 2的电容密度为1.6 ff/µm 2，在100 kHz时损耗〜0.005，在1 mv/cm（5 v）下，在100 kHz时损耗〜0.005，泄漏电流为1.79×10 -8 a/cm 2。Au/Al 2 O 3/TIN/SI MIM电容器在100 kHz时的电容密度为1.5 ff/µm 2，在100 kHz时损耗〜0.007，较低的泄漏电流为2.93×10 -10 -10 -10 -10 A/cm 2，在1 mv/cm（5 v）处于1 mv/cm（5 v）。获得的电源可能表明MIM电容器的有希望的应用。关键字