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Dirac 磁单极与Berry 相位
nodal奇异性在不同的波函数中，相圆形的闭合曲线的变化通过任意倍数的2次曲线可能有所不同，因此没有足够的确定能够以电磁场的形式立即解释。它必须具有一个确定的价值，因此可以在6个矢量𝑬𝑬，通过小的闭合曲线的通量上解释而没有任何歧义，而该曲线的通量也必须很小。然而，当波函数消失时，发生了一种例外情况，因为它的相位没有含义。由于波函数很复杂，其消失将需要两个条件，因此一般而言，它消失的点将沿着一条线。我们将这样的线称为节点线。如果我们现在采用一个通过小闭合曲线的节点线的波函数，我们只能说，相位的变化将接近2𝜋𝜋𝜋𝜋，其中n是一个整数，正或负数。此整数将是节点线的特征。我们获得了相圆形的小闭合曲线的变化
Jiles-Atherton 磁滞模型的改进与非正弦激励下 软磁材料复杂磁滞准确模拟
输入数据： 1 ） i = 0 时刻： H (0) = 0 ， M (0) = 0 ， H m = 0 2 ）磁化周期 0 — T 各时刻的磁密 B ( t ) 3 ）模型初始参数及动态参数 R 、 v 、 α 、 k 对应函数 4 ）磁化反转点磁密存储序列 [ B m (1), ⋅⋅⋅ , B m ( z )]
SOT-MRAM 动力学的微磁建模
自旋轨道扭矩磁阻随机存取存储器 (SOT-MRAM) 器件由于其非易失性、低功耗、高切换速度和耐久性而成为传统存储器的一种颇具吸引力的替代品 [1]。这些器件由磁隧道结 (MTJ) 和 SOT 重金属 (HM) 层组成。在 HM 层上施加电流会产生作用于 MTJ 中铁磁 (FM) 自由层 (FL) 的体自旋扭矩和界面自旋扭矩，这种扭矩源于 HM 层中存在的强自旋轨道耦合，从而可以操纵 FL 磁化。SOT 的对称性为设计具有垂直磁化方向的 SOT-MRAM 单元带来了挑战，以实现适合存储器应用的密度。已经提出并展示了几种解决方案，其中一些需要外部磁场、额外的对称性破坏层或 SOT 与自旋转移扭矩 (STT) 的组合 [1,2]。为了克服工程挑战并加速 SOT-MRAM 设备的开发和采用，需要能够快速准确地探索这些设备设计空间的软件。
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页次壹、开会程序..................................................... 1 贰、开会议程..................................................... 2 叁、选举事项..................................................... 3 肆、其他议案..................................................... 3 伍、临时动议..................................................... 3 陆、散会......................................................... 3 附件ㄧ、 董事(含独立董事)候选人名单............................... 4 二、 董事候选人兼任其他公司之职务明细表........................ 6 附录ㄧ、 公司章程................................................. 8 二、 股东会议事规则........................................... 14 三、 董事选任程序............................................. 22 四、 全体董事持股情形......................................... 25
使用流体控制和磁力控制开发磁分离设备
核技术系应用工程，福岛技术学院Mishima Fumito 3-6-1 Gakuen，福岛市，910-8505电子邮件：f-mishim@fukui-ut.ac.jp
国防部标准 N D S Y 0051 电磁术语（磁力/水下...
4.单位・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・83
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