XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search System微电路
EEA3113-Eectronica-lander.pdfs
1。frekuensi penguat 2。penguat op-amp 3。Umpan Balik Negatif 4。Umpan Balik Positif（osilator）5。多元能器6。filter aktif 7。Catu Daya（调节器）8。Elektronika Digital（CMOS）Pustaka Utama：1。Sedra A.S，史密斯K.C，：微电子电路，牛津大学出版社，2004年2。Millman，J。，Grabel，A。：Mcroelectronics，MC Graw Hill 3。罗伯特·博伊尔斯塔德（Louis Nashelsky）：电子设备和电路理论，Prentice Hall 4。Richard C. Jaeger，Travis N. Blalock：微电路设计，McGraw-Hill 5。NEAMEN D.A：微电子电路分析与设计，Mc-Graw Hill，2010
改善 MIL-PRF-38534/... 之间的一致性
3) 不同之处在于 MIL-STD-1580 4.1.1 与 TM 5009 3.1 中的样本选择标准。（请参阅下一张幻灯片了解当前措辞）建议保留 MIL-STD-1580 4.1.1 中的样本措辞，但添加 TM 5009 3.1 表 I 以用于 MIL-STD-1580 4.1.1 下的微电路和混合电路，并将 TM 5009 3.1（组合样本）添加为 MIL-STD-1580 4.1.1.2 [请参阅下一张幻灯片]。MIL-STD-1580 已经包含一个声明，允许按照 PMPCB 批准或程序要求进行样本选择，这是典型情况。（无需更改此声明）
MIL-PRF-38535 规范设计
根据 MIL-PRF-38535 制造、组装和测试的微电路应带有“QML”认证标志或“Q”缩写。制造、组装和测试的产品应符合 MIL-PRF-38535 的所有规定；并应在本文所示的 DLA Land and Maritime-VQ 认证生产线上制造。本 QML 中包含的信息反映了特定测试样品的实际生产线、材料和制造结构技术。任何表示符合要求的产品都应在生产线/流程上使用本文列出的材料和制造结构技术制造，以满足用户的要求。用户应负责确定 QML 列表是否足以证明其适用于预期应用。
MIL-PRF-38535 规范设计
根据 MIL-PRF-38535 制造、组装和测试的微电路应带有“QML”认证标志或“Q”缩写。制造、组装和测试的产品应符合 MIL-PRF-38535 的所有规定；并应在本文所示的 DLA Land and Maritime-VQ 认证生产线上制造。本 QML 中包含的信息反映了特定测试样品的实际生产线、材料和制造结构技术。任何表示符合要求的产品都应在生产线/流程上使用本文列出的材料和制造结构技术制造，以满足用户的要求。用户应负责确定 QML 列表是否足以证明其适用于预期应用。
国防部 - http://quicksearch.dla.mil
测试方法 方法编号环境测试 1001 气压，降低（高海拔操作） 1002 浸没 1003 绝缘电阻 1004.7 防潮性 1005.10 稳态寿命 1006 间歇寿命 1007.1 约定寿命 1008.2 稳定烘烤 1009.8 盐雾环境（腐蚀） 1010.9 温度循环 1011.9 热冲击 1012.1 热特性 1013 露点 1014.15 密封 1015.11 老化测试 1016.2 寿命/可靠性特性测试 1017.3 中子辐照 1018.7 内部气体分析 1019.9 电离辐射（总剂量）测试程序 1020.1 剂量率诱发闩锁测试程序1021.3 数字微电路的剂量率翻转测试 1022 场效应晶体管 (Mosfet) 阈值电压 1023.3 线性微电路的剂量率响应 1030.2 封装前老化 1031 薄膜腐蚀测试 1032.1 封装引起的软错误测试程序（由阿尔法粒子引起） 1033 耐久性测试 1034.2 芯片渗透测试（针对塑料设备） 机械测试 2001.4 恒定加速度 2002.5 机械冲击 2003.12 可焊性 2004.7 引线完整性 2005.2 振动疲劳 2006.1 振动噪声 2007.3 振动，变频 2008.1 视觉和机械 2009.12 外部视觉 2010.14 内部视觉（单片） 2011.9 键合强度（破坏性键拉力试验） 2012.9 射线照相术 2013.1 DPA 内部目视检查 2014 内部视觉和机械 2015.14 耐溶剂性 2016 物理尺寸 2017.11 内部视觉（混合） 2018.6 金属化扫描电子显微镜 (SEM) 检查 2019.9 芯片剪切强度 2020.9 粒子撞击噪音检测测试
国防部 - ASSIST-QuickSearch
测试方法 方法编号环境测试 1001 气压，降低（高海拔操作） 1002 浸没 1003 绝缘电阻 1004.7 防潮性 1005.9 稳态寿命 1006 间歇寿命 1007.1 约定寿命 1008.2 稳定烘烤 1009.8 盐雾环境（腐蚀） 1010.8 温度循环 1011.9 热冲击 1012.1 热特性 1013 露点 1014.14 密封 1015.10 老化测试 1016.2 寿命/可靠性特性测试 1017.3 中子辐照 1018.7 内部气体分析 1019.9 电离辐射（总剂量）测试程序 1020.1 剂量率诱发闩锁测试程序1021.3 数字微电路的剂量率翻转测试 1022 场效应晶体管 (Mosfet) 阈值电压 1023.3 线性微电路的剂量率响应 1030.2 封装前老化 1031 薄膜腐蚀测试 1032.1 封装引起的软错误测试程序（由阿尔法粒子引起） 1033 耐久性测试 1034.1 芯片渗透测试（针对塑料设备） 机械测试 2001.3 恒定加速度 2002.5 机械冲击 2003.11 可焊性 2004.7 引线完整性 2005.2 振动疲劳 2006.1 振动噪声 2007.3 振动，变频 2008.1 视觉和机械 2009.11 外部视觉 2010.14 内部视觉（单片） 2011.9 键合强度（破坏性键拉力试验） 2012.9 射线照相术 2013.1 DPA 内部目视检查 2014 内部目视和机械 2015.14 耐溶剂性 2016 物理尺寸 2017.10 内部目视（混合） 2018.6 金属化扫描电子显微镜 (SEM) 检查 2019.9 芯片剪切强度 2020.9 粒子撞击噪音检测测试
国防部 - http://quicksearch.dla.mil
测试方法 方法编号环境测试 1001 气压，降低（高海拔操作） 1002 浸没 1003 绝缘电阻 1004.7 防潮性 1005.10 稳态寿命 1006 间歇寿命 1007.1 约定寿命 1008.2 稳定烘烤 1009.8 盐雾环境（腐蚀） 1010.9 温度循环 1011.9 热冲击 1012.1 热特性 1013 露点 1014.15 密封 1015.11 老化测试 1016.2 寿命/可靠性特性测试 1017.3 中子辐照 1018.7 内部气体分析 1019.9 电离辐射（总剂量）测试程序 1020.1 剂量率诱发闩锁测试程序1021.3 数字微电路的剂量率翻转测试 1022 场效应晶体管 (Mosfet) 阈值电压 1023.3 线性微电路的剂量率响应 1030.2 封装前老化 1031 薄膜腐蚀测试 1032.1 封装引起的软错误测试程序（由阿尔法粒子引起） 1033 耐久性测试 1034.2 芯片渗透测试（针对塑料设备） 机械测试 2001.4 恒定加速度 2002.5 机械冲击 2003.12 可焊性 2004.7 引线完整性 2005.2 振动疲劳 2006.1 振动噪声 2007.3 振动，变频 2008.1 视觉和机械 2009.12 外部视觉 2010.14 内部视觉（单片） 2011.9 键合强度（破坏性键拉力试验） 2012.9 射线照相术 2013.1 DPA 内部目视检查 2014 内部目视和机械 2015.14 耐溶剂性 2016 物理尺寸 2017.11 内部目视（混合） 2018.6 金属化扫描电子显微镜 (SEM) 检查 2019.9 芯片剪切强度 2020.9 粒子撞击噪音检测测试
国防部 - http://quicksearch.dla.mil
测试方法方法编号环境测试 1001 气压，降低（高海拔操作） 1002 浸没 1003 绝缘电阻 1004.7 防潮性 1005.10 稳态寿命 1006 间歇寿命 1007.1 约定寿命 1008.2 稳定烘烤 1009.8 盐雾环境（腐蚀） 1010.9 温度循环 1011.9 热冲击 1012.1 热特性 1013 露点 1014.15 密封 1015.11 老化测试 1016.2 寿命/可靠性特性测试 1017.3 中子辐照 1018.7 内部气体分析 1019.9 电离辐射（总剂量）测试程序 1020.1 剂量率诱发闩锁测试程序 1021.3数字微电路的剂量率翻转测试 1022 场效应晶体管 (Mosfet) 阈值电压 1023.3 线性微电路的剂量率响应 1030.2 封装前老化 1031 薄膜腐蚀测试 1032.1 封装诱发的软错误测试程序（由阿尔法粒子引起） 1033 耐久性测试 1034.2 芯片渗透测试（针对塑料设备） 机械测试 2001.4 恒定加速度 2002.5 机械冲击 2003.12 可焊性 2004.7 引线完整性 2005.2 振动疲劳 2006.1 振动噪声 2007.3 振动，变频 2008.1 视觉和机械 2009.12 外部视觉 2010.14 内部视觉（单片） 2011.9 键合强度（破坏性键合拉力测试） 2012.9 射线照相 2013.1 DPA 内部目视检查 2014 内部目视和机械 2015.14 耐溶剂性 2016 物理尺寸 2017.11 内部目视（混合） 2018.6 金属化扫描电子显微镜 (SEM) 检查 2019.9 芯片剪切强度 2020.9 粒子撞击噪音检测测试
国防部 - http://quicksearch.dla.mil
测试方法方法编号环境测试 1001 气压，降低（高海拔操作） 1002 浸没 1003 绝缘电阻 1004.7 防潮性 1005.10 稳态寿命 1006 间歇寿命 1007.1 约定寿命 1008.2 稳定烘烤 1009.8 盐雾环境（腐蚀） 1010.9 温度循环 1011.9 热冲击 1012.1 热特性 1013 露点 1014.15 密封 1015.11 老化测试 1016.2 寿命/可靠性特性测试 1017.3 中子辐照 1018.7 内部气体分析 1019.9 电离辐射（总剂量）测试程序 1020.1 剂量率诱发闩锁测试程序 1021.3数字微电路的剂量率翻转测试 1022 场效应晶体管 (Mosfet) 阈值电压 1023.3 线性微电路的剂量率响应 1030.2 封装前老化 1031 薄膜腐蚀测试 1032.1 封装诱发的软错误测试程序（由阿尔法粒子引起） 1033 耐久性测试 1034.2 芯片渗透测试（针对塑料设备） 机械测试 2001.4 恒定加速度 2002.5 机械冲击 2003.12 可焊性 2004.7 引线完整性 2005.2 振动疲劳 2006.1 振动噪声 2007.3 振动，变频 2008.1 视觉和机械 2009.12 外部视觉 2010.14 内部视觉（单片） 2011.9 键合强度（破坏性键合拉力测试） 2012.9 射线照相 2013.1 DPA 内部目视检查 2014 内部目视和机械 2015.14 耐溶剂性 2016 物理尺寸 2017.11 内部目视（混合） 2018.6 金属化扫描电子显微镜 (SEM) 检查 2019.9 芯片剪切强度 2020.9 粒子撞击噪音检测测试
国防部 - http://quicksearch.dla.mil
测试方法方法编号环境测试 1001 气压，降低（高海拔操作） 1002 浸没 1003 绝缘电阻 1004.7 防潮性 1005.10 稳态寿命 1006 间歇寿命 1007.1 约定寿命 1008.2 稳定烘烤 1009.8 盐雾环境（腐蚀） 1010.9 温度循环 1011.9 热冲击 1012.1 热特性 1013 露点 1014.15 密封 1015.11 老化测试 1016.2 寿命/可靠性特性测试 1017.3 中子辐照 1018.7 内部气体分析 1019.9 电离辐射（总剂量）测试程序 1020.1 剂量率诱发闩锁测试程序 1021.3数字微电路的剂量率翻转测试 1022 场效应晶体管 (Mosfet) 阈值电压 1023.3 线性微电路的剂量率响应 1030.2 封装前老化 1031 薄膜腐蚀测试 1032.1 封装诱发的软错误测试程序（由阿尔法粒子引起） 1033 耐久性测试 1034.2 芯片渗透测试（针对塑料设备） 机械测试 2001.4 恒定加速度 2002.5 机械冲击 2003.12 可焊性 2004.7 引线完整性 2005.2 振动疲劳 2006.1 振动噪声 2007.3 振动，变频 2008.1 视觉和机械 2009.12 外部视觉 2010.14 内部视觉（单片） 2011.9 键合强度（破坏性键合拉力测试） 2012.9 射线照相 2013.1 DPA 内部目视检查 2014 内部目视和机械 2015.14 耐溶剂性 2016 物理尺寸 2017.11 内部目视（混合） 2018.6 金属化扫描电子显微镜 (SEM) 检查 2019.9 芯片剪切强度 2020.9 粒子撞击噪音检测测试