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XPS化学状态映射在光学和微电子中
摘要。XPS成像的强度在于它具有（i）在样品表面上找到小图案的能力，（ii）以微分辨率分辨率告知有关在表面检测到的元素的化学环境。在这种情况下，由于它们的可调性和可变性，基于锶的钙钛矿似乎对这种光发射实验进行了很好的适应。这些功能性氧化物在新兴的光电和微电源应用中具有巨大的潜力，尤其是对于透明的导电氧化物。图案化的异质结构Srtio 3 /srvo 3是使用脉冲激光沉积使用阴影掩模生长的。然后通过串行采集模式下的XPS映射分析此堆栈。Ti2p和V2P核心水平成像清楚地介绍了SRTIO 3和SRVO 3域。将广泛讨论SR3D核心水平的XPS映射：锶是两种具有非常相似化学环境的氧化物的共同元素。尽管SR3D图像中的对比度较低，但由于地形的影响，这两种材料还是可辨别的。添加，使用SR3D FWHM图像是证明这两个阶段的真正资产。最后，通过主成分分析进行数据处理使我们能够在锶原子上提取重要的光谱信息。
微电子器件与集成技术
随着科学界变得越来越专业化，研究人员可能会迷失在不断增加的子领域的深林中。这本开放获取期刊《应用科学》旨在将这些子领域联系起来，以便研究人员可以穿过森林，看到周围或相当遥远的领域和子领域，从而借助这个多维网络进一步发展自己的研究。
自旋电子学在微电子领域的机遇与挑战
B.Dieny 1 , ILPrejbeanu 1 , K.Garello 2 , P.Gambardella 3 , P.Freitas 4,5 , R.Lehndorff 6 , W.Raberg 7 , U.Ebels 1 , SODemokritov 8 , J.Akerman 9 , 10 , APir 11 , P.Ac . delmann 2 , A.Anane 13 , AVChumak 12, 14 , A.Hiroata 15 , S.Mangin 16 , M.Cengiz Onbaşlı 17 , Md'Aquino 18 , G.Prenat 1 , G.Finocchio 19 , L.Lopez Diaz , R.C. esenko 22 , P.Bortolotti 13 1. Univ. 1. 格勒诺布尔阿尔卑斯大学、CEA、CNRS、格勒诺布尔 INP、IRIG、SPINTEC，法国格勒诺布尔 2. 比利时鲁汶 Imec 3. 苏黎世联邦理工学院材料系磁学与界面物理实验室，瑞士苏黎世。 4. 国际伊比利亚纳米技术实验室（INL），葡萄牙布拉加 5. 系统与计算机微系统与纳米技术工程研究所（INESC MN），葡萄牙里斯本 6. Sensitec GmbH，德国美因茨 7. 德国英飞凌科技股份公司，德国应用科学研究所，德国明斯特 9. 瑞典哥德堡大学物理系 10. 瑞典皇家理工学院工程科学学院应用物理系 11. 德累斯顿—罗森多夫亥姆霍兹中心，离子束物理和物理研究所，德国迈兴 12. 凯泽斯劳滕工业大学和州立研究中心 OPTIMAS，德国凯泽斯劳滕 13. 法国国家科学研究中心泰雷兹公司巴黎南大学巴黎-萨克雷，帕莱索，法国 14. 维也纳大学物理学院，维也纳，奥地利 15. 约克大学电子工程系，赫斯灵顿，英国 16. 洛林大学让·拉穆尔研究所，南锡，法国 17. 科克大学，伊斯坦布尔，18. 佩科维奇，那不勒斯，意大利 19. 墨西拿大学数学与计算机科学系、物理科学与地球科学系，墨西拿，意大利 20. 萨拉曼卡大学应用物理系，萨拉曼卡，西班牙 21. 约克大学物理系，马德里材料研究所，英国 22 CSIC，西班牙
工学学士（微电子工程）（12240192）
集成电路 (IC) 或“芯片”是当今电子革命的发动机。电子学的影响日益扩大，主要由大规模 IC（如处理器和内存芯片）推动。只有通过研究针对 CMOS、双极和 BiCMOS 工艺制造集成电路设计的经典模拟电子学，才能深入了解这些芯片中使用的电子电路技术。此外，模拟电路技术在“现实世界”和数字系统之间的接口中起着至关重要的作用。例如：电压基准、放大器、滤波器、电平转换器、缓冲器。这方面的重要主题是专门用于电子电路的反馈和稳定性理论。本课程包括：IC 制造技术、IC 晶体管模型、晶体管电流源和放大器、输出级、运算放大器、反馈放大器的频率响应和稳定性、非线性和计算电路。
半导体工程和微电子设计硕士学位
半导体工程与微电子设计硕士学位（硕士学位网站）的主要目标是在集成电路、数字和模拟电路的设计和制造领域提供先进和专业的科学技术培训，重点应用于存储系统、通信系统、控制系统、计算系统、传感器和新兴设备，如二维和量子。通过这种方式，我们的目标是弥补目前此类培训专业人员的短缺，这种培训在西班牙和欧洲工业界以及半导体技术研究领域都受到高度重视。
芯佰微电子（北京）有限公司
部件编号 CAN 通道 MCU I/O 接口 (V) Vin（最小值至最大值）（V） 低功耗模式 数据速率 [最小值] kbps 数据速率 [最大值] kbps 总线引脚电压 [最小值-最大值] (V) 可用 VIO 选项 GPIO 温度范围 (℃) 封装 更换
无线电化学合成：用于高通量实验的微电子变换孔板
2021 年，目前团队的一些成员与默克公司的同事一起寻找解决方案。他们用带状电缆代替电线建造了一个可以同时进行 24 次电化学反应的反应堆。他们指出，这虽然更好，但好不了多少。这促使他们采取了一种全新的方法——用光而不是电来为类似的反应堆装置供电。结果是一种由光驱动的无线反应堆装置，能够使用几乎任何尺寸的孔板。
用于微电子应用的 ALD Al2O3 涂层铜局部腐蚀机理的电化学表征
目前，微电子设备中用于芯片到封装连接的最常用材料是铝（Al）焊盘和铜（Cu）线。然而，用于连接这些组件的引线键合工艺可能导致金属间化合物的形成，从而导致电化学腐蚀 [1 – 3] ，以及产生柯肯达尔空洞 [4,5] 。这些问题严重限制了微电子封装的长期可靠性。为了解决半导体行业对材料的成本效益、性能和可靠性的担忧。自 21 世纪初以来，人们定期评估铜焊盘上的铜线键合（Cu-to-Cu 键合）方法，但从未发展成为工业应用。2018 年的综述 [6] 总结了挑战和局限性。铜是一种很有前途的微电子材料，因为它的电导率与铝的电导率之比为 5:3，而且熔点高，大大降低了电迁移 [7]。电沉积铜的固有特性，例如与发芽/生长类型相关的杂质和微观结构演变，会使其对腐蚀敏感。虽然铜的氧化膜提供了一定的防腐蚀保护，但它不像不锈钢等其他金属上形成的钝化膜那样稳定、致密或均匀 [8,9]。铜焊盘的集成对半导体行业提出了重大挑战。实现铜的受控表面状态对于实现与封装的可靠连接至关重要。
用于 6G 微电子封装的玻璃基材料和叠层太赫兹特性分析
摘要 包括聚合物/玻璃叠层在内的玻璃基材料是用于封装 5G 和 6G 微电子模块和元件的极具吸引力的结构块。我们利用商用太赫兹时域光谱 (THz-TDS) 系统首次对 AGC Inc. EN-A1 无碱硼铝硅酸盐玻璃和层压在钠钙浮法玻璃基板上的味之素增压膜 (ABF) 进行了 200 GHz 至 2.5 THz 的宽带特性分析。EN-A1 玻璃和层压 ABF 的折射率 n (ν)、衰减系数 α (ν)、介电常数 ε ′ (ν) 和损耗角正切 tan δ (ν) 分别为 n EN − A1 = 2 . 376，α EN − A1 = 31。 1 cm − 1 ，ε ′ EN − A1 = 5 . 64，tan δ EN − A1 = 0 . 062，n ABF = 1 . 9，α ABF = 30 cm − 1 ，ε ABF = 3 . 8，tan δ ABF = 0 . 072，均为 1 THz。我们的研究结果验证了 EN-A1 玻璃和 ABF 聚合物材料作为微波和 THz 封装解决方案的良好前景。