• 注 1:太空标准 PEM (QMLP) 计划以 SAE AS6294 为基准。由 NASA 零件公告中的 PEM 支持。• 注 2:对于替代等级微电路,请遵循 13.2 TG 中的活动以避免重复工作。• 注 3:ATM = 先进技术微电路。由 NASA 零件公告中的 KGD 支持。• 注 4:VID = 供应商项目图纸。联系 DLA 获取最新信息。• 注 5:必须明确定义不同类别/等级之间的界限 — 这是未来的一项外展活动。
嘈杂证据或反对选择的噪声逐渐积累是感知决策过程中的主要步骤。使用小鼠中的大脑电生理记录(Steinmetz等,2019),我们检查了跨大脑区域的证据积累的神经相关性。我们证明了具有漂移扩散模型(DDM)样的发射速率活性(即,对循证敏感的渐变发射速率)的神经元分布在整个大脑中。探索了类似DDM的神经的证据积累的潜在神经机制,发现在整个大脑区域内部和整个大脑区域内都发现了不同的积累机制(即单一和种族)。我们的发现支持以下假设:证据积累正在通过大脑中的多种整合机制发生。我们进一步探讨了单个和种族蓄能器模型中集成过程的时间尺度。结果表明,每个大脑区域内的累加微电路在其整合时间尺度上具有不同的特性,这些特性在整个大脑的层次上组织。这些发现支持在多个时间尺度上积累证据的存在。除了整个大脑的整合时间尺度的变化外,在每个大脑区域内还观察到时间尺度的异质性。我们证明了这种可变性反映了微电路参数的多样性,因此具有较长积分时间尺度的累加器具有更高的复发强度。
在 APL,我们通常将塑料封装微电路 (PEM) 这一术语与商用现货 (COTS) 设备联系起来,但 PEM 具有塑料封装。请注意,合格制造商清单 (QML) 上可以找到少量 PEM,因此不能归类为 COTS。就本文而言,PEM 可以是微电路、半导体、无源元件或其他。反过来,COTS 设备是任何商业加工的组件。从历史上看,由于 PEM 具有商业含义,因此从未被认为适合航天应用。然而,随着军用级密封元件供应量的减少,PEM 已成为必需品。APL 决定使用 PEM 是基于内部和外部因素。在内部,有
信息以汇总格式呈现,而操作(现场经验、可靠性演示和设备检查)和寿命测试数据则以详细格式呈现。数字详细数据出版物的数据由可靠性分析中心从政府和行业报告中收集、提炼和缩减,以便提供客观信息以供一般使用。
制定了要求并将其转发给 DLA,以纳入微电路规范 MIL-PRF-38535。这将使 NASA 和其他机构/用户能够采购标准 PEM (QMLP) 部件用于太空应用,而不必担心筛选升级、产量损失和潜在的不合格。飞行项目将实现相当大的成本节约。几家制造商已经计划发布他们的 QMLP 产品。NASA 计划将 QMLP 纳入其 8739.11 文档中。参见上图中的蓝色阴影区域。
o 它代表了封装技术的进步,提高了功能密度,并提高了工作频率。这些是基于陶瓷的单芯片系统级芯片 (SoC),采用非密封倒装芯片结构,采用高引脚数陶瓷柱栅阵列 (CGA) 封装。这些产品使用微型基极金属 (BME) 电容器来保证信号完整性,并使用通风封装来进行热管理。(例如 Xilinx Virtex-4 FPGA)
为确定不受控制的长期休眠存储对塑料封装微电路的影响,应用物理实验室评估了来自多个制造商和技术的 92 个商业样品,其中一些样品已有 28 年历史。假设是,如果旧部件在 20 或 30 年不受控制的长期休眠存储后没有退化,那么目前性能优越得多的产品将在类似条件下存活类似的时间。破坏性物理分析的结果表明,只有两个塑料封装微电路(均为 28 年)出现腐蚀。无论年龄如何,C 模式扫描声学显微镜都显示大多数部件都有分层区域,这表明该技术可能不是筛选塑料封装微电路的好方法。未发现腐蚀和水分含量之间的直接关系。此外,氧等离子蚀刻被发现是一种对塑料封装微电路进行破坏性物理分析的非常有效的方法。(关键词:塑料封装微电路、海军航空、长期休眠存储。)
为确定不受控制的长期休眠存储对塑料封装微电路的影响,应用物理实验室评估了来自多个制造商和技术的 92 个商业样品,其中一些样品已有 28 年历史。假设是,如果旧部件在 20 或 30 年不受控制的长期休眠存储后没有退化,那么目前性能优越得多的产品将在类似条件下存活类似的时间。破坏性物理分析的结果表明,只有两个塑料封装微电路(均为 28 年)出现腐蚀。无论年龄如何,C 模式扫描声学显微镜都显示大多数部件都有分层区域,这表明该技术可能不是筛选塑料封装微电路的好方法。未发现腐蚀和水分含量之间的直接关系。此外,氧等离子蚀刻被发现是一种对塑料封装微电路进行破坏性物理分析的非常有效的方法。(关键词:塑料封装微电路、海军航空、长期休眠存储。)
为确定不受控制的长期休眠存储对塑料封装微电路的影响,应用物理实验室评估了来自多家制造商和采用多家技术的 92 个商用样品,一些样品已有 28 年历史。假设是,如果旧部件在经过 20 或 30 年不受控制的长期休眠存储后没有性能下降,那么目前性能优越得多的产品将在类似条件下存活类似时间。破坏性物理分析的结果表明,只有两个塑料封装微电路(均为 28 年)出现了腐蚀。无论使用年限如何,C 型扫描声学显微镜检查都发现大多数部件都有分层区域,这表明该技术可能不是筛查塑料封装微电路的好方法。未发现腐蚀和水分含量之间的直接关系。此外,发现氧等离子蚀刻是对塑料封装微电路进行破坏性物理分析的一种非常有效的方法。 (关键词:塑料封装微电路、海军航空、长期休眠存储。)