入学考试的第一部分是笔试,持续 75 分钟。最高可得 100 分。考试由 10 道题组成,题目从上面列出的两个主题领域中选择。主题领域及其内容由学习计划委员会确定。问题的分配将由学术人员进行,以便每个问题的难度相同。这些作业在公布之前严格保密。笔试的作业和写作均以英语进行。
随着对小型和廉价设备的需求不断增长,该领域不断扩大。鉴于现代 MOS 技术中工艺几何尺寸的大幅缩小,主要关注领域通常是高性能 VLSI 电路设计和电子设计自动化 (EDA) 中的紧迫问题。该领域的研究包括 VLSI 电路设计、可重构计算、新兴纳米结构设备、可制造性设计、容错系统、三维集成、光电设备、嵌入式系统和硬件安全。
超大规模集成电路设计与微电子技术硕士 (M.Tech. VLSI Design and Microelectronics) 是一个为期四个学期的工作综合学习计划,旨在满足半导体行业专业人士的需求。这是一个专门的研究生课程,专注于集成电路和半导体器件的设计、开发和应用。它涵盖数字和模拟超大规模集成电路设计、半导体物理、制造技术以及电子设计自动化 (EDA) 工具的使用等关键领域。该计划强调使用行业标准工具和实验室的实践经验,让学生为设计复杂集成电路的实际挑战做好准备。该计划提供跨学科方法,结合硬件和软件知识来解决行业中的复杂问题。
NIST 的前身国家标准局 (NBS) 于 20 世纪 50 年代中期开始致力于满足新兴半导体行业的测量需求。虽然这项工作最初侧重于其他政府机构的晶体管应用,但在 20 世纪 60 年代初,该局向美国材料与试验协会 (ASTM) 和美国电子工业协会 (EIA) 寻求行业指导。ASTM 的首要任务是准确测量硅的电阻率。NBS 的科学家开发了一种实用的无损测量方法,其精度比以前的破坏性方法高出 10 倍。该方法是五种工业标准和广泛用于校准行业测量仪器的电阻率标准参考材料的基础。第二个项目由 EIA 专家小组推荐,旨在解决晶体管的“二次击穿”故障机理。该项目的成果得到了广泛应用,包括解决导致航天飞机发射延迟的主发动机控制问题。
氪具有几种有趣的特性,使其在某些技术中很有用。它被用作照明设备中的惰性气体,填充白炽灯、滤光片,作为激光器和其他设备的活性介质。氪可以在微电子材料表面氧化过程中充当离子源。此外,氪还成为制造发光二极管和减少窗户热量损失的基础。在科学研究中,氪是物理和化学实验的介质(例如,在低温装置中)。氪在呼吸治疗的医学研究中用于研究肺功能以及生产气雾剂。氪气在半导体材料生产过程中用作保护气体环境。
核心资格 选修必修 专业选修必修 重点选修必修 跨学科补充 样本课程计划 O 硕士微电子与微系统 (IMPMM) 微电子专业补充 LP
通常,润滑剂/冷却剂对刀片中的样品和磨料的润湿效果越好,刀片的“负荷”就越小。负荷是延展性材料(如铜、铝或聚合物)粘附在刀片组件上并降低其切割效率的过程。这种负荷可能以多种方式发生。例如,当样品和刀片之间的接触点润滑不良时,摩擦会产生较高的局部温度。这种温度可能会导致延展性金属和刀片组件之间出现局部焊接或“磨损”。另一方面,许多聚合物在高温条件下会软化,并牢牢粘附在刀片边缘,再次降低刀片效率。硬质材料(如陶瓷)也会产生负荷,但通过完全不同的机制。它们可能会导致刀片本身的延展性粘合剂材料涂抹在磨料上,从而降低切割率。对于低速应用,使用 ISOCUT® 流体等润滑剂将获得最佳效果。该产品在低速时提供极好的表面润湿性,但它对微电子应用有一个缺点。它是一种油基润滑剂,很难从许多微电子设备中的小凹槽中彻底清除。另一种选择是 ISOCUT® PLUS 流体。这种水基润滑剂/冷却剂专为低速和高速设计
NIST 的前身国家标准局 (NBS) 于 20 世纪 50 年代中期开始致力于满足新兴半导体行业的测量需求。虽然这项工作最初侧重于其他政府机构的晶体管应用,但在 20 世纪 60 年代初,该局向美国材料与试验协会 (ASTM) 和美国电子工业协会 (EIA) 寻求行业指导。ASTM 的首要任务是准确测量硅的电阻率。NBS 的科学家开发了一种实用的无损测量方法,其精度比以前的破坏性方法高出 10 倍。该方法是五种工业标准和广泛用于校准行业测量仪器的电阻率标准参考材料的基础。第二个项目由 EIA 专家小组推荐,旨在解决晶体管的“二次击穿”故障机理。该项目的成果得到了广泛应用,包括解决导致航天飞机发射延迟的主发动机控制问题。
NIST 的前身国家标准局 (NBS) 于 20 世纪 50 年代中期开始致力于满足新兴半导体行业的测量需求。虽然这项工作最初侧重于其他政府机构的晶体管应用,但在 20 世纪 60 年代初,该局向美国材料与试验协会 (ASTM) 和美国电子工业协会 (EIA) 寻求行业指导。ASTM 的首要任务是准确测量硅的电阻率。NBS 的科学家开发了一种实用的无损测量方法,其精度比以前的破坏性方法高出 10 倍。该方法是五种工业标准和广泛用于校准行业测量仪器的电阻率标准参考材料的基础。第二个项目由 EIA 专家小组推荐,旨在解决晶体管的“二次击穿”故障机理。该项目的成果得到了广泛应用,包括解决导致航天飞机发射延迟的主发动机控制问题。